نتایج جستجو
پرش به ناوبری
پرش به جستجو
- ...مجتمع]]، یا به عنوان ظرفیتخازنی در واحد عرض ترانزیستورهای حداقلطول در یک فناوری بیان کرد. در نسلهای تقریباً با [[مقیاسبندی دنارد]] [[ماسفت|فِتهای فلز-اکسید-نیمرسانا]] (MOSFET)، ظرفیتخازنی در واحد سطح بهطور معکوس با ابعاد افزاره افزایش یاف ...۳ کیلوبایت (۱۲۲ واژه) - ۲۸ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۸:۰۵
- [[مبدل انرژی]] '''بتاولتائیک''' از کوبل کردن یک چشمه بتازا با یک قطعه [[نیمرسانا]] تشکیل میشود و [[جریان الکتریکی]] تولید میکند. ...ریان الکتریکی میباشد، از طریق ایجاد الکترون حفره حاصل از یونیزه شدن قطعه نیمرسانا توسط تشعشعات چشمه رادیواکتیو، جریان الکتریکی تولید میکند.<ref>W.E Matheson ...۸ کیلوبایت (۲۱۴ واژه) - ۱۹ اوت ۲۰۲۲، ساعت ۱۳:۳۱
- [[رده:فناوری میکرو]] [[رده:فناوری نیمهرسانا]] ...۴ کیلوبایت (۱۷۵ واژه) - ۸ اوت ۲۰۲۲، ساعت ۲۲:۲۱
- ...ectron. Lett. , vol. 25, no. 25, pp. 1696–8, Dec. 1989.</ref> در [[دانشگاه فناوری چالمرز]] اختراع شد. ...۵ کیلوبایت (۱۵۷ واژه) - ۲۶ مهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۰۰:۱۵
- در یک استفاده معمولی، در[[ساخت ادوات نیمرسانا|ساخت ادوات نیم رسانا]]، یک ماسک میتواند بهطور انتخابی یک لایه مقاوم به نو ...از کاربردهای رایج ابزارهای FIB برای تأیید طراحی یا تحلیل خرابی افزارههای نیمرسانا است. تأیید طراحی ترکیبی از حذف انتخابی مواد با لایهنشانی مواد رسانا، [[دی ...۱۲ کیلوبایت (۲۳۶ واژه) - ۲۶ فوریهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۰۹:۰۱
- ...آنها معمولاً با استفاده از فرایند [[سیماس|ماس مکمل]] (سیماس) [[ساخت ادوات نیمرسانا|ساخته]] میشوند. کاربردهای متداول مدارهای تاخت خازنی ماس شامل [[مدارهای مجت ...۱۱ کیلوبایت (۴۶۳ واژه) - ۱۸ مهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۴:۲۸
- ...صنعت از [[زدایش (ریزساخت)|زُدایش]] برای تولید مدارهای چاپی و تولید [[قطعات نیمرسانا]] کاربرد فراوانی دارد. از این فرایند در تولید قطعات [[سامانه میکرو الکترومک در صنایع [[نیمرسانا|نیمههادی]] موادی که در تولید مدارات نیمههادی یا ساختارهای میکرومتری کاربر ...۱۹ کیلوبایت (۱۷۱ واژه) - ۲ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۳:۰۷
- ...دورانی معمولاً برای لاک زدن روی قرصهای زیر ساخت در صنعت میکروالکترونیک و فناوری میکرو استفاده میشود. ضخامت لابه ایجاد شده به [[گرانروی]] لاک نوری، سرعت دو ...شود و ساختار اصلی روی خود <small>متن کوچک</small>قرص قرار میگیرد. ولی در فناوری میکرو بعضاً ساختارهایی از جنس خود لاک تولید میشود که در آن نیاز به ایجاد ل ...۱۲ کیلوبایت (۶۷ واژه) - ۱۶ ژوئن ۲۰۲۳، ساعت ۰۹:۰۴
- ...، اپتیکی، شیمیایی و الکترونیکی دارند، استفاده میشود. برای مثال در تجهیزات نیمرسانا مانند [[سلول خورشیدی فیلم نازک|پنلهای خورشیدی لایه نازک]]،<ref>{{Cite jour * فناوریهای خاص میتوانند محدودیتها را تحمیل کنند؛ برای مثال، انتقال خطی از انواع ...۱۴ کیلوبایت (۲۳۶ واژه) - ۲۰ ژوئن ۲۰۲۳، ساعت ۰۳:۱۰
- ...ایند بسیار شبیه به مُهرسازی با نور [[فرابنفش]] است؛ و در صنعت [[ساخت ادوات نیمرسانا]] نقش مهمی بازی میکند.<ref>{{Cite web|url=https://semiengineering.com/dsa- در حال حاضر فرایند اصلی [[ساخت ادوات نیمرسانا]] بر پایهٔ طرحنگاری نوری فرابنفش است، که با طیف طول موجهای بین ۳۰۰ تا ۴۵۰ ...۱۸ کیلوبایت (۱۷۴ واژه) - ۱۵ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۵:۱۳
- * [[لئوناردو دیآراس|فناوریهای دیآراس]] * شرکت فناوری فروسرخویژن (وابسته به L-3) ...۱۲ کیلوبایت (۵۲۷ واژه) - ۳ دسامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۱:۱۸
- ...٫۵ سانتیمتر با این فرایند تولید شد. با توجه به خواص بهتر سیلیسیم بهعنوان نیمرسانا، تلاشها برای تولید تکبلورهای سیلیسیم آغاز شد. هرچند به علت [[دمای ذوب]] ب # کنترل ناخالصیهای موجود در نیمرسانا با کنترل سرعت بالا کشیدن و چرخش بلور ...۱۸ کیلوبایت (۳۶۹ واژه) - ۱۹ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۷:۳۴
- == فناوری فعلی == ...ر است. برای دستیابی به افزارههای آیبی، تحقیقات بیشتری برای یافتن یک ماده نیمرسانا حجیم که طولعمر بازترکیب غیرتابشی بالاتری را نشان میدهد، باید انجام شود. ...۲۱ کیلوبایت (۱٬۲۴۵ واژه) - ۲ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۵:۴۱
- [[پرونده:Diode-closeup.jpg|بندانگشتی|[[بلور]] مربعی شکل [[نیمرسانا|نیمرسانا]] در دیود]] ...ode/ | access-date=2023-07-18}}</ref> پایهای که به [[نیمرسانای غیرذاتی | نیمرسانا]]ی N متصل است «کاتُد» و پایهای که به نیمرسانای نوع P متصل است «آنُد» نام ...۳۰ کیلوبایت (۲۷۶ واژه) - ۱۶ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۶:۳۸
- '''آلایش''' یا '''دوپینگ''' {{انگلیسی|Doping}} در تولید [[نیمرسانا]]، به واردکردن عمدی ناخالصیها به یک [[نیمهرسانای ذاتی|نیمرسانای ذاتی]] ب ...وپینگ نوع p نشان داده می شود.(برای توضیح دقیق تر مکانیسم دوپینگ به مقاله [[نیمرسانا|نیمه هادی ها]] مراجعه کنید.) نیمه هادی که تا حد بالایی دوپ شده باشد که بیشت ...۳۸ کیلوبایت (۳۳۰ واژه) - ۸ مهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۰۵:۱۲
- ...دارهای [[منطق ترکیبی]] است؛ بهویژه آنهایی که در فناوری [[ماسفت|فلز-اکسید-نیمرسانا]] (MOS) پیادهسازی میشوند. با بهرهبرداری از ذخیرهسازی موقت اطلاعات در ظر ...درک|date=July 2014}} فقط [[هسته ایستا|هستههای ایستا]]_ سیپییوهایی که با فناوری کاملاً ثابت طراحی شدهاند_ بهدلیل [[سختکاری تابشی]] بالاتر در ماهوارههای ...۱۶ کیلوبایت (۴۷۴ واژه) - ۹ مارس ۲۰۲۵، ساعت ۱۲:۱۵
- ...ا بر عملکرد دستگاه شناسایی کرد. این فرایند امکان پیشبینی ویژگیهای دقیق [[نیمرسانا|نیمههادیها]] را فراهم میکند. فناوری امروزی همچنین امکان ایجاد زنجیرهای از آداتومها بر روی سطوح سیلیکونی فراهم ...۱۳ کیلوبایت (۲۴۷ واژه) - ۹ فوریهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۰۵:۱۷
- ...ent/Crydom_172/PDF/Crydom_WP_Forced_Air.pdf}}</ref> با توجه به دو افزاره [[نیمرسانا]] در یک بسته، مقاومت پیوند به محیطی (R<sub>θJ-C</sub>) پایینتر نشان دهنده با توجه به پیشرفتهای فناوری اخیر و علاقه عمومی، بازار گرماگیر [[خردهفروشی]] به بالاترین حد خود رسیده ا ...۲۶ کیلوبایت (۶۵۸ واژه) - ۲۴ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۱:۳۸
- فناوری پایه و اساس استرین گیجها بهطور متداول در ساخت [[سنسور فشار|حسگرهای فشار]] ...ه میکنند. در صنعت توربو ماشین، یکی از گزینههای استفاده شده برای جایگزینی فناوری استرین گیج در اندازهگیری ارتعاشات روی سختافزار چرخان، [[:en:Non-intrusive ...۲۹ کیلوبایت (۵۲۴ واژه) - ۲۵ ژانویهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۰۲:۴۹
- ...] در ۱۹۱۶ طی مقالهای مطرح کرد ولی سالهای نسبتاً زیادی طول کشید تا صنعت و فناوری امکان ساخت نخستین لیزر را فراهم کند. [[چارلز تاونز]] در سال ۱۹۵۳ [[میزر]] ( از سال ۱۹۶۶ لیزر نیمرسانا در [[مخابرات نوری]] در [[ژاپن]] و [[آمریکا]] مورد توجه قرار گرفت و نسبت به ...۳۲ کیلوبایت (۸۴۷ واژه) - ۷ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۸:۰۷