نتایج جستجو

...ای''' [[مدار الکترونیکی]] معروفی است که برای تحلیل رفتار [[سیگنال کوچک]] [[ترانزیستور|ترانزیستورها]] به کار می‌رود. این مدل برای اولین بار در سال ۱۹۶۹ توسط [[جیا == پارامترهای ترانزیستور دو قطبی == ...

* [[مدل‌های ترانزیستور]] [[رده:مدلسازی ترانزیستور]] ...

...را ببندد، بنابراین یک ولتاژ تخلیه بالا می‌تواند گلوگاه را باز کرده و زودتر ترانزیستور را روشن کند. [[رده:مدلسازی ترانزیستور]] ...

...''' {{به انگلیسی|threshold voltage}} معمولاً به عنوان V_th، یک [[ترانزیستور اثر میدان]] (FET)، حداقل ولتاژ گیت به سورس ولتاژ آستانه گیت-سورس <sub>(th)< ...گز خاموش نشود. برخلاف ''گرفتگی''، اصطلاح ''ولتاژ آستانه'' واضح است و در هر ترانزیستور اثر میدانی به همان مفهوم اشاره دارد. ...

...یسی]]: Gummel–Poon model) یک [[مدل‌های ترانزیستور |مدل ترانزیستوری]] از [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی]] است. این اولین بار در مقاله‌ای منتشر شده توسط [[هرمان گومل ...م]] است. هنگامی که پارامترهای خاصی حذف شوند، مدل گومل-پون به مدل ساده‌تر [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|Ebers-Moll]] کاهش می‌یابد.<ref name="gummel">H. K. Gummel and ...

[[پرونده:BJT PNP symbol (case).svg|قاب|چپ|یک ترانزیستور PNP]] [[پرونده:BJT NPN symbol (case).svg|قاب|چپ|یک ترانزیستور NPN]] ...

...''' [[جریان الکتریکی|جریانی]] بین سورس و درین یک [[ماسفت]] است هنگامی که [[ترانزیستور]] در ناحیه زیرآستانه یا ناحیه [[ماسفت|وارونگی ضعف]] قرار دارد، یعنی برای [[ ...زیرآستانه]] تعریف می شود. شیب زیرآستانه به عنوان شاخصی برای بازدهی کلیدزنی ترانزیستور استفاده می شود.<ref>''Physics of Semiconductor Devices'', S. M. Sze. New Yo ...

...های منحصر به فرد سبب شده، ساخت ممریستور نوید تحولی بزرگتر از تحول اختراع [[ترانزیستور]] در قرن بیستم بدهد.<ref>{{یادکرد وب|عنوان=The memristor, a resistor with a ...ده از دستگاه‌هایی که می‌تواند ۱۰۰ گیگابایت را در یک سانتیمتر مربع قرار دهد مدلسازی کرد و طرح سه بعدی با مقیاس‌پذیری بالایی را طراحی نمود (متشکل از ۱۰۰ لایه یا ...