نتایج جستجو

...rxiv=1108.3150|bibcode=2011NatPh...7..767B|doi=10.1038/nphys2079}}</ref> [[مغناطومقاومت]] بزرگ در سطح منفی،<ref name="spinorbit">{{Cite journal|last=Ben Shalom|las ...

یک سلول از حافظه دسترسی-تصادفی [[مغناطومقاومت]] (MRAM) ساختاری شبیه به حسگر چرخشی دارد. مقدار بیت‌های ذخیره شده را می‌توا [[رده:مغناطومقاومت]] ...

...f> اتصال [[الکترود]] به نمونه اجازه می‌دهد تا اندازه‌گیری‌های الکتریکی و [[مغناطومقاومت|مغناطیسی]] و همچنین گرم کردن نمونه تا چند هزار درجه انجام شود. دماهای بسیار ...