نتایج جستجو

پرش به ناوبری پرش به جستجو
  • در یک استفاده معمولی، در[[ساخت ادوات نیم‌رسانا|ساخت ادوات نیم رسانا]]، یک ماسک می‌تواند به‌طور انتخابی یک لایه مقاوم به نو ...از کاربردهای رایج ابزارهای FIB برای تأیید طراحی یا تحلیل خرابی افزاره‌های نیم‌رسانا است. تأیید طراحی ترکیبی از حذف انتخابی مواد با لایه‌نشانی مواد رسانا، [[دی‌ ...
    ۱۲ کیلوبایت (۲۳۶ واژه) - ۲۶ فوریهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۰۹:۰۱
  • ...این اغلب به حامل‌های دهنده نیاز دارد.<ref name="ref8" /> سه روش فعلی ساخت افزاره‌های آی‌بی در زیر توضیح داده شده است. ...لیه توانسته‌اند بازدهی‌هایی تا ۱۸٫۳٪ تولید کنند، اگرچه این هنوز هم کمتر از افزاره‌های تک پیوندی قابل‌مقایسه است.<ref name="ref4"/> متأسفانه، ساختارهای کیودی چندی ...
    ۲۱ کیلوبایت (۱٬۲۴۵ واژه) - ۲ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۵:۴۱
  • ...ابراتی]] استفاده می‌شود. ایجاد یک سیگنال با فرکانس پایین‌تر با توان کمتر و افزاره‌های ارزان‌تر، و سپس استفاده از زنجیره ضریب‌کننده فرکانس برای تولید فرکانس خروجی ...نیکی|کلاس C]] کار می‌کنند و [[دیود]]ها. در مدارهای انتقال‌دهنده، بسیاری از افزاره‌های تقویت‌کننده ([[لامپ خلأ|لامپ‌های خلاء]] یا ترانزیستورها) به صورت غیرخطی عمل ...
    ۲۰ کیلوبایت (۴۹۷ واژه) - ۲۳ فوریهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۱۹:۵۶
  • * مصرف توان پایین نسبت به افزاره‌های تصویربرداری گرمایی با آشکارساز خنک‌شده. * افزاره‌های نیم‌رسانا<ref>{{Cite web|url=http://www.scd.co.il/SCD/Templates/showpage.asp?DBID=1&L ...
    ۱۲ کیلوبایت (۵۲۷ واژه) - ۳ دسامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۱:۱۸
  • [[پرونده:Diode-closeup.jpg|بندانگشتی|[[بلور]] مربعی شکل [[نیمرسانا|نیم‌رسانا]] در دیود]] ...ode/ | access-date=2023-07-18}}</ref> پایه‌ای که به [[نیم‌رسانای غیرذاتی | نیم‌رسانا]]ی N متصل است «کاتُد» و پایه‌ای که به نیم‌رسانای نوع P متصل است «آنُد» نام ...
    ۳۰ کیلوبایت (۲۷۶ واژه) - ۱۶ اکتبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۶:۳۸
  • ...ent/Crydom_172/PDF/Crydom_WP_Forced_Air.pdf}}</ref> با توجه به دو افزاره [[نیم‌رسانا]] در یک بسته، مقاومت پیوند به محیطی (R<sub>θJ-C</sub>) پایین‌تر نشان دهنده ...یکی|قطعه]] با استفاده از یک [[گیره سوسماری]] فلزی سنگین یا گیره مشابه است. افزاره‌های نیم‌رسانای نوین که برای مونتاژ با [[لحیم‌کاری فرونشینی]] طراحی شده‌اند، معم ...
    ۲۶ کیلوبایت (۶۵۸ واژه) - ۲۴ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۱:۳۸
  • ...دارهای [[منطق ترکیبی]] است؛ به‌ویژه آن‌هایی که در فناوری [[ماسفت|فلز-اکسید-نیم‌رسانا]] (MOS) پیاده‌سازی می‌شوند. با بهره‌برداری از ذخیره‌سازی موقت اطلاعات در ظر ...ترکیبی استفاده می‌شود، مربوط به استفاده از همان صفت‌هایی است که برای تشخیص افزاره‌های حافظه استفاده می‌شود؛ به‌عنوان مثال، [[حافظه دسترسی تصادفی ایستا|رم ایستا]] ...
    ۱۶ کیلوبایت (۴۷۴ واژه) - ۹ مارس ۲۰۲۵، ساعت ۱۲:۱۵
  • === افزاره‌های الکترونیکی === ...com/library/analogDialogue/Anniversary/8.html}}</ref> بنابراین یک [[دیود]] نیم‌رسانا معمولاً به عنوان منبع نویز با عبور جریان DC خاص از آن استفاده می‌شود. ...
    ۱۸ کیلوبایت (۶۶۷ واژه) - ۱۴ مارس ۲۰۲۵، ساعت ۰۲:۰۹
  • ...لکتریکی|رساناها]]، بالارفتن [[دما]] سبب افزایش مقاومت می‌شود ولی مقاومتِ [[نیم‌رسانا]]ها در دمای بالاتر کاهش می‌یابد. ...محسوب می‌شود. به‌طور ایدئال، [[رسانای الکتریکی|رساناهایی]] که برای اتّصال افزاره‌های الکتریکی استفاده می‌شود، باید مقاومت الکتریکی صفر داشته باشد، ولی در واقعیت ...
    ۳۸ کیلوبایت (۵۶۲ واژه) - ۹ دسامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۶:۵۱
  • ...QE-22, pp. 325–331.</ref> در این کار فرض کرده بودند که شکل پالس تنها توسط افزاره‌های کاواک تعیین می‌شود و نقش مدولاتور را نادیده گرفته بودند. اگرچه کارشان در مو ...ریباً پنجاهمش کار می‌کرد. دو سال بعد، گرادینین وگری یک آینهٔ جاذب اشباعی [[نیم‌رسانا|نیم رسانا]] را برای کمک به افزایش نرخ تکرار تا بیش از ۲ گیگاهرتز به کار برد ...
    ۳۹ کیلوبایت (۵۷۷ واژه) - ۲۷ ژانویهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۰۰:۱۵