پرونده:Threshold formation nowatermark.gif
پرش به ناوبری
پرش به جستجو
تفکیکپذیری بالاتری در دسترس نیست.
Threshold_formation_nowatermark.gif (۷۲۲ × ۳۲۸ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۲۶۷ کیلوبایت، نوع MIME پرونده: image/gif، چرخشدار، ۲۴ قاب، ۳٫۶ ثانیه)
خلاصه
| توضیح |
English: Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V.
OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.org/resources/omenwire |
| تاریخ | |
| منبع | اثر شخصی |
| پدیدآور | Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck, modified by Zephyris |
اجازهنامه
|
من، دارنده حق تکثیر این اثر، این اثر را به مالکیت عمومی منتشر میکنم. این قابل اجرا در تمام نقاط جهان است. در برخی از کشورها ممکن است به صورت قانونی این امکانپذیر نباشد؛ اگر چنین است: من اجازهٔ استفاده از این اثر را برای هر مقصودی، بدون هیچگونه شرایطی میدهم، تا وقتی که این شرایط توسط قانون مستلزم نشده باشد. |
تاریخچهٔ پرونده
روی تاریخ/زمانها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.
| تاریخ/زمان | بندانگشتی | ابعاد | کاربر | توضیح | |
|---|---|---|---|---|---|
| کنونی | ۲۶ اوت ۲۰۱۰، ساعت ۱۷:۵۷ | | ۷۲۲ در ۳۲۸ (۲۶۷ کیلوبایت) | wikimediacommons>Zephyris | {{Information |Description={{en|1=Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.o |
کاربرد پرونده
صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده میکند:
