نمایش مبدأ برای قابلیت مغناطیسی

در [[الکترومغناطیس]]، '''حساسیت مغناطیسی''' میزان [[مغناطش|مغناطیسی]] شدن یک ماده در [[میدان مغناطیسی]] اعمال شده‌است. نسبت مغناطش {{ریاضی|'''M'''}} ([[گشتاور مغناطیسی|ممان مغناطیسی]] در واحد حجم) به شدت میدان مغناطیسی اعمال شده {{ریاضی|'''H'''}} است. این اجازه می‌دهد تا یک طبقه‌بندی ساده، به دو دسته، از پاسخ‌های بیشتر مواد به یک میدان مغناطیسی اعمال شده: یک تراز با میدان مغناطیسی، {{ریاضی|''χ'' > ۰}}، به نام [[پارامغناطیس]]، یا یک تراز در برابر میدان، {{ریاضی|''χ'' < ۰}}، به نام [[دیامغناطیس]].

حساسیت مغناطیسی نشان می‌دهد که آیا یک ماده به یک میدان مغناطیسی جذب یا دفع می‌شود. مواد پارامغناطیس با میدان اعمال شده همسو می‌شوند و به مناطقی با میدان مغناطیسی بزرگتر جذب می‌شوند. مواد دیامغناطیس ضد تراز هستند و به سمت مناطقی با میدان‌های مغناطیسی پایین‌تر رانده می‌شوند. در بالای میدان اعمال شده، مغناطش مواد میدان مغناطیسی خود را اضافه می‌کند و باعث می‌شود [[خط میدان|خطوط میدان]] در پارامغناطیس متمرکز شوند یا در دیامغناطیس حذف شوند.<ref>Roger Grinter, ''The Quantum in Chemistry: An Experimentalist's View'', John Wiley & Sons, 2005, {{شابک|0470017627}} page 364</ref> اندازه‌گیری‌های کمی حساسیت مغناطیسی نیز بینشی در مورد [[ساختار مواد]] ارائه می‌دهد و بینشی را در مورد [[تراز انرژی|سطوح]] [[پیوند شیمیایی|پیوند]] و انرژی ارائه می‌کند. علاوه بر این به‌طور گسترده‌ای در [[زمین‌شناسی]] برای مطالعات [[دیرینه‌مغناطیس‌شناسی|دیرینه مغناطیسی]] و [[زمین‌شناسی ساختاری]] استفاده می‌شود.<ref name=":0">{{Cite book}}</ref>

خاصیت مغناطیسی مواد از خواص مغناطیسی سطح اتمی ذرات ساخته شده از آنها ناشی می‌شود. معمولاً گشتاورهای مغناطیسی [[الکترون]]‌ها بر این غالب هستند. الکترون‌ها در همه مواد وجود دارند، اما بدون هیچ میدان مغناطیسی خارجی، گشتاورهای مغناطیسی الکترون‌ها معمولاً به صورت جفت یا تصادفی انجام می‌شوند به طوری که مغناطیس کلی صفر است (به استثنای این مورد معمول [[فرومغناطیس]] است). دلایل اساسی که چرا گشتاورهای مغناطیسی الکترون‌ها به یک خط می‌رسند یا نیستند، بسیار پیچیده هستند و با [[فیزیک کلاسیک]] قابل توضیح نیستند. با این حال، یک ساده‌سازی مفید اندازه‌گیری حساسیت مغناطیسی یک ماده و اعمال [[معادلات ماکسول|شکل ماکروسکوپی معادلات ماکسول]] است. این به فیزیک کلاسیک اجازه می‌دهد تا پیش‌بینی‌های مفیدی انجام دهد و در عین حال از جزئیات [[مکانیک کوانتومی|مکانیکی کوانتومی]] خودداری کند.

== تعریف ==
=== قابلیت حجمی ===
قابلیت مغناطیسی یک ثابت تناسب بدون بعد است که درجه مغناطیسی یک ماده را در پاسخ به میدان مغناطیسی اعمال شده نشان می‌دهد. یک اصطلاح مرتبط مغناطیسی پذیری است، نسبت بین [[گشتاور مغناطیسی]] و [[میدان مغناطیسی|چگالی شار مغناطیسی]].<ref>{{Cite encyclopedia|year=1997|title=magnetizability, {{math|''ξ''}}|encyclopedia=IUPAC Compendium of Chemical Terminology—The Gold Book|publisher=[[International Union of Pure and Applied Chemistry]]|edition=2nd|url=http://goldbook.iupac.org/search.py?search_text=magnetizability|accessdate=2011-10-13|archiveurl=https://web.archive.org/web/20160304070609/http://goldbook.iupac.org/search.py?search_text=magnetizability|archivedate=2016-03-04}}</ref> یک پارامتر نزدیک به هم [[تراوایی مغناطیسی|نفوذپذیری]] است که مغناطیسی کل مواد و حجم را بیان می‌کند.

''حساسیت مغناطیسی حجمی'' که با نماد {{ریاضی|''χ''<sub>v</sub>}} نشان داده می‌شود (اغلب به سادگی {{ریاضی|''χ''}}، گاهی {{ریاضی|''χ''<sub>m</sub>}}- مغناطیسی، برای تشخیص از [[پذیرفتاری الکتریکی|حساسیت الکتریکی]])، در [[دستگاه بین‌المللی یکاها|سیستم بین‌المللی واحدها]] تعریف شده‌است- در سیستم‌های دیگر ممکن است ثابت‌های اضافی وجود داشته باشد - با رابطه زیر:<ref>{{Cite book}}</ref><ref>{{Cite book}}</ref>

<math>\mathbf{M} = \chi_\text{v} \mathbf{H}.</math>

M مغناطش مواد (ممان دوقطبی مغناطیسی در واحد حجم)، با واحد آمپر بر متر است،

H قدرت میدان مغناطیسی است، همچنین با واحد آمپر بر متر.

بنابراین χv یک [[کمیت بدون بعد]] است

با استفاده از [[یکاهای الکترومغناطیس اس‌آی|واحدهای SI]]، [[میدان مغناطیسی|القای مغناطیسی]] {{ریاضی|'''B'''}} با رابطه به {{ریاضی|'''H'''}} مرتبط است.

<math>\Beta=\mu0(\Eta+\Mu)=\mu0(1+\chi\nu)\Eta=\mu\Eta </math>

که در آن {{ریاضی|''μ''<sub>0</sub>}} [[ثابت تراوایی خلأ|نفوذپذیری خلاء]] است (جدول [[ثابت فیزیکی|ثابت‌های فیزیکی]] را ببینید)، و {{ریاضی|(۱ + ''χ''<sub>v</sub>)}} [[تراوایی مغناطیسی|نفوذپذیری نسبی]] ماده است؛ بنابراین، ''حساسیت مغناطیسی حجم'' {{ریاضی|''χ''<sub>v</sub>}} و [[تراوایی مغناطیسی|نفوذپذیری مغناطیسی]] {{ریاضی|''μ''}} با فرمول زیر مرتبط هستند:

<math>\mu = \mu_0\left(1 + \chi_\text{v}\right).</math>

گاهی اوقات<ref>{{Cite web|last=Richard A. Clarke|url=http://info.ee.surrey.ac.uk/Workshop/advice/coils/mu/#itns|title=Magnetic properties of materials|publisher=Info.ee.surrey.ac.uk|accessdate=2011-11-08|archive-date=۳ ژوئن ۲۰۱۲|archive-url=https://web.archive.org/web/20120603060037/http://info.ee.surrey.ac.uk/Workshop/advice/coils/mu/#itns|url-status=dead}}</ref> یک کمیت کمکی به نام ''شدت مغناطیسی'' {{ریاضی|'''I'''}} (که به عنوان ''قطبش مغناطیسی'' {{ریاضی|'''J'''}} نیز شناخته می‌شود) و با واحد [[تسلا (یکا)|تسلا]]، به صورت تعریف می‌شود.

<math>\mathbf{I} = \mu_0 \mathbf{M} .</math>

ین اجازه می‌دهد تا توصیف جایگزینی از همه پدیده‌های مغناطیسی بر حسب کمیت‌های {{ریاضی|'''I'''}} و {{ریاضی|'''B'''}}، برخلاف {{ریاضی|'''M'''}} و {{ریاضی|'''H'''}} که معمولاً استفاده می‌شود، ارائه دهد.

=== قابلیت مولی و قابلیت جرمی ===
دو معیار دیگر از حساسیت وجود دارد، ''حساسیت مغناطیسی مولی'' {{ریاضی|''χ''<sub>m</sub>}}) با واحد <sup>m3</sup> /mol، و ''حساسیت مغناطیسی جرمی'' {{ریاضی|''χ''<sub>ρ</sub>}}) با واحد <sup>m3</sup> /kg که در زیر تعریف شده‌اند، که {{ریاضی|''ρ''}} [[چگالی]] با واحد است. kg/ <sup>m3</sup> و {{ریاضی|''M''}} [[جرم مولی]] با واحد kg/mol است:

<math>\begin{align}
  \chi_\rho &= \frac{\chi_\text{v}}{\rho}; \\
   \chi_\text{m} &= M\chi_\rho = \frac{M}{\rho} \chi_\text{v}.
\end{align}</math>

== در واحدهای CGS ==
تعاریف فوق بر اساس [[سیستم بین‌المللی اندازه‌گیری کمیت‌ها|سیستم بین‌المللی مقادیر]] (ISQ) است که [[دستگاه بین‌المللی یکاها|SI]] بر اساس آن است. با این حال، بسیاری از جداول حساسیت مغناطیسی مقادیر مربوط به سیستم [[دستگاه واحدهای سانتیمتر–گرم–ثانیه|CGS]] را نشان می‌دهد (به‌طور خاص [[دستگاه واحدهای سانتیمتر–گرم–ثانیه|CGS-EMU]]، مخفف واحدهای الکترومغناطیسی، یا [[:en:Gaussian_units|Gaussian-CGS]]؛ هر دو در این زمینه یکسان هستند). مقادیری که نفوذپذیری فضای آزاد را برای هر سیستم مشخص می‌کنند، معادلات تعریف کننده متفاوتی دارند:<ref name="bennett3">{{Cite journal|last=Bennett, L. H.|last2=Page, C. H.|last3=Swartzendruber, L. J.|year=1978|title=Comments on units in magnetism|journal=Journal of Research of the National Bureau of Standards|publisher=[[NIST]], USA|volume=83|issue=1|pages=9–12|doi=10.6028/jres.083.002|pmc=6752159|pmid=34565970|doi-access=free}}</ref>

<math>\mathbf{B}^\text{CGS} = \mathbf{H}^\text{CGS} + 4\pi\mathbf{M}^\text{CGS} = \left(1 + 4\pi\chi_\text{v}^\text{CGS}\right) \mathbf{H}^\text{CGS} .</math>

حساسیت CGS مربوطه در ۴ {{پی}} ضرب می‌شود تا کمیت‌های ISQ مربوطه (اغلب به عنوان کمیت‌های SI نامیده می‌شود) با واحدهای یکسان بدست آید:<ref name="bennett">{{Cite journal|last=Bennett, L. H.|last2=Page, C. H.|last3=Swartzendruber, L. J.|year=1978|title=Comments on units in magnetism|journal=Journal of Research of the National Bureau of Standards|publisher=[[NIST]], USA|volume=83|issue=1|pages=9–12|doi=10.6028/jres.083.002|pmc=6752159|pmid=34565970|doi-access=free}}</ref>

<math>\chi_\text{m}^\text{SI} = 4\pi\chi_\text{m}^\text{CGS}

</math>

<math>\chi_\text{v}^\text{SI} = 4\pi\chi_\text{v}^\text{CGS}</math>

<math>\chi_\text{ρ}^\text{SI} = 4\pi\chi_\text{ρ}^\text{CGS}</math>

به عنوان مثال، حساسیت مغناطیسی حجم CGS آب در ۲۰درجه سانتیگراد {{Val|7.19e-7}} است که با استفاده از قرارداد [[دستگاه بین‌المللی یکاها|SI]] {{Val|9.04e-6}} است، هر دو کمیت بدون بعد هستند. در حالی که برای اکثر کمیت‌های الکترومغناطیسی، سیستم کمیت‌ها متعلق به کدام سیستم می‌تواند با ناسازگاری واحدهای آنها ابهام‌زدایی کند، این در مورد کمیت‌های حساسیت صادق نیست.

در فیزیک معمول است که حساسیت جرمی CGS را با واحد <sup>cm3</sup> /g یا emu/g⋅Oe <sup>-1</sup> و حساسیت مولی CGS را با واحد <sup>cm3</sup> /mol یا emu/mol⋅Oe <sup>-1</sup> مشاهده کنیم.

== پارامغناطیس و دیامغناطیس ==
اگر {{ریاضی|''χ''}} مثبت باشد، یک ماده می‌تواند [[پارامغناطیس]] باشد. در این حالت میدان مغناطیسی در ماده با مغناطش القایی تقویت می‌شود. متناوباً، اگر {{ریاضی|''χ''}} منفی باشد، ماده [[دیامغناطیس]] است. در این حالت میدان مغناطیسی در ماده با مغناطش القایی ضعیف می‌شود. به‌طور کلی، مواد غیر مغناطیسی پارا یا دیامغناطیسی هستند زیرا بدون میدان مغناطیسی خارجی دارای خاصیت مغناطیسی دائمی نیستند. مواد [[فرومغناطیس|فرومغناطیسی]]، [[فری‌مغناطیس|فری مغناطیسی]] یا [[ضدفرومغناطیس|ضد فرومغناطیسی]] حتی بدون میدان مغناطیسی خارجی دارای خاصیت مغناطیسی دائمی هستند و حساسیت میدان صفر مشخصی ندارند.

=== اندازه‌گیری تجربی ===
حساسیت مغناطیسی حجم با تغییر نیروی احساس شده بر روی یک ماده زمانی که یک گرادیان میدان مغناطیسی اعمال می‌شود اندازه‌گیری می‌شود.<ref>{{Cite book}}</ref> اندازه‌گیری‌های اولیه با استفاده از [[ترازوی گوی|گوی بالانس]] که در آن نمونه ای بین قطب‌های یک الکترومغناطیس آویزان می‌شود. تغییر وزن هنگام روشن شدن الکترومغناطیس متناسب با حساسیت است. امروزه سیستم‌های اندازه‌گیری پیشرفته از یک [[ابررسانایی]] آهنربا. یک جایگزین این است که تغییر نیروی را در یک آهنربای فشرده قوی پس از قرار دادن نمونه اندازه‌گیری کنید. این سیستم که امروزه به‌طور گسترده‌ای مورد استفاده قرار می‌گیرد ،[[:en:Evans_balance|Evans balance]] (تعادل ایوانر).<ref>{{Cite web|url=http://www.sherwood-scientific.com/msb/msbindex.html|title=Magnetic Susceptibility Balances|publisher=Sherwood-scientific.com|accessdate=2011-11-08|archive-date=۱۶ ژوئیه ۲۰۱۱|archive-url=https://web.archive.org/web/20110716054122/http://www.sherwood-scientific.com/msb/msbindex.html|url-status=dead}}</ref> برای نمونه‌های مایع، حساسیت را می‌توان از وابستگی [[رزونانس مغناطیسی هسته‌ای|NMR]] فرکانس نمونه در شکل یا جهت‌گیری آن.<ref>{{Cite journal|last=J. R. Zimmerman, and M. R. Foster|year=1957|title=Standardization of NMR high resolution spectra|journal=J. Phys. Chem.|volume=61|issue=3|pages=282–289|doi=10.1021/j150549a006}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Robert Engel|last2=Donald Halpern|last3=Susan Bienenfeld|year=1973|title=Determination of magnetic moments in solution by nuclear magnetic resonance spectrometry|journal=Anal. Chem.|volume=45|issue=2|pages=367–369|doi=10.1021/ac60324a054|pmid=4762356}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Kuchel|first=P.W.|last2=Chapman|first2=B.E.|last3=Bubb|first3=W.A.|last4=Hansen|first4=P.E.|last5=Durrant|first5=C.J.|last6=Hertzberg|first6=M.P.|date=2003|title=Magnetic susceptibility: Solutions, emulsions, and cells|url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/cmr.a.10066|journal=Concepts in Magnetic Resonance|volume=18A|issue=1|pages=56–71|arxiv=q-bio/0601030|doi=10.1002/cmr.a.10066}}</ref><ref>{{Cite journal|last=K. Frei|last2=H. J. Bernstein|year=1962|title=Method for determining magnetic susceptibilities by NMR|journal=J. Chem. Phys.|volume=37|issue=8|pages=1891–1892|bibcode=1962JChPh..37.1891F|doi=10.1063/1.1733393}}</ref><ref>{{Cite journal|last=R. E. Hoffman|year=2003|title=Variations on the chemical shift of TMS|journal=J. Magn. Reson.|volume=163|issue=2|pages=325–331|bibcode=2003JMagR.163..325H|doi=10.1016/S1090-7807(03)00142-3|pmid=12914848}}</ref>

روش دیگری که از تکنیک‌های NMR استفاده می‌کند، اعوجاج میدان مغناطیسی را در اطراف نمونه غوطه ور در آب داخل اسکنر MR اندازه‌گیری می‌کند. این روش برای مواد دیامغناطیس با حساسیت‌های مشابه آب بسیار دقیق است.<ref name="Wapler_JMR2">{{Cite journal|last=Wapler|first=M. C.|last2=Leupold|first2=J.|last3=Dragonu|first3=I.|last4=von Elverfeldt|first4=D.|last5=Zaitsev|first5=M.|last6=Wallrabe|first6=U.|date=2014|title=Magnetic properties of materials for MR engineering, micro-MR and beyond|journal=JMR|volume=242|pages=233–242|arxiv=1403.4760|bibcode=2014JMagR.242..233W|doi=10.1016/j.jmr.2014.02.005|pmid=24705364}}</ref>

=== حساسیت تانسور ===
حساسیت مغناطیسی اکثر [[بلور|کریستال‌ها]] یک کمیت اسکالر نیست. پاسخ مغناطیسی {{ریاضی|'''M'''}} به جهت‌گیری نمونه بستگی دارد و می‌تواند در جهت‌هایی غیر از میدان اعمال شده {{ریاضی|'''H'''}} رخ دهد. در این موارد، حساسیت حجمی به عنوان یک [[تانسور]] تعریف می‌شود:

<math>M_i = H_j \chi_{ij}</math>

که در آن ''{{Mvar|i}}'' و ''{{Mvar|j}}'' به ترتیب به جهات (مثلاً [[دستگاه مختصات دکارتی|مختصات دکارتی]] ''{{Mvar|x}}'' و ''{{Mvar|y}}'') میدان اعمال شده و مغناطش اشاره دارند؛ بنابراین تانسور درجه ۲ (مرتبه دوم)، بعد (۳٬۳) است که مؤلفه مغناطیسی را در جهت ''{{Mvar|i}}'' از میدان خارجی اعمال شده در جهت ''{{Mvar|j}}'' توصیف می‌کند.

=== حساسیت افتراقی ===
در بلورهای [[فرومغناطیس|فرومغناطیسی]] رابطه بین {{ریاضی|'''M'''}} و {{ریاضی|'''H'''}} خطی نیست. برای تطبیق با این موضوع، از تعریف کلی تری از ''حساسیت دیفرانسیل'' استفاده می‌شود:

<math>\chi^{d}_{ij} = \frac{\partial M_i}{\partial H_j}</math>

جایی که {{ریاضی|''χ''{{su|p=''d''|b=''ij''}}}} تانسوری است که از [[مشتق جزئی|مشتقات جزئی]] اجزای {{ریاضی|'''M'''}} نسبت به اجزای {{ریاضی|'''H'''}} مشتق شده‌است. هنگامی که [[وادارندگی|اجبار]] ماده موازی با میدان اعمال شده کوچکتر از این دو باشد، حساسیت دیفرانسیل تابعی از میدان اعمال شده و برهمکنش‌های خود است، مانند [[:en:Magnetic_anisotropy|magnetic anisotropy]] (ناهمسانگردی مغناطیسی) هنگامی که ماده [[اشباع (مغناطیس)|اشباع]] نشده باشد، اثر غیرخطی خواهد بود و به پیکربندی [[:en:Domain_wall_(magnetism)|domain wall]] (دیوار دامنه) ماده بستگی دارد.

=== در حوزه فرکانس ===
هنگامی که حساسیت مغناطیسی در پاسخ به یک میدان مغناطیسی [[جریان متناوب|AC]] (یعنی میدان مغناطیسی که [[موج سینوسی|به صورت سینوسی]] تغییر می‌کند) اندازه‌گیری می‌شود، به این ''حساسیت AC'' می‌گویند. حساسیت AC (و "نفوذپذیری AC" مرتبط با آن) کمیت‌های [[عدد مختلط|اعداد مختلط]] هستند و پدیده‌های مختلفی مانند رزونانس را می‌توان در حساسیت AC مشاهده کرد که در حساسیت میدان ثابت ([[جریان مستقیم|DC]]) نمی‌تواند رخ دهد. به‌طور خاص، هنگامی که یک میدان AC عمود بر جهت تشخیص اعمال می‌شود (به نام "حساسیت عرضی" بدون توجه به فرکانس)، این اثر در فرکانس [[رزونانس فرومغناطیسی]] ماده با یک میدان اعمال شده ایستا معین به اوج می‌رسد. در حال حاضر، این اثر در ادبیات ''نفوذپذیری مایکروویو'' یا ''تشدید فرومغناطیسی شبکه'' نامیده می‌شود. این نتایج به پیکربندی [[دیوار دامنه (مغناطیس)|دیواره دامنه]] مواد و [[جریان گردابی|جریان‌های گردابی]] حساس هستند.

از نظر رزونانس فرومغناطیسی، اثر میدان AC اعمال شده در امتداد جهت مغناطیسی را ''پمپاژ موازی'' می‌نامند.

== جدول نمونه‌ها ==
{| class="wikitable"
|+
|
{| class="wikitable"
! rowspan="2" |Material
!<abbr>Temp.</abbr>
!Pressure
! colspan="2" |Molar susceptibility
! colspan="2" |Mass susceptibility
! colspan="2" |Volume susceptibility
!Molar mass
!Density
|-
!(°C)
!(atm)
!''χ''SI
m
(m<sup>3</sup>/mol)
!''χ''CGS
m
(cm<sup>3</sup>/mol)
!''χ''SI
ρ
(m<sup>3</sup>/kg)
!''χ''CGS
ρ
(cm<sup>3</sup>/g)
!''χ''SI
v
(1)
!''χ''CGS
v
(1)
!''M''
(g/mol)
!''ρ''
(g/cm<sup>3</sup>)
|-
|Helium
|۲۰
|۱
|−۲٫۳۸×10<sup>−11</sup>
|−۱٫۸۹×10<sup>−6</sup>
|−۵٫۹۳×10<sup>−9</sup>
|−۴٫۷۲×10<sup>−7</sup>
|−۹٫۸۵×10<sup>−10</sup>
|−۷٫۸۴×10<sup>−11</sup>
|۴٫۰۰۲۶
|۱٫۶۶×10<sup>−4</sup>
|-
|Xenon
|۲۰
|۱
|−۵٫۷۱×10<sup>−10</sup>
|−۴٫۵۴×10<sup>−5</sup>
|−۴٫۳۵×10<sup>−9</sup>
|−۳٫۴۶×10<sup>−7</sup>
|−۲٫۳۷×10<sup>−8</sup>
|−۱٫۸۹×10<sup>−9</sup>
|۱۳۱٫۲۹
|۵٫۴۶×10<sup>−3</sup>
|-
|Oxygen
|۲۰
|۰٫۲۰۹
| +۴٫۳×10<sup>−8</sup>
| +۳٫۴۲×10<sup>−3</sup>
| +۱٫۳۴×10<sup>−6</sup>
| +۱٫۰۷×10<sup>−4</sup>
| +۳٫۷۳×10<sup>−7</sup>
| +۲٫۹۷×10<sup>−8</sup>
|۳۱٫۹۹
|۲٫۷۸×10<sup>−4</sup>
|-
|Nitrogen
|۲۰
|۰٫۷۸۱
|−۱٫۵۶×10<sup>−10</sup>
|−۱٫۲۴×10<sup>−5</sup>
|−۵٫۵۶×10<sup>−9</sup>
|−۴٫۴۳×10<sup>−7</sup>
|−۵٫۰۶×10<sup>−9</sup>
|−۴٫۰۳×10<sup>−10</sup>
|۲۸٫۰۱
|۹٫۱۰×10<sup>−4</sup>
|-
|Air (NTP)
|۲۰
|۱
|
|
|
|
| +۳٫۶×10<sup>−7</sup>
| +۲٫۹×10<sup>−8</sup>
|۲۸٫۹۷
|۱٫۲۹×10<sup>−3</sup>
|-
|Water
|۲۰
|۱
|−۱٫۶۳۱×10<sup>−10</sup>
|−۱٫۲۹۸×10<sup>−5</sup>
|−۹٫۰۵۱×10<sup>−9</sup>
|−۷٫۲۰۳×10<sup>−7</sup>
|−۹٫۰۳۵×10<sup>−6</sup>
|−۷٫۱۹۰×10<sup>−7</sup>
|۱۸٫۰۱۵
|۰٫۹۹۸۲
|-
|Paraffin oil, 220–260 cSt
|۲۲
|۱
|
|
|−۱٫۰۱×10<sup>−8</sup>
|−۸٫۰×10<sup>−7</sup>
|−۸٫۸×10<sup>−6</sup>
|−۷٫۰×10<sup>−7</sup>
|
|۰٫۸۷۸
|-
|PMMA
|۲۲
|۱
|
|
|−۷٫۶۱×10<sup>−9</sup>
|−۶٫۰۶×10<sup>−7</sup>
|−۹٫۰۶×10<sup>−6</sup>
|−۷٫۲۱×10<sup>−7</sup>
|
|۱٫۱۹۰
|-
|PVC
|۲۲
|۱
|
|
|−۷٫۸۰×10<sup>−9</sup>
|−۶٫۲۱×10<sup>−7</sup>
|−۱٫۰۷۱×10<sup>−5</sup>
|−۸٫۵۲×10<sup>−7</sup>
|
|۱٫۳۷۲
|-
|Fused silica glass
|۲۲
|۱
|
|
|−۵٫۱۲×10<sup>−9</sup>
|−۴٫۰۷×10<sup>−7</sup>
|−۱٫۱۲۸×10<sup>−5</sup>
|−۸٫۹۸×10<sup>−7</sup>
|
|۲٫۲۰
|-
|Diamond
|r.t.
|۱
|−۷٫۴×10<sup>−11</sup>
|−۵٫۹×10<sup>−6</sup>
|−۶٫۲×10<sup>−9</sup>
|−۴٫۹×10<sup>−7</sup>
|−۲٫۲×10<sup>−5</sup>
|−۱٫۷×10<sup>−6</sup>
|۱۲٫۰۱
|۳٫۵۱۳
|-
|Graphite ''χ''<sub>⊥</sub>
|r.t.
|۱
|−۷٫۵×10<sup>−11</sup>
|−۶٫۰×10<sup>−6</sup>
|−۶٫۳×10<sup>−9</sup>
|−۵٫۰×10<sup>−7</sup>
|−۱٫۴×10<sup>−5</sup>
|−۱٫۱×10<sup>−6</sup>
|۱۲٫۰۱
|۲٫۲۶۷
|-
|Graphite ''χ''<sub>∥</sub>
|r.t.
|۱
|−۳٫۲×10<sup>−9</sup>
|−۲٫۶×10<sup>−4</sup>
|−۲٫۷×10<sup>−7</sup>
|−۲٫۲×10<sup>−5</sup>
|−۶٫۱×10<sup>−4</sup>
|−۴٫۹×10<sup>−5</sup>
|۱۲٫۰۱
|۲٫۲۶۷
|-
|Graphite ''χ''<sub>∥</sub>
|−۱۷۳
|۱
|−۴٫۴×10<sup>−9</sup>
|−۳٫۵×10<sup>−4</sup>
|−۳٫۶×10<sup>−7</sup>
|−۲٫۹×10<sup>−5</sup>
|−۸٫۳×10<sup>−4</sup>
|−۶٫۶×10<sup>−5</sup>
|۱۲٫۰۱
|۲٫۲۶۷
|-
|Aluminium
|
|۱
| +۲٫۲×10<sup>−10</sup>
| +۱٫۷×10<sup>−5</sup>
| +۷٫۹×10<sup>−9</sup>
| +۶٫۳×10<sup>−7</sup>
| +۲٫۲×10<sup>−5</sup>
| +۱٫۷۵×10<sup>−6</sup>
|۲۶٫۹۸
|۲٫۷۰
|-
|Silver
|۹۶۱
|۱
| +۲٫۳×10<sup>−10</sup>
| +۱٫۸×10<sup>−5</sup>
|
|
|−۲٫۳۱×10<sup>−5</sup>
|−۱٫۸۴×10<sup>−6</sup>
|۱۰۷٫۸۷
|
|-
|Bismuth
|۲۰
|۱
|−۳٫۵۵×10<sup>−9</sup>
|−۲٫۸۲×10<sup>−4</sup>
|−۱٫۷۰×10<sup>−8</sup>
|−۱٫۳۵×10<sup>−6</sup>
|−۱٫۶۶×10<sup>−4</sup>
|−۱٫۳۲×10<sup>−5</sup>
|۲۰۸٫۹۸
|۹٫۷۸
|-
|Copper
|۲۰
|۱
|
|
|−۱٫۰۷۸۵×10<sup>−9</sup>
|
|−۹٫۶۳×10<sup>−6</sup>
|−۷٫۶۶×10<sup>−7</sup>
|۶۳٫۵۴۶
|۸٫۹۲
|-
|Nickel
|۲۰
|۱
|
|
|
|
|۶۰۰
|۴۸
|۵۸٫۶۹
|۸٫۹
|-
|Iron
|۲۰
|۱
|
|
|
|
|۲۰۰۰۰۰
|۱۵۹۰۰
|۵۵٫۸۴۷
|۷٫۸۷۴
|}
|}

== منابع داده‌های منتشر شده ==
[[هندبوک شیمی و فیزیک سی‌آرسی|CRC Handbook of Chemistry and Physics]] یکی از معدود جداول حساسیت مغناطیسی منتشر شده را دارد. داده‌ها به عنوان مقادیر CGS فهرست شده‌اند. حساسیت مولی چندین عنصر و ترکیب در CRC ذکر شده‌است.

== کاربرد در علوم زمین ==
در [[علوم زمین|علم زمین]]، مغناطیس یک پارامتر مفید برای توصیف و تجزیه و تحلیل سنگ‌ها است. علاوه بر این، [[ناهمسان‌گردی|ناهمسانگردی]] حساسیت مغناطیسی (AMS) در یک نمونه پارامترهایی را به عنوان جهت جریان‌های دیرینه، بلوغ [[خاک فسیلی|پالئوسول]]، جهت جریان تزریق [[ماگما]]، کرنش [[زمین‌ساخت|تکتونیکی]]، و<ref name=":03">{{Cite book}}</ref> تعیین می‌کند. و جهت‌گیری ذرات مغناطیسی در یک نمونه.<ref>{{Cite journal|last=Borradaile|first=Graham John|date=December 1988|title=Magnetic susceptibility, petrofabrics and strain|journal=Tectonophysics|volume=156|issue=1–2|pages=1–20|bibcode=1988Tectp.156....1B|doi=10.1016/0040-1951(88)90279-X}}</ref>

== منابع ==
{{پانویس|۲}}

<!--- رده‌بندی --->
[[رده:مقاله‌های ایجاد شده توسط ایجادگر]]