نمایش مبدأ برای نیم‌رسانای ذاتی

'''نیم‌رسانای ذاتی''' {{انگلیسی|Intrinsic semiconductor}} به [[نیمه‌رسانا|نیم‌رسانا]]هایی گفته می‌شود که حاوی هیچ‌گونه ناخالصی نباشند. در این نیم‌رساناها تعداد [[الکترون]]‌های [[نوار رسانش]] دقیقاً برابر با تعداد [[حفره]]‌ها در [[نوار ظرفیت]] است.

تعداد الکترون‌ها یا حفره‌ها در این مواد، غلظت حامل ذاتی نامیده می‌شود که آن را می‌توان از انتگرال‌گیری ضرب احتمال پُر بودن حالت انرژی E (که از [[تابع فرمی]] به‌دست می‌آید) در دانسیته حالت آن انرژی بر روی تمام انرژی‌های برابر یا بیشتر از لبهٔ جذب رسانش به‌دست آورد:

<math>n_{i}=\int_{E_{c}}^{\infty}{f(E)g(E)dE}</math>
== منابع ==
{{چپ‌چین}}
* Angus Rockett, ''The Materials Science of Semiconductors'', Springer Science+Business Media, LLC, 2008. {{ISBN|978-0-387-25653-5|en}}
{{پایان چپ‌چین}}
== جستارهای وابسته ==
* [[نیمه‌رسانای غیرذاتی]]

{{فیزیک-خرد}}

[[رده:انواع نیمه‌رساناها]]
[[رده:نیمه‌رساناها]]