نتایج جستجو
پرش به ناوبری
پرش به جستجو
- ...رسانا|نیمرسانا]]هایی گفته میشود که حاوی هیچگونه ناخالصی نباشند. در این نیمرساناها تعداد [[الکترون]]های [[نوار رسانش]] دقیقاً برابر با تعداد [[حفره]]ها در [ ...۱ کیلوبایت (۳۷ واژه) - ۲ فوریهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۰۷:۲۴
- ...در [[جامد|جامدات]] (الکترونها و [[حفره الکترونی|حفرهها]] در [[نیمه هادی|نیمرساناها]]) به صورت [[حرکت براونی|تصادفی حرکت]] میکنند. بنابراین برآیند جهت حرکت آن در نیمرساناها سرعت رانش الکترونها و حفرهها برای یک میدان الکتریکی اعمال شده متفاوت میب ...۸ کیلوبایت (۹۳ واژه) - ۲۲ ژوئیهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۲۲:۲۵
- جذبش در نیمرساناها بهطور تصاعدی در نزدیکی شروع جذبش افزایش مییابد و چندین مرتبه بزرگی را در [[رده:نیمرساناها]] ...۸ کیلوبایت (۵۹۵ واژه) - ۱۹ آوریل ۲۰۲۳، ساعت ۰۳:۱۶
- [[رده:نیمرساناها]] ...۴ کیلوبایت (۱۷۰ واژه) - ۳۱ اکتبر ۲۰۲۲، ساعت ۲۳:۲۱
- ...tp://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/chapter4/ch4_5.htm اثرات شکست در نیمرساناها] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20080228215738/http://ece-www ...۵ کیلوبایت (۱۱۳ واژه) - ۱۷ اکتبر ۲۰۲۲، ساعت ۰۰:۳۲
- ...گی [[دیود]]های ساخته شده توسط [[کندوپاش]] بسیاری از فلزات را روی بسیاری از نیمرساناها نشان میدهد.<ref>{{Cite journal|last=Pierce|first=G. W.|year=1907|title=Cry ...۶ کیلوبایت (۲۱۸ واژه) - ۱۹ ژوئیهٔ ۲۰۲۲، ساعت ۰۲:۲۶
- یک تعریف در [[نیمرسانا|فیزیک نیمرساناها]]، '''طولعمر حامل''' بهعنوان میانگین زمانی که طول میکشد تا یک [[حامل بار ...۸ کیلوبایت (۱۴۱ واژه) - ۱۹ ژوئیهٔ ۲۰۲۲، ساعت ۱۱:۰۹
- در عایقها این دو نوار با یک شکاف بزرگ انرژی از یکدیگر جدا شدهاند. در نیمرساناها این شکاف تا اندازه ای کوچکتر است؛ بنابراین الکترونها تنها با جذب انرژی از شکاف انرژی بین دو نوار به همان ترتیبی است که در نیمرساناها وجود دارد: اغلب بزرگتر از 1eV (مانند پلی استیلن) است و گاهی به چندین [[الکت ...۱۷ کیلوبایت (۱۵۶ واژه) - ۲۰ ژوئیهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۳:۳۰
- [[رده:تحلیل نیمرساناها]] ...۱۲ کیلوبایت (۲۳۶ واژه) - ۲۶ فوریهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۰۹:۰۱
- [[رده:نیمرساناها]] ...۱۵ کیلوبایت (۳۱۴ واژه) - ۵ دسامبر ۲۰۲۲، ساعت ۰۸:۱۹
- وقتی نیمرساناها به صورت لایههای خیلی نازک (۱۰۰ [[انگستروم]]) ساخته میشوند طیف نوری جذبی ب ...۱۴ کیلوبایت (۴۹۹ واژه) - ۳ آوریل ۲۰۲۴، ساعت ۰۷:۰۶
- ...ری نوری، بهطور خاص مربوط به ساخت ماسک میشود. نقشه بینالمللی فناوری برای نیمرساناها (ITRS/International Technology Roadmap for Semiconductors) پیشبینی میکند ...۱۵ کیلوبایت (۳۱۳ واژه) - ۱۵ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۵:۱۳
- با ظهور [[ترانزیستور]]ها در دهه ۵۰ میلادی، نیاز به تولید تکبلورهای نیمرساناها افزایش یافت. این امر باعث گسترش فرایندهای تولید تکبلور ازجمله فرایند چکرال ...۱۸ کیلوبایت (۳۶۹ واژه) - ۱۹ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۷:۳۴
- ...معرفی دیود و استخراج مدل دیود ایدئال]</ref> دیود، نخستین قطعه تولید شده با نیمرساناها است. ...۳۰ کیلوبایت (۲۷۶ واژه) - ۱۶ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۶:۳۸
- [[رده:تحلیل نیمرساناها]] ...۲۷ کیلوبایت (۱٬۲۷۷ واژه) - ۳ ژانویهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۰۶:۴۳
- ...ازار لیزر دیود |publisher=Hanel Photonics |accessdate=Sep 26, 2014}}</ref> نیمرساناها از دو ماده که یکی کمبود الکترون داشته، (نیمرسانای نوع p) و دیگری الکترون ا ...۳۲ کیلوبایت (۸۴۷ واژه) - ۷ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۸:۰۷