نتایج جستجو

پرش به ناوبری پرش به جستجو
نمایش (۲۰تای قبلی | ) (۲۰ | ۵۰ | ۱۰۰ | ۲۵۰ | ۵۰۰)
  • ...رامترهای پراکندگی|T]] یا [[پارامترهای پراکندگی|پارامترهای]] [[دوقطبی (مدار الکتریکی)|ABCD]].<ref>David M. Pozar, 2005 (op. cit); pp 183-186.</ref><ref>A.H. Mor ...ان‌های ورودی و خروجی که از طریق درگاه‌ها جریان دارند (از یک [[دوقطبی (مدار الکتریکی)|شبکه دو دهانه]] در این حالت) هستند. ...
    ۹ کیلوبایت (۶۲۳ واژه) - ۲۵ مهٔ ۲۰۲۲، ساعت ۰۵:۲۷
  • ...کتانس الکتریکی|راکتانس]]) است که به شبکه بار موجود وصل می‌شود که برای منبع الکتریکی ''داخلی'' است. امپدانس خروجی اندازه‌گیری از تمایل منبع برای افت ولتاژ هنگام [[مقاومت داخلی |مقاومت داخلی]] مفهومی است که به مدل‌سازی پیامدهای الکتریکی از واکنش‌های شیمیایی پیچیده درون یک [[باتری]] کمک می‌کند. اندازه‌گیری مستقی ...
    ۴ کیلوبایت (۱۰۹ واژه) - ۲۷ ژوئیهٔ ۲۰۲۰، ساعت ۱۳:۲۳
  • ...یک|قطعه الکترونیکی]] است که بدون [[اعوجاج]] قابل ملاحظه [[شکل‌موج]] [[توان الکتریکی|، توان]] [[سیگنال (مهندسی برق)|سیگنال]] را کاهش می‌دهد. * '''[[امپدانس الکتریکی|امپدانس]] اسمی'''، به عنوان مثال ۵۰ اهم ...
    ۱۰ کیلوبایت (۶۷۹ واژه) - ۲۵ ژانویهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۰۹:۲۱
  • == پارامترهای ترانزیستور دو قطبی == دیگر پارامترهای نشان داده شده در شکل به شکل زیر تعریف می‌شوند: ...
    ۵ کیلوبایت (۳۵۳ واژه) - ۱ نوامبر ۲۰۱۸، ساعت ۰۸:۵۶
  • ...یگنال ای‌سی ناچیز باشد.<ref>{{پک|نظریان|۱۳۹۰|ک=مدارهای پایه در الکترونیک|ف=پارامترهای مؤثر بر تقویت‌کننده‌های ترانزیستوری و انواع فیدبک|ص=۴۰}}</ref> ...ل‌کوتاه]] نزدیک می‌شود.<ref>{{پک|نظریان|۱۳۹۰|ک=مدارهای پایه در الکترونیک|ف=پارامترهای مؤثر بر تقویت‌کننده‌های ترانزیستوری و انواع فیدبک|ص=۴۰}}</ref> ...
    ۳ کیلوبایت (۴۹ واژه) - ۲۰ ژوئن ۲۰۲۴، ساعت ۰۰:۱۳
  • ...) متصل به یک مدار خارجی است که ''شرایط درگاه'' را برآورده می‌کند - [[جریان الکتریکی|جریان]]‌هایی که به دو گره جاری‌اند باید برابر و مخالف باشند. ...ل‌های خروجی گرفته می‌شوند. رفتار آن به‌طور کامل توسط [[ماتریس|ماتریسی]] از پارامترهای مربوط به [[ولتاژ]] و جریان دردرگاه‌های آن مشخص می‌شود، بنابراین ساختار داخل ...
    ۶ کیلوبایت (۱۷۷ واژه) - ۱۶ ژوئن ۲۰۲۴، ساعت ۱۲:۱۱
  • ...[[راکتانس الکتریکی|راکتانس]])، با [[جریان الکتریکی|جریانی]] است که از منبع الکتریکی می‌آید. [[رده:پارامترهای الکتریکی]] ...
    ۴ کیلوبایت (۱۵۳ واژه) - ۱ آوریل ۲۰۲۳، ساعت ۰۷:۱۹
  • [[پرونده:Square1.jpg|بندانگشتی|شکست الکتریکی در یک [[پلی (متیل متاکریلات)]]]] ...ژ]]ی است که باعث می‌شود قسمتی از عایق [[رسانای الکتریکی]] می‌شود و [[جریان الکتریکی]] را عبور دهد. ...
    ۴ کیلوبایت (۱۱۶ واژه) - ۱ اکتبر ۲۰۲۲، ساعت ۱۲:۵۷
  • ...Egan">Egan W.F. , "Practical RF System Design", Wiley, 2003</ref> {{Rp|2}} پارامترهای مهم دیگر، مربوط به این خصوصیات، حساسیت (حداقل سطح سیگنال است که می‌تواند در ...
    ۳ کیلوبایت (۹۳ واژه) - ۱۸ مارس ۲۰۲۱، ساعت ۱۳:۳۰
  • ...ain}} در [[الکترونیک]]، تواناییِ یک [[مدار الکتریکی|مدارِ]] [[دوقطبی (مدار الکتریکی)|دوقطبی]] (اغلب یک تقویت‌کننده) برای افزایشِ [[قدرت|توان]] یا [[دامنه|دامنه ...دی [[ولتاژ]] (بهره ولتاژ)، [[جریان الکتریکی|جریان]] (بهره جریان) یا [[توان الکتریکی]] (بهره توان) اشاره داشته باشد.<ref name="White4">{{cite book|last1=White|f ...
    ۴ کیلوبایت (۳۹۴ واژه) - ۲۰ دسامبر ۲۰۲۳، ساعت ۱۶:۲۱
  • ...یدروژن]] و [[نیتروژن]] به دست‌آمده از بیان [[ولتاژ شکست]] به صورت تابعی از پارامترهای A و B که [[درون‌یابی]] نخستین [[ضریب تانزند]] هستند.]] ...ر مورد [[تخلیهٔ الکتریکی گازها]] است که بیان می‌کند ولتاژ لازم برای [[شکست الکتریکی]] گاز واقع در یک [[میدان یکنواخت]] تابعی است از حاصلضرب [[فشار]] گاز و فاصل ...
    ۴ کیلوبایت (۱۲۵ واژه) - ۱ اکتبر ۲۰۲۲، ساعت ۰۵:۳۸
  • ...{{به انگلیسی|Common-mode signal}} ولتاژ مشترک هردو پایانه ورودی یک افزاره الکتریکی است. در [[مخابرات]]، سیگنال حالت-مشترک در یک [[خط انتقال]] به عنوان '''ولتا در اکثر [[مدار الکتریکی|مدارهای الکتریکی]] سیگنال توسط یک ولتاژ تفاضلی بین دو رسانا منتقل می‌شود. اگر ولتاژ روی این ...
    ۵ کیلوبایت (۱۷۹ واژه) - ۱۶ ژوئن ۲۰۲۳، ساعت ۰۴:۵۰
  • ...://en.wikipedia.org/wiki/File:OhmsLaw.svg|بندانگشتی|210x210پیکسل|V، I و R، پارامترهای قانون اهم]] ...معادله منجر به یک ثابت نسبی R می‌شود که [[مقاومت و رسانایی الکتریکی|مقاومت الکتریکی]] آن جسم (ماده) نامیده می‌شود. البته این قانون تنها برای مقاومت‌هایی صادق ا ...
    ۷ کیلوبایت (۱۴۰ واژه) - ۱۷ آوریل ۲۰۲۴، ساعت ۲۰:۴۰
  • ...و رسانایی الکتریکی|مقاومتی]] (تلف) میدان الکترومغناطیسی و همتای [[راکتانس الکتریکی|راکتانس]] (بدون تلف) آن است. ...[[تراوایی مغناطیسی|نفوذپذیری]] ''{{Mvar|μ}}''، و [[مقاومت ویژه و رسانندگی الکتریکی|رسانایی]] ''{{Mvar|σ}}'' بیانگر خواص محیطی هستند که [[محیط نوری|امواج]] از ...
    ۱۱ کیلوبایت (۳۶۰ واژه) - ۲۰ فوریهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۱۵:۲۸
  • ...{{اختصاری|دی‌اف}} اندازه‌گیری نرخ-تلف [[انرژی]] یک مُد [[نوسان]] (مکانیکی، الکتریکی یا الکترومکانیکی) در یک [[سیستم دفع کننده|سامانه اتلافی]] است. این متقابل [ [[انرژی پتانسیل الکتریکی]] در تمام مواد [[دی‌الکتریک]] معمولاً به شکل [[گرما]] تلف می‌شود. در یک [[خ ...
    ۷ کیلوبایت (۲۰۵ واژه) - ۲۰ سپتامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۶:۳۱
  • [[رده:پارامترهای الکتریکی]] ...
    ۳ کیلوبایت (۳۸ واژه) - ۲۲ مهٔ ۲۰۱۹، ساعت ۰۹:۳۱
  • ...که با اعمال کردن [[میدان الکتریکی]] (مغناطیسی)، بتوانیم [[قطبش مغناطیسی]] (الکتریکی) القا کنیم. این اثرات می‌تواند؛ نسبت به میدان‌های خارجی خطی یا غیر خطی باشن که p [[قطبش الکتریکی]] است و M [[مغناطش]] است و E و H [[میدان الکتریکی]] و [[مغناطیس]]<nowiki/>ی می‌باشند و α و β پذیرفتاری‌های خطی و غیر خطی ME م ...
    ۹ کیلوبایت (۱۹۵ واژه) - ۲۶ نوامبر ۲۰۲۲، ساعت ۰۸:۵۷
  • ...نه آشکارساز را اندازه‌گیری می‌کند. در مورد خاص یک [[آشکارساز نوری]]، خروجی الکتریکی را بر ورودی نوری اندازه‌گیری می‌کند. ...ساده برای پاسخ‌دهی ''R'' یک آشکارساز نوری که در آن یک سیگنال نوری به جریان الکتریکی (معروف به [[جریان نوری]]) تبدیل می‌شود، این است: ...
    ۵ کیلوبایت (۱۳۹ واژه) - ۱ سپتامبر ۲۰۲۲، ساعت ۱۶:۲۸
  • ...‌کنند، نقطه کار (های) ممکن ([[بایاس کردن|نقاط Q]]) مدار هستند. در این نقاط پارامترهای جریان و ولتاژ هر دو بخش مدار یکسان است.<ref>Adel Sedra, Kenneth Smith. Micr ...یود، قطعه‌ای غیرخطی، به صورت سری با یک مدار خطی متشکل از یک [[مقاومت (قطعه الکتریکی)|مقاومت]] R، و یک منبع [[ولتاژ]] V <sub>DD</sub>، است. منحنی مشخصه ''(خط من ...
    ۵ کیلوبایت (۱۱۹ واژه) - ۱۴ مهٔ ۲۰۲۰، ساعت ۱۳:۲۰
  • [[رده:پارامترهای الکتریکی]] ...
    ۳ کیلوبایت (۴۳ واژه) - ۲ سپتامبر ۲۰۲۲، ساعت ۰۸:۰۷
نمایش (۲۰تای قبلی | ) (۲۰ | ۵۰ | ۱۰۰ | ۲۵۰ | ۵۰۰)