پرونده:TyTunnelling.png
پرش به ناوبری
پرش به جستجو
اندازهٔ این پیشنمایش: ۸۰۰ × ۵۶۸ پیکسل. کیفیتهای دیگر: ۳۲۰ × ۲۲۷ پیکسل | ۶۴۰ × ۴۵۵ پیکسل | ۹۱۵ × ۶۵۰ پیکسل.
پروندهٔ اصلی (۹۱۵ × ۶۵۰ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۲۳ کیلوبایت، نوع MIME پرونده: image/png)
| توضیح |
English: Schematic representation of an electron (e, right) tunnelling through a barrier of "height" (vertical dimension is energy) e*V_b and thickness (horizontal dimension is spatial) d_b. e is the elementary charge, -1.6E-19 Coulomb, V is the bias voltage leading to a current flowing between the right and the left "electrode" (side of the barrier). |
| تاریخ | Göteborg 1999 |
| منبع | Created by Torsten Henning and published in Charging effects in niobium nanostructures, PhD thesis, Mikroelektronik och Nanovetenskap, Chalmers Tekniska Högskola AB och Göteborgs Universitet, Göteborg 1999. Full text available online [1] as www.arxiv.org e-print cond-mat/9901308. |
| پدیدآور | Torsten Henning |
این پرونده با اجازهنامهٔ کریتیو کامانز Attribution 2.5 عمومی منتشر شده است.
- شما اجازه دارید:
- برای به اشتراک گذاشتن – برای کپی، توزیع و انتقال اثر
- تلفیق کردن – برای انطباق اثر
- تحت شرایط زیر:
- انتساب – شما باید اعتبار مربوطه را به دست آورید، پیوندی به مجوز ارائه دهید و نشان دهید که آیا تغییرات ایجاد شدهاند یا خیر. شما ممکن است این کار را به هر روش منطقی انجام دهید، اما نه به هر شیوهای که پیشنهاد میکند که مجوزدهنده از شما یا استفادهتان حمایت کند.
تاریخچهٔ پرونده
روی تاریخ/زمانها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.
| تاریخ/زمان | بندانگشتی | ابعاد | کاربر | توضیح | |
|---|---|---|---|---|---|
| کنونی | ۱۲ اکتبر ۲۰۰۵، ساعت ۱۶:۳۴ | | ۹۱۵ در ۶۵۰ (۲۳ کیلوبایت) | wikimediacommons>DrTorstenHenning | {{English}} Schematic representation of an electron (e, right) tunnelling through a barrier of "height" (vertical dimension is energy) e*V_b and thickness (horizontal dimension is spatial) d_b. e is the elementary charge, -1.6E-19 Coulomb, V is the b |
کاربرد پرونده
صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده میکند:
