نتایج جستجو
پرش به ناوبری
پرش به جستجو
- [[رده:نظریههای نوارها]] ...۲ کیلوبایت (۶۸ واژه) - ۲۸ نوامبر ۲۰۲۴، ساعت ۰۹:۳۴
- ...، '''مدل تنگبست''' (یا تقریب '''بستگی قوی''') رویکردی برای محاسبه [[نظریه نوارها|ساختار نواری]] با استفاده از تقریب [[برهمنهی کوانتومی|برهمنهی]] [[تابع مو نام «تنگبست» در این [[نظریه نوارها|نظریه نواری]] نشان دهنده بستگی قوی بین الکترونهای این [[مکانیک کوانتومی|مد ...۱۲ کیلوبایت (۱٬۰۰۳ واژه) - ۲۲ مهٔ ۲۰۲۴، ساعت ۱۵:۳۳
- [[رده:نظریههای نوارها]] ...۹ کیلوبایت (۲۵۹ واژه) - ۵ دسامبر ۲۰۲۴، ساعت ۱۶:۴۹
- [[رده:نظریههای نوارها]] ...۸ کیلوبایت (۵۹۵ واژه) - ۱۹ آوریل ۲۰۲۳، ساعت ۰۳:۱۶
- [[رده:نظریههای نوارها]] ...۱۰ کیلوبایت (۲۲۹ واژه) - ۷ ژانویهٔ ۲۰۲۳، ساعت ۲۰:۳۱
- ...ای اتمی نزدیک به سطح یافت میشوند. خاتمه مواد با سطح منجر به تغییر [[نظریه نوارها|ساختار نوار الکترونیکی]] از مواد فله به [[خلأ]] میشود. در پتانسیل تضعیف شد ...مثال SP 3 هیبریدی در Si یا Ge، به شدت با حضور سطح تحت تأثیر قرار میگیرد، نوارها شکسته میشوند، و لبهای [[باقی مانده]] از اوربیتالها از سطح جدا میشوند. آ ...۲۷ کیلوبایت (۸۸۰ واژه) - ۲ ژانویهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۱۳:۱۳
- ...از مالش شیشه، و دیگری از مالش رزین. دوفی نتیجه گرفت که الکتریسیته از دو [[نظریههای اتر|شار الکتریکی]] با نامهای «ویترئوس» و «رزینوس» تشکیل شدهاست که مالش با از سوی دیگر [[پیوند فلزی|فلزات]] یک [[نظریه نوارها|ساختار نوار الکترونیکی]] دارند که عبارت است از نوارهای الکترونیکی نیمهپر. ...۱۶۸ کیلوبایت (۷٬۸۴۱ واژه) - ۸ فوریهٔ ۲۰۲۵، ساعت ۱۷:۵۰