پرونده:MOSFET Manufacture - 4 - n+ diffusion.svg
پرش به ناوبری
پرش به جستجو
حجم پیشنمایش PNG این SVG file:۳۰۰ × ۲۰۰ پیکسل کیفیتهای دیگر: ۳۲۰ × ۲۱۳ پیکسل | ۶۴۰ × ۴۲۷ پیکسل | ۱٬۰۲۴ × ۶۸۳ پیکسل | ۱٬۲۸۰ × ۸۵۳ پیکسل | ۲٬۵۶۰ × ۱٬۷۰۷ پیکسل.
پروندهٔ اصلی (پروندهٔ اسویجی، با ابعاد ۳۰۰ × ۲۰۰ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۴۰ کیلوبایت)
| توضیح |
Complementary metal oxide-semiconductor (CMOS) manufacture process. A cross-section of the manufacture of a CMOS inverter. |
| تاریخ | |
| منبع | اثر شخصی |
| پدیدآور | Inductiveload |
| اجازهنامه (استفادهٔ مجدد از این پرونده) |
Own work, all rights released (Public domain) |
| SVG genesis |
|
من، دارنده حق تکثیر این اثر، این اثر را به مالکیت عمومی منتشر میکنم. این قابل اجرا در تمام نقاط جهان است. در برخی از کشورها ممکن است به صورت قانونی این امکانپذیر نباشد؛ اگر چنین است: من اجازهٔ استفاده از این اثر را برای هر مقصودی، بدون هیچگونه شرایطی میدهم، تا وقتی که این شرایط توسط قانون مستلزم نشده باشد. |
تاریخچهٔ پرونده
روی تاریخ/زمانها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.
| تاریخ/زمان | بندانگشتی | ابعاد | کاربر | توضیح | |
|---|---|---|---|---|---|
| کنونی | ۱۶ نوامبر ۲۰۰۹، ساعت ۰۲:۱۴ | | ۳۰۰ در ۲۰۰ (۴۰ کیلوبایت) | wikimediacommons>Inductiveload | {{Information |Description=Complementary metal oxide-semiconductor (CMOS) manufacture process. A cross-section of the manufacture of a CMOS inverter.<br> Stage 4: ''n''+ diffusion. |Source={{own}} |Date=2009-11-16 |Author=[[User:Inductiveloa |
کاربرد پرونده
صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده میکند:
