نمایش مبدأ برای بایاس ترانزیستور دوقطبی

[[پرونده:BJT_CE_load_line.svg|چپ|بندانگشتی| نمودار خط بار، نقطه کار در ناحیه فعال ترانزیستور را نشان می‌دهد]]

[[بایاس کردن|'''بایاس''']] '''[[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|ترانزیستورهای دوقطبی]]''' باید به‌طور صحیح انجام‌شده باشند تا به درستی کارکنند. در مدارهای ساخته‌شده با قطعات مجزا (مدارهای گسسته)،معمولاً از شبکه‌های بایاس متشکل‌ از [[مقاومت (قطعه الکتریکی)|مقاومت]] بکارمی‌روند. چیدمان بسیار پیچیده‌ٔ بایاس‌سازی در [[مدار مجتمع|مدارهای مجتمع]] استفاده می‌شود؛ به عنوان مثال، [[مرجع ولتاژ شکاف‌باندی]] و [[آینه جریان|آینه‌های جریان]]. پیکربندی تقسیم ولتاژ با استفاده از مقاومت‌ها در الگوهای خاص، به ولتاژهای صحیح دست می‌یابد. با انتخاب مقدار مناسب مقاومت، می‌توان سطح پایدار جریانی را بدست آورد که فقط کمی با دما و با مشخصه‌های ترانزیستور مانند [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|β]] تغییرمی‌کند.

[[نقطه عملیاتی|نقطه کار]] یک قطعه، همچنین به عنوان ''نقطه بایاس''، ''نقطه'' ''ساکن'' یا ''[[بایاس کردن|نقطه-Q]] شناخته می‌شود''، نقطه‌ای مشخصه خروجی است که جریان کلکتور (''I''<sub>c</sub>) را برحسب [[جریان مستقیم|ولتاژ]] DC کلکتور-امیتر (''V''<sub>ce</sub>) نشان می‌دهد (بدون سیگنال ورودی اعمال شده).

== الزامات مدار بایاس ==
مدار بایاس نقطه کار ترانزیستور را برای تغییرات در مشخصات ترانزیستور و دمای کاری تثبیت می‌کند. بهره ترانزیستور می‌تواند به‌طور قابل ملاحظه‌ای بین بتاهای مختلف متفاوت باشد، که این امر باعث ایجاد نقاط کار بسیار متفاوت برای شماره‌های متوالی در تولید پشت سر هم یا پس از تعویض یک ترانزیستور می‌شود. توسط [[اثر ارلی]]، بهره جریان تحت تأثیر ولتاژ کلکتور-امیتر قرار می‌گیرد. هر دوی بهره و ولتاژ بیس-امیتر به دما بستگی دارد. [[جریان اشباع معکوس|جریان نشت]] نیز با افزایش دما افزایش می‌یابد. شبکه بایاس برای کاهش اثرات تغییرپذیری قطعه، [[دما]] و تغییرات ولتاژ انتخاب شده‌است.<ref>Paul Horowitz, Winfield Hill, ''The Art of Electronics Second Edition'', Cambridge University Press,1989, {{شابک۲|0-521-37095-7}},pp. 73-75</ref>

=== الزامات سیگنال برای تقویت‌کننده کلاس اِی ===
برای کار آنالوگ یک تقویت‌کننده کلاس A، نقطه Q جایی قرار می‌گیرد تا ترانزیستور در [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|''حالت فعال'']] بماند (در هنگام کار در ناحیه اشباع یا ناحیه قطع جابه‌جا نشود) وقتی از ورودی استفاده می‌شود. برای کار دیجیتالی، نقطه Q جایی قرار می‌گیرد تا ترانزیستور برعکس عمل کند - از حالت «روشن» (اشباع) به حالت «خاموش» (قطع) سوئیچ می‌شود. غالباً، نقطه Q در نزدیکی مرکز ناحیه فعال یک ترانزیستور مشخص می‌شود تا نوسانات سیگنال شبیه به هم در جهت مثبت و منفی امکان‌پذیر باشد.

=== ملاحظات گرمایی ===
در جریان ثابت، [[افت ولتاژ]] در پایه امیتر-بیس ''V''<sub>BE</sub> از یک ترانزیستور دو قطبی با مقدار ۲ میلی‌ولت (برای سیلیکون) و ۱٫۸ میلی‌ولت (برای ژرمانیم) برای هر ۱ افزایش درجه حرارت درجه حرارت (مرجع ۲۵ است [[سلسیوس|درجه سانتیگراد]]) ''کاهش می‌یابد.'' با استفاده از [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|مدل ابرز-مول]]، اگر ولتاژ بیس-امیتر ''V''<sub>BE</sub> ثابت نگه داشته شود و دما افزایش یابد، جریان از طریق دیود بیس-امیتر ''I''<sub>B</sub> افزایش می‌یابد، و در نتیجه جریان کلکتور ''I''<sub>C</sub> نیز افزایش می‌یابد. بسته به نقطه بایاس، توان اتلاف شده در ترانزیستور نیز افزایش می‌یابد و این باعث افزایش بیشتر دمای آن و تشدید مشکل خواهد شد. این بازخورد مثبتِ مُضر منجر به ''[[فرار گرمایی]]'' می‌شود.<ref name="Sedra">{{Cite book|last=A.S. Sedra|last2=K.C. Smith|name-list-style=amp|title=Microelectronic Circuits|url=https://archive.org/details/microelectronicc00sedr_571|year=2004|pages=[https://archive.org/details/microelectronicc00sedr_571/page/n426 397], Figure 5.17, and p. 1245|publisher=Oxford University Press|edition=5th|location=New York|isbn=0-19-514251-9|nopp=yes}}</ref> روش‌های مختلفی برای کاهش فرار حرارتی ترانزیستور دو قطبی وجود دارد؛ مثلاً،
* [[بازخورد منفی]] را می‌توان درون مدار بایاس قرار داد به‌طوری که افزایش جریان کلکتور منجر به کاهش جریان بیس شود. از این رو، جریانِ در حال افزایش کلکتور منبع آن را کنترل می‌کند.
* می‌توان از [[گرماگیر]] استفاده کرد که گرمای اضافی را از خود دور می‌کند و مانع از افزایش دمای بیس-امیتر می‌شود.
* ترانزیستور می‌تواند به‌صورتی بایاس‌شده باشد که کلکتور آن به‌طور معمول کمتر از نیمی از ولتاژ [[منبع تغذیه]] باشد، این بدان معنی است که اتلاف توان کلکتور-امیتر در حداکثر مقدارش است. فرار غیرممکن است زیرا افزایش جریان کلکتور منجر به کاهش قدرت تلف‌شده می‌شود. این مفهوم به عنوان ''اصل نیم-ولتاژ'' شناخته می‌شود.

مدارهای زیر استفاده از بازخورد منفی برای جلوگیری از فرار حرارتی را نشان می‌دهند.

== انواع مدار بایاس برای تقویت‌کننده‌های کلاس A ==
در ادامه پنج مدار متداول بایاس کردن برای استفاده از تقویت‌کننده‌های ترانزیستور دو قطبی کلاس A مورد بحث قرار می‌گیرد:
# بایاس ثابت
# بایاس کلکتور به بیس
# بایاس ثابت با مقاومت امیتر
# بایاس تقسیم ولتاژ یا تقسیم پتانسیل
# بایاس امیتر

[[پرونده:Fixed_bias.svg|چپ|بندانگشتی| بایاس ثابت (بایاس بیس)]]
به این شکل از بایاس ''بایاس بیس یا بایاس مقاومت ثابت'' نیز گفته می‌شود. در تصویر مثال سمت راست، منبع تغذیه تکی (به عنوان مثال باتری) برای کلکتور و بیس ترانزیستور استفاده می‌شود، اگرچه از باتری‌های جداگانه نیز می‌توان استفاده کرد.

در مدار داده شده،

: <math display="block">V _{cc} = I _b R _b + V _{be}</math>

از این رو،

:<math display="block">I _b = \tfrac{( V_{CC} - V_ {be})}{R_b}</math>

برای ترانزیستور داده شده، V<sub>be</sub> در طول استفاده تغییر چندانی ندارد. از آنجا که V<sub>cc</sub> مقداری ثابت است، در انتخاب R<sub>b</sub>، جریان بیس I<sub>b</sub> ثابت می‌شود؛ بنابراین، به این نوع مدار ''ثابت بایاس ثابت گفته می''شود.

همچنین، برای مدار داده‌شده،

: <math display="block">V _{cc} = I _c R_ c + V_{ ce}</math>

از این رو،

: <math display="block">V _{ce} = V_{ cc} - I _c R_ c</math>

[[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|بهره جریان امیتر مشترک]] ترانزیستور یک پارامتر مهم در [[طراحی مدار]] است و برای یک ترانزیستور خاص روی برگه داده‌ها مشخص شده‌است. به عنوان β در این صفحه نشان داده شده‌است.

زیرا

: <math display="block">I_c = \beta I_ b</math>

ما می‌توانیم I<sub>c</sub> را نیز بدست آوریم. به این ترتیب، می‌توان نقطه کار داده شده به عنوان (V<sub>ce</sub> ،I<sub>c</sub>) را برای ترانزیستور داده شده تنظیم کرد.

'''مزایای:'''
* صرفاً با تغییر مقاومت بیس (R<sub>b</sub>) تغییر نقطه کار در هرکجای ناحیه فعال بسیار ساده است.
* تعداد بسیار کمی از قطعات مورد نیاز است.

'''معایب:'''
* جریان کلکتور با تغییر دما یا ولتاژ منبع تغذیه ثابت نمی‌ماند؛ بنابراین، نقطه کار ناپایدار است.
* تغییرات در I<sub>B</sub> ،V<sub>be</sub> را تغییر می‌دهد و بنابراین باعث تغییر I<sub>E</sub> می‌شود. این به نوبه خود بهره طبقه را تغییر می‌دهد.
* هنگامی که ترانزیستور با یکی دیگر جایگزین شود، می‌توان تغییر قابل توجهی در مقدار β داشت. با توجه به این تغییر، نقطه کار تغییر می‌کند.
* برای ترانزیستورهای سیگنال کوچک (به عنوان مثال، نه ترانزیستورهای قدرت) با مقادیر نسبتاً زیاد β (یعنی بین ۱۰۰ تا ۲۰۰)، این پیکربندی مستعد [[فرار گرمایی|فرار حرارتی]] خواهد بود. به‌طور خاص، [[ضریب پایداری]]، که یک اندازه‌گیری از تغییر در جریان کلکتور با تغییر در [[جریان اشباع معکوس|جریان اشباع]] معکوس است، تقریباً (β + ۱) است. برای اطمینان از [[پایداری مطلق]] تقویت‌کننده، یک ضریب پایداری کمتر از ۲۵ ترجیح داده می‌شود، بنابراین ترانزیستورهای سیگنال کوچک دارای فاکتورهای پایداری زیادی هستند. {{مدرک|date=March 2010}}

== کاربرد ==
با توجه به اشکالات ذاتی فوق، بایاس ثابت به ندرت در مدارهای خطی مورد استفاده قرار می‌گیرد (یعنی مدارهایی که از ترانزیستور به عنوان [[منبع جریان]] استفاده می‌کنند). در عوض، اغلب در مدارهایی که از ترانزیستور به عنوان کلید استفاده می‌شود، استفاده می‌شود. با این وجود، یکی از کاربردهای بایاس ثابت، دستیابی [[کنترل خودکار بهره]] ابتدایی در ترانزیستور با مقاومت تغذیه بیس از سیگنال DC است که از خروجی AC طبقه بعدی حاصل می‌شود.

=== بایاس بازخورد کلکتور یا بایاس سرخود ===
[[پرونده:Collector_to_base_bias.svg|چپ|بندانگشتی| بایاس کلکتور به بیس]]
این پیکربندی از [[بازخورد منفی]] برای جلوگیری از [[فرار گرمایی|فرار حرارتی]] و تثبیت نقطه کار استفاده می‌کند. در این شکل از بایاس، مقاومت بیس <math>R_{\text{b}}</math> به جای اتصال آن به <math>V_{\text{cc}}</math> منبع DC به کلکتور متصل شده‌است؛ بنابراین هر فرار حرارتی باعث افت ولتاژ بر روی مقاومت <math>R_{\text{C}}</math> می‌شود که جریان بیس ترانزیستور را کنترل می‌کند.

از [[قانون‌های مداری کیرشهف|قانون ولتاژ کیرشهف]]، ولتاژ <math>V_{\text{R}_{\text{b}}}</math> ولتاژ دو سر مقاومت بیس <math>R_{\text{b}}</math> است

: <math>V_{\text{R}_{\text{b}}} = V_{\text{cc}} \, - \, \mathord{\overbrace{(I_{\text{c}} + I_{\text{b}}) R_{\text{c}}}^{\text{Voltage drop across } R_{\text{c}}}} \, - \, \mathord{\overbrace{V_{\text{be}}}^{\text{Voltage at base}}}.</math>

توسط مدل [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|ابرز-مول (Ebers – Moll)]], <math>I_{\text{c}} = \beta I_{\text{b}}</math> و همین‌طور

: <math>V_{\text{R}_{\text{b}}} = V_{\text{cc}} - (\overbrace{\beta I_{\text{b}}}^{I_{\text{c}}} + I_{\text{b}}) R_{\text{c}} - V_{\text{be}} = V_{\text{cc}} - I_{\text{b}} (\beta + 1) R_{\text{c}} - V_{\text{be}}.</math>

از [[قانون اهم]]، جریان بیس <math>I_{\text{b}} = V_{\text{R}_{\text{b}}} / R_{\text{b}}</math> و همین‌طور

: <math display="block">\overbrace{I_{\text{b}} R_{\text{b}}}^{V_{\text{R}_{\text{b}}}} = V_{\text{cc}} - I_{\text{b}} (\beta + 1) R_{\text{c}} - V_{\text{be}}.</math>

از این رو جریان بیس <math>I_{\text{b}}</math> است

: <math display="block">I_{\text{b}} = \frac{ V_{\text{cc}} - V_{\text{be}} }{ R_{\text{b}} + ( \beta + 1 ) R_{\text{c}} }</math>

اگر <math>V_{\text{be}}</math> ثابت نگه داشته شود و دما افزایش یابد، سپس جریان کلکتور <math>I_{\text{c}}</math> افزایش می‌یابد. با این حال، <math>I_{\text{c}}</math> بزرگتر باعث افزایش افت ولتاژ در مقاومت <math>R_{\text{c}}</math> می‌شود، که به نوبه خود باعث کاهش ولتاژ <math>V_{\text{R}_{\text{b}}}</math> دوسر مقاومت بیس <math>R_{\text{b}}</math> می‌شود. افت ولتاژ پایین‌تر مقاومت بیس جریان بیس <math>I_{\text{b}}</math> را کاهش می‌دهد، که باعث می‌شود جریان کلکتور <math>I_{\text{c}}</math> کمتر شود. از آنجا که افزایش جریان کلکتور با درجه حرارت مخالف است، نقطه کار ثابت نگه‌داشته‌شده‌است.

'''مزایای:'''
* مدار نقطه کار را در برابر تغییرات دما و β (یعنی جایگزینی ترانزیستور) تثبیت می‌کند.
* مدار نقطه کار را تثبیت می‌کند (به عنوان کسری از <math>V_{\text{cc}}</math>) در برابر تغییرات در <math>V_{\text{cc}}</math>.

'''معایب:'''
* اگرچه در تغییرات کوچک β خوب است، اما تغییرات بزرگ در β تغییرات زیادی را در نقطه کار خواهد داشت. <math>R_{\text{b}}</math> باید زمانی انتخاب شود که β به‌طور نسبتاً دقیق شناخته شود (شاید در حدود ۲۵٪)، با این حال، تنوع β بین قطعات «یکسان» اغلب بیشتر از این است.
* در این مدار، برای نگه داشتن <math>I_{\text{c}}</math> مستقل از <math>\beta</math> شرط زیر باید رعایت شود:

:: <math display="block">I_{\text{c}} = \beta I_{\text{b}} = \frac { \beta (V_{\text{cc}} - V_{\text{be}})}{R_{\text{b}} + R_{\text{c}} + \beta R_{\text{c}}} \approx \frac{(V_{\text{cc}} - V_{\text{be}})}{R_{\text{c}}}</math>

این حالت وقتی است که

:: <math display="block">\beta R_{\text{c}} \gg R_{\text{b}}.</math>

== کاربرد ==
بازخورد منفی همچنین مقاومت تقویت‌کننده ورودی را همان‌طور که از بیس مشاهده می‌شود افزایش می‌دهد، که می‌تواند سودمند باشد. با توجه به کاهش بهره از بازخورد، این فرم بایاس فقط هنگامی استفاده می‌شود که معاوضه برای پایداری ضروری باشد.

=== بایاس ثابت با مقاومت امیتر ===
[[پرونده:Fixed_bias_with_emitter_resistor.svg|چپ|بندانگشتی| بایاس ثابت با مقاومت امیتر]]
مدار بایاس ثابت با اتصال یک مقاومت خارجی به امیتر بهبود می‌یابد. این مقاومت [[بازخورد منفی]] را نشان می‌دهد که نقطه Q را تثبیت می‌کند. از [[قانون‌های مداری کیرشهف|قانون ولتاژ کیرشهف]]، ولتاژ دوسر مقاومت بیس است

:: <math display="block"> V_{R_b} = V_{cc} - I_e R_e - V_{be} </math>

از [[قانون اهم]] جریان بیس است

:: <math display="block">I_b = \frac {V_{R_b}}{R_b} </math>

نحوه کنترل بازخورد نقطه بایاس به شرح زیر است. اگر V ثابت شود و دمای افزایش یابد، جریان امیتر افزایش می‌یابد. با این حال، I<sub>e</sub> بزرگتر ولتاژ امیتر V<sub>e</sub> = I<sub>e</sub>R<sub>e</sub> را افزایش می‌دهد، که به نوبه خود باعث [[کاهش ولتاژ]] V<sub>Rb</sub> دوسر مقاومت بیس می‌شود. افت ولتاژ پایین‌تر مقاومت بیس جریان بیس را کاهش می‌دهد و این باعث می‌شود جریان کلکتور کمتر شود زیرا I<sub>c</sub> = β I<sub>b</sub>. جریان کلکتور و جریان امیتر توسط I<sub>c</sub> = α I<sub>e</sub> با α≈۱ در ارتباط است، بنابراین افزایش جریان امیتر با دما مخالف است، و نقطه کار را پایدار نگه می‌دارد.

== مزایای ==
مدار تمایل به تثبیت نقطه کار در برابر تغییر دما و مقدار β دارد.

'''معایب:'''
* در این مدار، برای نگه داشتن I<sub>C</sub> از بتا، شرط زیر باید رعایت شود:

:: <math display="block">I_C = \beta I_b = \frac { \beta (V_{cc} - V_{be})}{R_b+ ( \beta+1) R_e} \approx \frac {(V_{cc} - V_{be})}{R_e}</math>

که تقریباً این حالت است اگر

:: <math display="block">(\beta + 1)R_e \gg R_b </math>

=== بایاس‌کردن با تقسیم ولتاژ یا بایاس امیتر ===
[[پرونده:Voltage_divider_bias.svg|چپ|بندانگشتی| بایاس تقسیم ولتاژ]]
''تقسیم ولتاژ با استفاده از مقاومت‌های خارجی'' R<sub>1</sub> و R<sub>2</sub>. با انتخاب مناسب مقاومت R<sub>1</sub> و R<sub>2،</sub> نقطه کار ترانزیستور می‌تواند مستقل از β ساخته شود. در این مدار، تقسیم ولتاژ ولتاژ بیس را مستقل از جریان بیس ثابت نگه می‌دارد، مشروط بر اینکه جریان تقسیم‌کننده نسبت به جریان بیس بزرگ‌تر باشد. با این حال، حتی با یک ولتاژ بیس ثابت، جریان کلکتور با درجه حرارت (به عنوان مثال) متفاوت است بنابراین یک مقاومت امیتر برای تثبیت نقطه Q، شبیه به مدارهای فوق با مقاومت امیتر اضافه می‌شود. پیکربندی تقسیم ولتاژ با استفاده از مقاومت‌ها در الگوهای خاص، به ولتاژهای صحیح دست می‌یابد. با دستکاری مقاومت‌ها به روش‌های خاصی می‌توانید به سطح جریان با ثبات‌تر برسید بدون اینکه مقدار β آن را بیش از حد تحت تأثیر قرار دهد.

در این مدار ولتاژ پایه توسط:

<math>V_B = \ </math> ولتاژ در سراسر <math>R_2 \ </math><math>= V_{cc} \frac{R_2}{(R_1+R_2)} - I_b \frac{R_1 R_2}{(R_1+R_2)}</math> <nowiki>{{سخ}}</nowiki>

: <math>\approx V_{cc} \frac{R_2}{(R_1+R_2)}</math> ارائه شده <math>I_b << I_1 = V_b / R_1 \ </math> .

همچنین <math>V_B = V_{be} + I_eR_e \ </math>

برای مدار داده شده،

:: <math display="block"> I_b =\frac
{
 \frac
{V_{cc}}{1+R_1/R_2}
 - V_{be}
}
{( \beta + 1)R_e + R_1 \parallel R_2 } .</math>

'''مزایای:'''
* برخلاف مدارهای فوق، فقط یک منبع DC نیاز است.
* نقطه کار تقریباً مستقل از تنوع β است.
* نقطه کار در برابر تغییر دما تثبیت می‌شود.

'''معایب:'''
* در این مدار، برای نگه داشتن I<sub>C</sub> از بتا، شرط زیر باید رعایت شود:

:: <math display="block">I_c = \beta I_b = \beta \frac
{
 \frac
{V_{cc}}{1+R_1/R_2}
 - V_{be}
}
{( \beta + 1)R_e + R_1 \parallel R_2 } \approx \frac
{ \frac {V_{cc}}{1+R_1/R_2}- V_{be}}
{R_e}, </math>

که تقریباً این حالت است اگر

:: <math display="block">( \beta + 1 ) R_e >> R_1 \parallel R_2</math>

== کاربرد ==
پایداری و شایستگی مدار مانند بالا باعث می‌شود که از آن برای مدارهای خطی به‌طور گسترده استفاده شود.

=== [[مقسم ولتاژ|تقسیم ولتاژ]] با [[خازن کنارگذر]] اِی‌سی ===
[[پرونده:Voltage_divider_with_cap.svg|چپ|بندانگشتی| تقسیم‌گر ولتاژ مقاومتی با خازن کنارگذر امیتر]]
مدار تقسیم ولتاژ استاندارد که در بالا مورد بحث قرار گرفت، با یک اشکال مواجه است - بازخورد AC ناشی از مقاومت R<sub>E</sub> باعث کاهش [[بهره (الکترونیک)|بهره]] می‌شود. با قرار دادن یک خازن (C<sub>e</sub>) به موازات R<sub>e</sub> همان‌طور که در شکل مدار نشان داده شده‌است، می‌توان از این کار جلوگیری کرد. نتیجه این است که نقطه کار DC به خوبی کنترل می‌شود، در حالی که بهره AC بسیار بالاتر (نزدیک به β) از مقدار بسیار پایین‌تر (اما قابل پیش‌بینی) <math>R_{\text{c}}/R_{\text{e}}</math> بدون خازن است

== جستارهای وابسته ==
* [[بایاس کردن|بایاس (الکترونیک)]]
* [[مدل سیگنال کوچک]]
* [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی]]
* [[ماسفت]]

== منابع ==
{{پانویس|30em|چپ‌چین=بله}}

== برای مطالعهٔ بیشتر ==
{{چپ‌چین}}
{{refbegin}}
* {{cite book|last1=Patil|first1=P.K.|last2=Chitnis|first2=M.M.|title=Basic Electricity and Semiconductor Devices|publisher=Phadke Prakashan|year=2005}}
{{refend}}
{{پایان چپ‌چین}}

== پیوند به بیرون ==
* [http://www.answers.com/topic/bias-technology?cat=technology#Sci-Tech_Encyclopedia بایاس] – از Sci-Tech Encyclopedia
* [https://web.archive.org/web/20071125125418/http://www.tpub.com/neets/book7/25d.htm سری آموزش مهندسی برق: انواع بایاس]

[[رده:صفحات با ترجمه بازبینی‌نشده]]
[[رده:مهندسی الکترونیک]]