نتایج جستجو
پرش به ناوبری
پرش به جستجو
- ...داد [[ماسفت]] ([[ترانزیستور اثر میدان|ترانزیستورهای اثر میدانی]] فلز-اکسید-نیمرسانا، یا ترانزیستور ماس) در یک [[مدار مجتمع|تراشه]] آیسی اشاره دارد، زیرا تمام ...ی (مدار مجتمع)|دای]] در یک بسته واحد) ساخته شده با استفاده از فرایند تولید نیمرسانا ۷ نانومتری فینفت [[تیاسامسی]] است.<ref name="Zen2 THW2">{{cite news|tit ...۹ کیلوبایت (۴۱۸ واژه) - ۲۹ نوامبر ۲۰۲۲، ساعت ۱۹:۲۴
- [[مبدل انرژی]] '''بتاولتائیک''' از کوبل کردن یک چشمه بتازا با یک قطعه [[نیمرسانا]] تشکیل میشود و [[جریان الکتریکی]] تولید میکند. ...ریان الکتریکی میباشد، از طریق ایجاد الکترون حفره حاصل از یونیزه شدن قطعه نیمرسانا توسط تشعشعات چشمه رادیواکتیو، جریان الکتریکی تولید میکند.<ref>W.E Matheson ...۸ کیلوبایت (۲۱۴ واژه) - ۱۹ اوت ۲۰۲۲، ساعت ۱۳:۳۱
- استاندارد IEEE 255-1963، «نمادهای حروف برای [[ادوات نیمرسانا|قطعات نیمرسانا]]»، یازده نماد کمیت اصلی را که به صورت مخفف بیان میشوند، تعریف میکند.<ref | پایانه نیمرسانا ...۵ کیلوبایت (۱۸۰ واژه) - ۲۳ دسامبر ۲۰۲۱، ساعت ۱۱:۵۸
- ...تکفاز]]، بسته به کاربرد و اهمیت، معمولاً شامل یک، دو یا چهار [[نیمهرسانا|نیمرسانا]]ی یکسوساز غیرقابلکنترل مانند دیود، یا یکسوساز قابلکنترل مانند [[تریستور] == قطعات یکسوساز == ...۸ کیلوبایت (۱۸۶ واژه) - ۹ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۱:۰۰
- ...ی [[اکسید گیت|دیالکتریک گیت]] با سیلیسیم دیاکسید یا لایه دیالکتریک دیگر قطعات استفاده میشود. پیادهسازی دیالکتریکهای گیت با کاپای زیاد یکی از چندین اس ...قرار گرفتهاست. با کاهش اندازه [[ماسفت|ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمرسانا]] (ماسفت)، ضخامت دی الکتریک گیت دیاکسید سیلیکون بهطور پیوسته کاهش مییابد ...۱۳ کیلوبایت (۶۳۲ واژه) - ۳۰ مهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۶:۴۳
- یکی از اولین استفادههای زدایش شیمیایی در فرز کاری قطعات تجاری یک کارخانه در سال ۱۹۲۷ بود، زمانی که شرکت سوئدی Aktiebolaget Separato ...پی و تولید [[قطعات نیمرسانا]] کاربرد فراوانی دارد. از این فرایند در تولید قطعات [[سامانه میکرو الکترومکانیکی|میکروالکترومکانیکی]] یا [[اچینگ (ریزساخت)|مدار ...۱۹ کیلوبایت (۱۷۱ واژه) - ۲ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۳:۰۷
- هنگامی که یک میدان مغناطیسی در جهت محور عمود بر صفحه [[نیمرسانا|نیمه رسانا]] به آن اعمال شود (مطابق شکل ۲–۱) [[نیروی لورنتس|نیروی لورنتز]] [[رده:قطعات الکترومغناطیس]] ...۱۵ کیلوبایت (۲۱۲ واژه) - ۲۴ فوریهٔ ۲۰۲۳، ساعت ۱۱:۴۰
- ...یین محیطی، ممکن است در واقع برای دستیابی به عملکرد رضایت بخش، لازم باشد که قطعات الکترونیکی گرم شوند.<ref>{{Cite web|url=http://www.osha.gov/dts/osta/otm/ot ...ent/Crydom_172/PDF/Crydom_WP_Forced_Air.pdf}}</ref> با توجه به دو افزاره [[نیمرسانا]] در یک بسته، مقاومت پیوند به محیطی (R<sub>θJ-C</sub>) پایینتر نشان دهنده ...۲۶ کیلوبایت (۶۵۸ واژه) - ۲۴ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۱:۳۸
- {{قطعات الکترونیکی}} [[رده:قطعات نیمرسانا]] ...۱۱ کیلوبایت (۲۲۸ واژه) - ۷ ژوئیهٔ ۲۰۲۳، ساعت ۱۵:۳۱
- [[پرونده:Diode-closeup.jpg|بندانگشتی|[[بلور]] مربعی شکل [[نیمرسانا|نیمرسانا]] در دیود]] ...ode/ | access-date=2023-07-18}}</ref> پایهای که به [[نیمرسانای غیرذاتی | نیمرسانا]]ی N متصل است «کاتُد» و پایهای که به نیمرسانای نوع P متصل است «آنُد» نام ...۳۰ کیلوبایت (۲۷۶ واژه) - ۱۶ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۶:۳۸
- {{قطعات الکترونیکی}} [[رده:قطعات نیمرسانا]] ...۱۵ کیلوبایت (۱۱۹ واژه) - ۲۱ دسامبر ۲۰۲۳، ساعت ۲۱:۱۵
- ...ents}} یا '''اجزای الکتریکی''' انتزاعات مفهومی هستند که نشان دهنده قطعات [[قطعات الکترونیکی|الکتریکی]] ایدهآل، مانند [[مقاومت (قطعه الکتریکی)|مقاومتها]]، این عناصر الکتریکی ایدهآل نمایانگر [[قطعات الکترونیکی|اجزای الکتریکی واقعی، فیزیکی یا الکترونیکی]] هستند. با این حال، ...۲۳ کیلوبایت (۴۵۳ واژه) - ۸ ژوئیهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۰:۲۰
- ...مواد اولیه و پایه به کاربرد محصول نهایی بستگی دارد. فنولهای کاغذ در ساخت قطعات الکتریکی مانند تختههای پانچ، لمینتهای خانگی و در [[پنلهای کامپوزیت کاغذی ...بیرونی در [[بلندگو]]ها را از بین میبرد استفاده کرد. یکی از مواد پایهٔ این قطعات [[پارچه]] است. ...۱۸ کیلوبایت (۳۲۱ واژه) - ۱۷ دسامبر ۲۰۲۳، ساعت ۰۰:۰۴
- ...موج]] [[فروسرخ]] موردنظر تنظیم کند. [[کادمیم تلورید|تلورید کادمیوم]] یک [[نیمرسانا]] است که دارای [[نوار ممنوعه|شکافباند]] تقریباً ۱٫۵ [[الکترونولت]] (eV) د ...ازه ۰٫۲ W·K<sup>−1</sup>m<sup>−1</sup> است. این بدان معنی است که برای قطعات توان-بالا نامناسب است. اگرچه [[الئیدی|دیودها]] و [[لیزر]]<nowiki/>های فرو ...۱۰ کیلوبایت (۶۸۰ واژه) - ۱۱ فوریهٔ ۲۰۲۳، ساعت ۰۳:۳۴
- '''مقاومت''' {{به انگلیسی|Resistor}} نام یکی از [[قطعات الکترونیکی|قطعات الکتریکی و الکترونیکی]] دوپایه و [[کنشپذیری (مهندسی)|کنشپذیر]] (مصرفکنند ...لکتریکی|رساناها]]، بالارفتن [[دما]] سبب افزایش مقاومت میشود ولی مقاومتِ [[نیمرسانا]]ها در دمای بالاتر کاهش مییابد. ...۳۸ کیلوبایت (۵۶۲ واژه) - ۹ دسامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۶:۵۱
- ویفر به تکه بسیار باریکی از یک ماده [[نیمرسانا|نیمهرسانا]] مانند بلور سیلیکون میگویند که درصد خلوص آن بسیار بالا و نزدیک فوتولیتوگرافی یا طرحنگاری نوری، در ساخت قطعات الکترونیک بکار میرود. در این فرایند، میکروساخت استفاده شده و جهت تهیه الگو ...۲۸ کیلوبایت (۴۹۱ واژه) - ۱۳ مارس ۲۰۲۵، ساعت ۱۵:۰۰
- در نوشتار گاهی اصطلاح مغناطیسی غولپیکر با مغنامقاومت غولپیکر [[نیمرسانا|نیمرساناهای]] فرومغناطیسی و ضدمغناطیسی اشتباه گرفته میشود، که مربوط به سا ...و باید در طراحیها آنها را در نظر گرفت. سرعت بالاتر و کاهش توانمصرفی که قطعات جییامآر این خواص را از خود نشان دادهاند، بسیار مهم است. ...۵۴ کیلوبایت (۲٬۱۴۱ واژه) - ۲۵ دسامبر ۲۰۲۲، ساعت ۰۹:۱۴
- مهمترین مثال، [[نیترید گالیم]]، [[نیمرسانا|نیمه هادی]] است.<ref>Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices, and Technolog ...به موارد زیر اشاره کرد: [[دمای عملیاتی]] کارکرد پایینتر، تجهیزات کم حجم و قطعات متحرک کمتر.<ref>{{Cite journal|last=Kouchachvili|first=L|last2=Ikura|first2 ...۲۸ کیلوبایت (۱٬۳۲۱ واژه) - ۵ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۶:۳۶
- برای نشست لایههای نیترید سیلیکون روی لایههای [[نیمرسانا|نیمه رسانا]] (معمولاً سیلیکون)، از دو روش استفاده میکنند: ...ین کاربردهای نیترید سیلیسیم پخته شده در صنعت اتومبیل به عنوان مادهای برای قطعات موتور است. این موارد، در [[موتور دیزل|موتورهای دیزلی]] ، [[شمع گرمکن|پلاگین ...۴۲ کیلوبایت (۱٬۸۷۶ واژه) - ۲۵ ژوئن ۲۰۲۴، ساعت ۰۵:۴۲