نتایج جستجو
پرش به ناوبری
پرش به جستجو
تطبیق عنوان صفحه
- ...میکند. برخلاف [[سامانه فتوولتاییک|سیستمهای]] معمولی [[سامانه فتوولتاییک|فتوولتائیک]]، از عدسیها یا [[آینه خمیده|آینههای منحنی]] برای تمرکز نور خورشید بر روی در سال ۲۰۱۶، تأسیسات تجمعی فتوولتائیک کنستانتره به ۳۵۰ [[وات|مگاوات]] (مگاوات) رسیدهاست، یعنی کمتر از ۰٫۲٪ ظرفیت ...۵۸ کیلوبایت (۲٬۳۱۱ واژه) - ۴ ژانویهٔ ۲۰۲۳، ساعت ۲۲:۰۰
- ...ئیکهای باند میانی''' {{به انگلیسی|Intermediate band photovoltaics}} یا '''فتوولتائیکها با باند میانی''' در تحقیقات [[سلول خورشیدی|سلولهای خورشیدی]] روشهایی ر ...345402|issn=0957-4484|pmid=23912379}}</ref> و مواد [[سلول خورشیدی پروسکایت|فتوولتائیک مبتنیبر پروسکایت،]] شرایط بالقوه مطلوبی را برای تحقق نیمرساناهای آیبی نش ...۲۱ کیلوبایت (۱٬۲۴۵ واژه) - ۲ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۵:۴۱
تطبیق متن مقاله
- [[رده:فتوولتائیک]] ...۳ کیلوبایت (۱۳۲ واژه) - ۲۲ مارس ۲۰۲۳، ساعت ۱۲:۵۲
- * [[اثر فتوولتائیک غیرعادی]] ...۳ کیلوبایت (۱۲۲ واژه) - ۱۴ ژوئیهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۹:۵۱
- ...ency}} به بخشی از انرژی به شکل نور خورشید اشاره دارد که میتواند از طریق [[فتوولتائیک]] توسط [[سلول خورشیدی]] به الکتریسیته تبدیل شود. بازده سلولهای خورشیدی مورد استفاده در یک [[سامانه فتوولتایی|سیستم فتوولتائیک]]، در ترکیب با [[عرض جغرافیایی]] و آبوهوا، خروجی انرژی سالانه سیستم را تعی ...۱۶ کیلوبایت (۶۲۱ واژه) - ۲۲ مارس ۲۰۲۳، ساعت ۱۵:۵۹
- ...ر آن یک نیمرسانا در معرض نوری قرار میگیرد که از طریق [[اثر فتوولتایی|اثر فتوولتائیک]] به الکتریسیته تبدیل میشود. ...۸ کیلوبایت (۱۴۱ واژه) - ۱۹ ژوئیهٔ ۲۰۲۲، ساعت ۱۱:۰۹
- ...میکند. برخلاف [[سامانه فتوولتاییک|سیستمهای]] معمولی [[سامانه فتوولتاییک|فتوولتائیک]]، از عدسیها یا [[آینه خمیده|آینههای منحنی]] برای تمرکز نور خورشید بر روی در سال ۲۰۱۶، تأسیسات تجمعی فتوولتائیک کنستانتره به ۳۵۰ [[وات|مگاوات]] (مگاوات) رسیدهاست، یعنی کمتر از ۰٫۲٪ ظرفیت ...۵۸ کیلوبایت (۲٬۳۱۱ واژه) - ۴ ژانویهٔ ۲۰۲۳، ساعت ۲۲:۰۰
- ...ئیکهای باند میانی''' {{به انگلیسی|Intermediate band photovoltaics}} یا '''فتوولتائیکها با باند میانی''' در تحقیقات [[سلول خورشیدی|سلولهای خورشیدی]] روشهایی ر ...345402|issn=0957-4484|pmid=23912379}}</ref> و مواد [[سلول خورشیدی پروسکایت|فتوولتائیک مبتنیبر پروسکایت،]] شرایط بالقوه مطلوبی را برای تحقق نیمرساناهای آیبی نش ...۲۱ کیلوبایت (۱٬۲۴۵ واژه) - ۲ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۵:۴۱
- ...می]] با وضوح بالا در دمای پایین (کمتر از ۱۰۰ درجه سانتیگراد) که با عملکرد فتوولتائیک سازگار است نشان داد که CH <sub>3</sub> NH <sub>3</sub> PbI <sub>3</sub> برگ ...۱۲ کیلوبایت (۱٬۰۴۳ واژه) - ۱۴ مارس ۲۰۲۵، ساعت ۰۲:۱۴
- * [[نانولولههای کربنی در فتوولتائیک]] ...۱۶ کیلوبایت (۶۱۲ واژه) - ۲۰ ژانویهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۱۶:۱۷
- [[رده:فتوولتائیک]] ...۲۶ کیلوبایت (۹۳ واژه) - ۱۷ دسامبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۰:۱۵
- ...همچنین میتواند به عنوان لایه [[نیمرسانا|نیمه هادی]] نوع n در سلول های [[فتوولتائیک]] عمل کند. ...۲۰ کیلوبایت (۹۹۳ واژه) - ۱۰ دسامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۵:۲۷
- [[رده:فتوولتائیک]] ...۵۰ کیلوبایت (۱٬۷۹۹ واژه) - ۳۱ ژانویهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۲۰:۱۰