اتصال بیس مشترک

در الکترونیک، تقویت‌کننده بیس مشترک الگو:به انگلیسی (همچنین به‌عنوان بیس زمین‌شده الگو:به انگلیسی شناخته می‌شود) یکی از سه توپولوژی اصلی تقویت‌کننده ترانزیستور پیوند دوقطبی تک‌طبقه (BJT) است که معمولاً به عنوان بافر جریان یا تقویت‌کننده ولتاژ استفاده می‌شود. در این مدار پایانه امیتر ترانزیستور به عنوان ورودی، کلکتور به عنوان خروجی عمل می‌کند و بیس به زمین یا «مشترک» متصل می‌شود، از این رو نام آن است. مدار ترانزیستور اثر میدان مشابه تقویت‌کننده گیت مشترک است.

از این نوع اتصال عموماً برای تقویت ولتاژ یا تقویت‌کننده بافر جریان استفاده می‌شود.

مشخصات

	تعریف	مقدار	مقدار تقریبی	شرایط تقریب
بهره ولتاژ مدار باز	$A_{v} = \begin{matrix} \frac{v_{o}}{v_{i}} \end{matrix} \|_{R_{L} = \infty}$	$\begin{matrix} \frac{(g_{m} r_{o} + 1) R_{C}}{R_{C} + r_{o}} \end{matrix}$	$\begin{matrix} g_{m} R_{C} \end{matrix}$	$r_{o} ≫ R_{C}$
بهره جریان اتصال کوتاه	$A_{i} = \begin{matrix} \frac{i_{o}}{i_{i}} \end{matrix} \|_{R_{L} = 0}$	$\begin{matrix} \frac{r_{π} + β r_{o}}{r_{π} + (β + 1) r_{o}} \end{matrix} \begin{matrix} \end{matrix}$	$1$	$β ≫ 1$
مقاومت ورودی	$R_{i n} = \begin{matrix} \frac{v_{i}}{i_{i}} \end{matrix}$	$\begin{matrix} \frac{(r_{o} + R_{C} ‖ R_{L}) r_{E}}{r_{o} + r_{E} + \frac{R_{C} ‖ R_{L}}{β + 1}} \end{matrix}$	$r_{E} (\approx \frac{1}{g_{m}})$	$r_{o} ≫ R_{C} ‖ R_{L} (β ≫ 1)$
مقاومت خروجی	$R_{o u t} = \begin{matrix} \frac{v_{o}}{- i_{o}} \end{matrix} \|_{v_{s} = 0}$	$R_{C} ‖ {[1 + g_{m} (r_{π} ‖ R_{S})] r_{o} + (r_{π} ‖ R_{S})}$	$R_{C} \| \| r_{o}$ $R_{C} \| \| [(r_{π} \| \| R_{S}) (1 + g_{m} r_{o})]$	$R_{S} ≪ r_{E}$ $R_{S} ≫ r_{E}$

البته باید توجه داشت که این مشخصات در محدودهٔ خاصی از فرکانس سیگنال برقرار است.

Basic BJT Amplifier Configurations
NPN Common Base Amplifier
ECE 327: Transistor Basics — مثال‌هایی از اتصال بیس مشترک با توضیحات ارائه شده است.