نتایج جستجو

پرش به ناوبری پرش به جستجو
نمایش (۲۰تای قبلی | ) (۲۰ | ۵۰ | ۱۰۰ | ۲۵۰ | ۵۰۰)
  • ...نزیستور]] اصلی، به دست می‌دهد و در حالت [[تراشه|مجتمع]] فضای کمتری از دو [[ترانزیستور]] جداگانه اشغال می‌کند. هم‌چنین این ترکیب مقاومت ورودی به مراتب بزرگتری از یک ترکیب مشابه اما با دو نوع مختلف [[ترانزیستور]] (NPN و PNP) [[زوج زیکلای]] نام دارد که گاهی، مکمل دارلینگتون نیز نامیده م ...
    ۶ کیلوبایت (۱۰۱ واژه) - ۱۵ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۲۰:۴۸
  • '''آستابل''' (به [[زبان انگلیسی|انگلیسی]]: ''astable'') یکی از انواع '''مولتی‌ویبراتورها''' است. آستابل دارای دو حالت است که هر دو حالت ناپایدار آستابل را می‌توان به کمک [[ترانزیستور]]، [[تقویت کننده عملیاتی]] و [[تراشه زمان‌سنج ۵۵۵]] ساخت. ...
    ۴ کیلوبایت (۱۲۷ واژه) - ۱۱ اکتبر ۲۰۲۱، ساعت ۱۹:۰۵
  • [[پرونده:BJT PNP symbol (case).svg|قاب|چپ|یک ترانزیستور PNP]] [[پرونده:BJT NPN symbol (case).svg|قاب|چپ|یک ترانزیستور NPN]] ...
    ۱۵ کیلوبایت (۱۱۹ واژه) - ۲۱ دسامبر ۲۰۲۳، ساعت ۲۱:۱۵
  • ...ننده عملیاتی|ورودی آفست جریان]] و [[ولتاژ آفست ورودی|ورودی آفست ولتاژ]] با انواع مختلف سنسورها تغییر می‌کند، که نیاز به پیکربندی‌های مختلفی از تقویت‌کننده‌ه همچنین می‌توان با استفاده از [[ترانزیستور اثر میدان|ترانزیستور اثر میدانی]] برای عنصر بهره، یک تقویت کننده امپدانس‌انتقالی با اجزای گسسته ...
    ۵ کیلوبایت (۲۷۵ واژه) - ۴ دسامبر ۲۰۲۰، ساعت ۰۶:۴۴
  • ...یسی]]: Gummel–Poon model) یک [[مدل‌های ترانزیستور |مدل ترانزیستوری]] از [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی]] است. این اولین بار در مقاله‌ای منتشر شده توسط [[هرمان گومل ...م]] است. هنگامی که پارامترهای خاصی حذف شوند، مدل گومل-پون به مدل ساده‌تر [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|Ebers-Moll]] کاهش می‌یابد.<ref name="gummel">H. K. Gummel and ...
    ۶ کیلوبایت (۳۰۸ واژه) - ۱۸ آوریل ۲۰۲۰، ساعت ۱۳:۱۶
  • ...وتاه و بازده پایین به علت تلفات DC در قطعات الکترونیکی که عمده آن مربوط به ترانزیستور سری است، می‌باشد. ...ر خطای حاصل شده را جهت تنظیم ولتاژ خروجی به بیس [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|ترانزیستور]] اعمال می‌کند. ...
    ۷ کیلوبایت (۷۸ واژه) - ۳ مارس ۲۰۲۳، ساعت ۱۳:۰۰
  • ...ارهای پایه در الکترونیک|ف=پارامترهای مؤثر بر تقویت‌کننده‌های ترانزیستوری و انواع فیدبک|ص=۴۰}}</ref> ...ارهای پایه در الکترونیک|ف=پارامترهای مؤثر بر تقویت‌کننده‌های ترانزیستوری و انواع فیدبک|ص=۴۰}}</ref> ...
    ۳ کیلوبایت (۴۹ واژه) - ۲۰ ژوئن ۲۰۲۴، ساعت ۰۰:۱۳
  • ...ه:BJT_CE_load_line.svg|چپ|بندانگشتی| نمودار خط بار، نقطه کار در ناحیه فعال ترانزیستور را نشان می‌دهد]] ...ار جریانی را بدست آورد که فقط کمی با دما و با مشخصه‌های ترانزیستور مانند [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|β]] تغییرمی‌کند. ...
    ۲۴ کیلوبایت (۹۲۸ واژه) - ۷ اوت ۲۰۲۴، ساعت ۱۴:۲۳
  • == انواع منابع تغذیه == ...گیرد، خطی می‌گویند، اگرچه در ساختار آن از عناصر مداریِ غیرخطی مانند دیود و ترانزیستور استفاده شده‌است. ...
    ۹ کیلوبایت (۸۳ واژه) - ۲۰ اوت ۲۰۲۳، ساعت ۱۵:۵۲
  • '''ترانزیستور پیوندی اثر میدان''' یا '''جِی‌فِت''' {{انگلیسی| junction gate field-effect JFET ساده‌ترین نوع [[ترانزیستور اثر میدان]] است. می‌توان آن را به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی تحت کنترل یا به ...
    ۱۱ کیلوبایت (۲۲۸ واژه) - ۷ ژوئیهٔ ۲۰۲۳، ساعت ۱۵:۳۱
  • {{انواع حافظه}} ...اشه حافظه [[مدار مجتمع]] [[سیلیسیم|سیلیکونی]] ذخیره می شوند. این افزاره در انواع مختلف و با فناوری‌های مختلف ساخته می‌شود. ...
    ۱۹ کیلوبایت (۳۹۶ واژه) - ۱۴ فوریهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۰۸:۳۹
  • [[پرونده:Horn antenna types.svg|upright=۰٫۷|بندانگشتی|انواع آنتن شیپوری]] عملکرد آن مشابه با ترانزیستور [[تطبیق امپدانس]] است و اجازه می‌دهد بیشتر انرژی موج به سمت بیرون آنتن در ف ...
    ۹ کیلوبایت (۱۰۸ واژه) - ۳۰ ژانویهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۰۷:۱۷
  • ...شود. مینیمم‌های این پتانسیل، شبکه‌ای از نقاط جذب را روی سطح ایجاد می‌کنند. انواع مختلفی از نقاط جذب وجود دارد که هر یک با ساختار خاصی از سطح مرتبط هستند. به از میان این انواع نقاط جذب، نقاط پیج‌خوردگی (kink) نقش مهم‌تری در رشد بلور ایفا می‌کنند. [[چگ ...
    ۱۳ کیلوبایت (۲۴۷ واژه) - ۹ فوریهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۰۵:۱۷
  • == انواع == **** [[ترانزیستور]]ها ...
    ۲۳ کیلوبایت (۴۵۳ واژه) - ۸ ژوئیهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۰:۲۰
  • ...پایین وجود دارد. در بسیاری از سبک‌های منطقی رایج، مانند [[منطق ترانزیستور-ترانزیستور|تی‌تی‌ال]] و [[سیماس]] مرسوم، این اصل را می‌توان به‌صورت بیانیه‌ای بازنویسی ...[ماسفت|ترانزیستورهای سریع‌تر اِنماس]] استفاده می‌کند که بهینه‌سازی اندازهٔ ترانزیستور را بهبود می‌بخشد. منطق ایستا کندتر است؛ زیرا دو برابر [[بار الکتریکی|بار]] ...
    ۱۶ کیلوبایت (۴۷۴ واژه) - ۹ مارس ۲۰۲۵، ساعت ۱۲:۱۵
  • [[File:Point defects in crystal structures.svg|چپ|انگشتی|500px|انواع عیوب نقطه ای]] [[File:Bc635-transistor.png|thumb|ترانزیستور|136x136پیکسل]] ...
    ۱۴ کیلوبایت (۲۴۲ واژه) - ۳ ژوئن ۲۰۲۲، ساعت ۱۸:۰۹
  • == تحقق فیزیکی (انواع کیوبیت ها) == مشابه  یک بیت کلاسیکی که در آن حالت یک ترانزیستور در یک پردازنده ، مغناطیسی شدن سطح در یک [[درایو دیسک سخت|دیسک سخت]] و وجود ...
    ۱۲ کیلوبایت (۲۲۷ واژه) - ۶ مهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۹:۱۹
  • ...لیسی|active element}} است، برای تأمین انرژی مصرفی و [[بایاس کردن|بایاس]] [[ترانزیستور]]های خود به تغذیهٔ مستقیم نیاز دارد.<ref>کتاب مبانی الکترونیک، نویسنده: دکت ...اتی، خود از به‌هم پیوستن چند طبق [[تقویت‌کننده الکترونیکی|تقویت‌کنندهٔ]] [[ترانزیستور]]ی ساخته می‌شود و ناگزیر محدودیت‌هایی در بهرهٔ [[ولتاژ]]، [[مقاومت]] ورودی ...
    ۲۹ کیلوبایت (۴۹۴ واژه) - ۲۸ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۵:۵۲
  • با به‌کارگیری انواع مواد نیمه رسانا مانند [[ژرمانیم|ژرمانیوم]]، سیلیکون پلی کریستال، سیلیکون بی ...ا، پیزو-FETS، [[شتاب‌سنج|شتاب سنج]] حالت جامد و [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|ترانزیستور دو قطبی]] استفاده شده‌است. ...
    ۱۳ کیلوبایت (۵۳۹ واژه) - ۲۸ ژانویهٔ ۲۰۲۳، ساعت ۰۹:۰۹
  • در ۱۹۸۲،[[اتحادیه بین‌المللی مخابرات]] (ITU) انواع مدولاسیون دامنه را طراحی کرد: ...سیگنال‌های مدوله شده توسط فرایند سیگنال دیجیتالی تولید می‌شوند(DSP) با DSP انواع زیادی از مدولاسیون AM با کنترل نرم‌افزاری ممکن است تولید شوند. (که شامل حام ...
    ۱۴ کیلوبایت (۴۱۵ واژه) - ۲۱ ژوئیهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۲۰:۰۶
نمایش (۲۰تای قبلی | ) (۲۰ | ۵۰ | ۱۰۰ | ۲۵۰ | ۵۰۰)