نمایش مبدأ برای انواع خازن

{{ویکی‌سازی}}
{{تمیزکاری}}
[[پرونده:Verschiedene_Kondensatoren_2.JPG|بندانگشتی| برخی از خازن‌های مختلف برای تجهیزات الکترونیکی]]
[[خازن]]<nowiki/>‌ها به اشکال مختلف، سبک، طول، ابعاد و از بسیاری از مواد تولید می‌شوند. همه آنها حداقل دارای دو [[رسانای الکتریکی]] به نام «صفحات» هستند که توسط یک لایه [[عایق الکتریکی|نارسانا]] به نام [[دی‌الکتریک]] از هم جدا شده‌اند. خازن‌ها به عنوان بخشی از [[مدار الکتریکی|مدارهای الکتریکی]] در بسیاری از وسایل برقی رایج مورد استفاده قرار می‌گیرند.

== نکات کلی ==
=== نظریه ساختار مرسوم ===
[[پرونده:Parallel_plate_capacitor.svg|چپ|بندانگشتی| یک ماده [[دی‌الکتریک]] بین دو صفحه رسانا (الکترود)، هر یک مساحت '''''A''''' و با فاصله '''''d''' قرار می‌گیرد''. ]]
خازن '''''C''''' با مساحت صفحات '''''A''''' و با [[گذردهی (فیزیک)|گذردهی]] '''''ε''''' از ماده دی‌الکتریک افزایش می‌یابد و با فاصله جداسازی صفحات '''''d''''' کاهش می‌یابد.

تقریباً تمام خازن‌های صنعتی مرسوم به جز برخی از انواع خاص مانند «خازن‌های توگذر»، حتی اگر الکترودهای آن‌ها و دی‌الکتریک بین آن‌ها پیچیده یا لوله شده باشد، به‌صورت «خازن صفحه‌ای» ساخته‌شده‌اند. فرمول خازن برای خازن‌های صفحه‌ای:

: <math>C= \frac{\varepsilon A}{d}</math> .

خازن '''''C''''' با مساحت '''''A''''' صفحات و با [[گذردهی (فیزیک)|گذردهی]] '''''ε''''' از ماده دی الکتریک افزایش می‌یابد و با فاصله جداسازی صفحه '''''d''''' کاهش می‌یابد.

=== نظریه ساختار الکتروشیمیایی ===
[[پرونده:Electric_double-layer_(BMD_model)_NT.PNG|بندانگشتی| طرح‌واره خازن دو لایه.
# لایه هلمهولتز داخلی IHP
# لایه هلمهولتز بیرونی
# لایه نفوذی
# یون‌های حل شده
# '''به‌طور خاص یون‌های جاذب (ظرفیت‌نما)'''
# مولکول حلال.

]]
* ذخیره‌سازی [[الکترواستاتیک]] در [[لایه الکتریکی مضاعف|لایه‌های دوگانه]] [[هرمان فون هلمهولتز|هلمهولتز]] در [[رابط (شیمی)|رابط]] [[فاز (ماده)|فاز]] بین سطح [[الکترود]]ها و [[الکترولیت]] '''(ظرفیت دولایه)'''. و
* [[الکتروشیمی|الکتروشیمیایی]] ذخیره‌سازی دست آمده توسط یک [[جریان القائی|القائی]] [[الکترون]] [[همتافت انتقال-بار|انتقال بار]] به‌طور خاص [[یون]] جذب سطحی شده با [[اکسایش-کاهش|واکنش اکسایش-کاهش]] '''(شبه‌ظرفیت).''' برخلاف باتری‌ها، در این واکنش‌ها، یون‌ها بدون ایجاد یا شکستن پیوندهای شیمیایی، به سادگی به ساختار اتمی الکترود می‌چیند و هیچگونه تغییرات شیمیایی به‌طور ناچیز کوچک در ایجاد شارژ/ دشارژ دخیل نیست.

=== خازن‌های متداول و نام آن‌ها ===
متداول‌ترین انواع خازن‌ها عبارتند از:
* '''خازن های''' [[سرامیک|سرامیکی]] یک دی الکتریک [[سرامیک|سرامیکی]] دارند.
* '''خازن های''' '''فیلم''' و '''کاغذی''' برای دی‌الکتریک خود نام گذاری شده‌اند.
* '''خازنهای الکترولیتی''' '''آلومینیوم، تانتالوم''' و '''نیوبیوم''' به دلیل استفاده از ماده مورد استفاده به عنوان [[آند (شیمی)|آند]] و ساخت [[کاتد]] ([[الکترولیت]]) نامگذاری شده‌اند
* '''خازن‌های پلیمری''' خازن‌های الکترولیتی آلومینیومی، تانتالوم یا نیوبیوم با پلیمر رسانا به عنوان الکترولیت هستند
* '''ابرخازن''' نام خانوادگی برای:
** '''خازن‌های دولایه''' برای پدیده فیزیکی دولایه [[هرمان فون هلمهولتز|هلمهولتز]] نامگذاری شده‌اند
** '''[[خازن‌نما]]ها''' به دلیل توانایی ذخیره انرژی الکتریکی به صورت الکتروشیمیایی با [[همتافت انتقال-بار|انتقال-بار]] [[جریان فارادیک|فارادیک]] برگشت‌پذیر نامگذاری شدند
** '''خازن‌های''' '''دورگه''' برای افزایش چگالی توان، خازن‌های دولایه و خازن‌نماها را ترکیب می‌کنند
* '''میکا نقره، شیشه، سیلیکون، هوا و خازن‌های خلاء''' برای دی‌الکتریک‌شان نامگذاری شده‌اند.

[[پرونده:Fixed_capacitors_overview.svg|وسط| بررسی اجمالی بر روی خازنهای ثابت متداول در تجهیزات الکترونیکی]]
علاوه بر انواع خازن نشان داده شده در بالا، که نام خود را از توسعه تاریخی گرفته‌اند، خازن‌های منفرد بسیاری وجود دارند که بر اساس کاربرد آنها نامگذاری شده‌اند. آنها عبارتند از:
* [[خازن فیلمی|خازن‌های قدرت]]، [[خازن موتوری|خازن‌های موتوری]]، [[مبدل ای‌سی به ای‌سی|خازن‌های پیوند-DC]] [[خازن فیلمی|خازن‌های سرکوبگر]]، [[متقاطع‌نمای صوت|خازنهای تقاطعی صوتی]]، [[خازن فیلمی|خازنهای بالاست روشنایی]]، [[خازن فیلمی|خازن‌های اسنابر]]، خازن‌های [[تزویج (الکترونیک)|تزویج]]، [[خازن فیلمی|واتزویج]] {{به انگلیسی|decoupling}} یا کنارگذر کننده {{به انگلیسی|bypassing}}.

اغلب، بیش از یک خانواده خازن برای این کاربردها استفاده می‌شود، به عنوان مثال [[تداخل الکترومغناطیسی|سرکوبش تداخل]] می‌تواند از [[خازن سرامیکی|خازن‌های سرامیکی]] یا [[خازن فیلمی|خازن‌های فیلم]] استفاده کند.

=== دی‌الکتریک‌ها ===
[[پرونده:Fixed_capacitors-charge_storage_principles-2.png|وسط|بندانگشتی| اصول ذخیره‌سازی بار انواع خازن‌های مختلف و توالی ولتاژ ذاتی آن‌ها]]
متداول‌ترین دی‌الکتریک‌ها عبارتند از:
* سرامیک
* پوسته یا فیلم‌های پلاستیکی
* لایه [[اکسید]] روی فلز ([[آلومینیوم]]، [[تانتال|تانتالوم]]، [[نیوبیم|نیوبیوم]])
* مواد طبیعی مانند [[میکا]]، [[شیشه]]، [[کاغذ]]، [[جو زمین|هوا]]، [[گاز دی‌الکتریک|SF<sub>6</sub>]]، [[خلأ|خلاء]]

همه آنها بار الکتریکی خود را بصورت ایستا درون یک [[میدان الکتریکی]] بین دو الکترود (موازی) ذخیره می‌کنند.

مهم‌ترین پارامترهای ماده [[دی‌الکتریک]]‌های مختلف استفاده‌شده و ضخامت لایه-هلمولتز در جدول زیر آورده شده‌است.

پارامترهای کلیدی<ref>WIMA, Characteristics of Metallized Film Capacitors in Comparison with Other Dielectrics {{یادکرد وب |نشانی=http://www.wima.de/EN/characteristics.htm |عنوان=نسخه آرشیو شده |بازبینی=۱۸ ژانویه ۲۰۲۳ |archive-date=۵ نوامبر ۲۰۱۲ |archive-url=https://web.archive.org/web/20121105021659/http://www.wima.de/EN/characteristics.htm |dead-url=yes }}</ref><ref>{{cite web|url=https://en.tdk.eu/download/530754/bb7f3c742f09af6f8ef473fd34f6000e/pdf-generaltechnicalinformation.pdf|title=- TDK Europe – General Technical Information}}</ref><ref name="Karnik">Tomáš Kárník, AVX, NIOBIUM OXIDE FOR CAPACITOR MANUFACTURING, METAL 2008, 13. –15. 5. 2008, Hradec nad Moravicí [http://konference.tanger.cz/data/metal2008/sbornik/Lists/Papers/087.pdf PDF] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20160305004929/http://konference.tanger.cz/data/metal2008/sbornik/Lists/Papers/087.pdf |date=۵ مارس ۲۰۱۶ }}</ref><ref>{{cite web|url=http://www.holystonecaps.com/PDF/TechNotes/201401161441070.Capdielectriccomp3.pdf|title=Holystone, Capacitor Dielectric Comparison, Technical Note 3}}</ref><ref>P. Bettacchi, D. Montanari, D. Zanarini, D. Orioli, G. Rondelli, A. Sanua, KEMET Electronics [http://www.kemet.com/kemet/web/homepage/kfbk3.nsf/vaFeedbackFAQ/6B1BB7EE3ED211EB852579ED00501069/$file/2010%20CARTS%20Europe%20-%20Power%20Film%20Capacitors%20for%20Industrial%20Applications.pdf Power Film Capacitors for Industrial Applications] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20140302231035/http://www.kemet.com/kemet/web/homepage/kfbk3.nsf/vaFeedbackFAQ/6B1BB7EE3ED211EB852579ED00501069/$file/2010%20CARTS%20Europe%20-%20Power%20Film%20Capacitors%20for%20Industrial%20Applications.pdf |date=۲ مارس ۲۰۱۴ }}</ref>
{| class="wikitable centered"
!دی‌الکتریک
![[گذردهی نسبی]] در ۱ کیلوهرتز (kHz)
!بیشینه/ تحقق یافته.
استقامت دی‌الکتریک
V/µm
!حداقل ضخامت دی‌الکتریک
µm
|-
|[[:en:Paraelectricity|پاراالکتریک]]
|۱۲–۴۰
|< ۱۰۰(?)
|۱
|-
|[[:en:Ferroelectricity|فروالکتریک]]
|۲۰۰–۱۴٬۰۰۰
|< ۳۵
|۰٫۵
|-
|[[:en:Polypropylene|پلی پروپیلن]] (PP)
|۲٫۲
|۶۵۰/۴۵۰
|۱٫۹ – ۳٫۰
|-
|[[:en:Polyethylene_terephthalate|پلی اتیلن، ترفتلت]]،
[[:en:Polyester|پلی استر]] (PET)
|۳٫۳
|۵۸۰/۲۸۰
|۰٫۷–۰٫۹
|-
|[[:en:Poly(p-phenylene_sulfide)|پلی فنیلن سولفید]] (PPS)
|۳٫۰
|۴۷۰/۲۲۰
|۱٫۲
|-
|[[:en:Polyethylene_naphthalate|پلی اتیلن نفتلت]] (PEN)
|۳٫۰
|۵۰۰/۳۰۰
|۰٫۹–۱٫۴
|-
|[[:en:Polytetrafluoroethylene|پلی تترا فلورواتیلن]] (PTFE)
|۲٫۰
|۴۵۰(?)/۲۵۰
|۵٫۵
|-
|کاغذ
|۳٫۵–۵٫۵
|۶۰
|۵–۱۰
|-
|[[:en:Aluminium_oxide|اکسید آلومینیوم]]Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
|9,6<ref name="Murarka20032">{{citation|surname1=S. P. Murarka|surname2=Moshe Eizenberg|surname3=A. K. Sinha|title=Interlayer dielectrics for semiconductor technologies|publisher=Academic Press|year=2003|at=pp. &nbsp;338–339|isbn=978-0-12-511221-5|language=German}}</ref>
|۷۱۰
|< 0.01 (6.3 V)
< 0.8 (450 V)
|-
|[[:en:Tantalum_pentoxide|پنت اکسید تانتالوم]]Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>
|26<ref name="Murarka20032"/>
|۶۲۵
|< 0.01 (6.3 V)
< 0.08 (40 V)
|-
|[[:en:Niobium_pentoxide|نیوبیوم پنتوکسید]]،
Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>
|۴۲
|۴۵۵
|< 0.01 (6.3 V)
< 0.10 (40 V)
|-
|[[:en:Double_layer_(interfacial)|هلمهولتز دو-لایه]]
| -
|۵۰۰۰
|< 0.001 (2.7 V)
|-
|[[:en:Vacuum|خلاء]]
|۱
|۴۰
| -
|-
|[[:en:Air|هوا]]
|۱
|۳٫۳
| -
|-
|[[:en:Glass|شیشه]]
|۵–۱۰
|۴۵۰
| -
|-
|[[:en:Mica|میکا]]
|۵–۸
|۱۱۸
|۴–۵۰
|}
یک نگاه کوتاه به عددهای جدول بالا توضیحاتی در مورد برخی حقیقت‌های ساده ارائه می‌دهد:
* '''[[ابرخازن]]‌ها''' به دلیل اصول ذخیره‌سازی بار ویژه خود، بیشترین چگالی ظرفیت را دارند
* '''[[خازن الکترولیتی|خازن‌های الکترولیتی]]''' نسبت به ابررساناها از چگالی ظرفیت کمتری برخوردار هستند اما بیشترین میزان تراکم خازن‌های معمولی به دلیل دی الکتریک نازک را دارند.
* '''[[خازن سرامیکی |خازن‌های سرامیکی]]''' کلاس ۲ از مقدار ظرفیت خازنی بسیار بالاتری نسبت به خازن‌های کلاس ۱ به دلیل تراکم‌پذیری بسیار بالاترشان برخوردار هستند.
* '''[[خازن فیلم |خازن‌های پوسته‌ای]]''' با مواد مختلف پوسته پلاستیکی خود دارای یک توزیع کوچک در ابعاد برای مقدار یک مقدار ظرفیت / ولتاژ مشخص شده از یک خازن پوسته‌ای هستند زیرا حداقل ضخامت پوسته دی‌الکتریک بین مواد پوسته متفاوت است.

=== محدودهٔ ظرفیت و ولتاژ ===
[[پرونده:Kondensatoren-Kap-Versus-Spg-English.svg|وسط|400x400پیکسل| دامنه خازن در مقابل دامنه ولتاژ از انواع خازن‌های مختلف]]
ظرفیت از پیکوفراد تا بیش از صدها فاراد متغیر است. نرخ‌بندی ولتاژ می‌تواند به ۱۰۰ کیلوولت می‌رسد. به‌طور کلی، ظرفیت و ولتاژ با اندازه و هزینه فیزیکی در ارتباط است.

=== کوچک‌سازی ===
[[پرونده:Capacitor_Miniaturizing_1970-2005.png|بندانگشتی| بازدهی حجمی خازن از ۱۹۷۰ تا ۲۰۰۵ افزایش یافته‌است (برای بزرگنمایی کلیک کنید)]]
همان‌طور که در سایر زمینه‌های الکترونیک، [[بازده حجمی|بازدهی حجمی]] کارایی عملکرد الکترونیکی در واحد حجم را اندازه‌گیری می‌کند. برای خازنها، بازدهی حجمی با "ضرب CV" اندازه‌گیری می‌شود، که با ضرب ظرفیت (C) با حداکثر نرخ ولتاژ (V)، تقسیم بر حجم محاسبه می‌شود. از ۱۹۷۰ تا ۲۰۰۵، بازده حجمی {{به انگلیسی|volumetric}} به طرز چشمگیری بهبود یافته‌است. <gallery widths="180" heights="120" perrow="2" caption="کوچک سازی خازن ها">
پرونده:Kondensator-Block-Kondensator-Wiki-07-02-11.jpg|خازن کاغذ پشته‌شده (خازن بلوکی) از سال ۱۹۲۳ برای جداسازی نویز (بلاک) در خطوط تلگراف
پرونده:Kondensator cgs cm.jpg|خازن کاغذ فلزیده‌شده از اوایل دهه ۱۹۳۰ در جعبه کاغذ سخت، مقدار ظرفیت خازن مشخص شده در "سانتی‌متر" در [[Centimetre–gram–second system of units|یکاهای سی‌جی‌اس]]. ۵۰۰۰ سانتی‌متر با ۰٫۰۰۵۶ میکروفاراد مطابقت دارد.
پرونده:Elektrolytkondensator-Flüssigkeits-Ko-Wiki-07-02-20.jpg|خازن الکترولیتی آلومینیومی مرطوب تاشده، سیستم بل ۱۹۲۹، نمای روی آند تاشده، که در محفظه مربعی (نشان داده نشده) پر از الکترولیت مایع نصب شده بود.
پرونده:PaperElectrolyticCapacitors.jpg|دو خازن‌های الکترولیتی آلومینیومی مرطوب ۸ میکروفاراد، ۵۲۵ ولتی  را در محفظه کاغذی که با قیر در یک رادیو دهه ۱۹۳۰ آب‌بندی شده بود، پیچید.
</gallery>

=== محدوده همپوشانی کاربردها ===
این خازن‌های منحصر به فرد می‌توانند مستقل از وابستگی خود به نوع خازن نشان داده شده در بالا، کارکرد خود را انجام دهند، به طوری که گستره وسیعی از کاربردهای بین انواع مختلف خازن وجود دارد.
[[پرونده:Capacitors-Overlapping-Applications.png|وسط|400x400پیکسل| با مقایسه سه نوع خازن اصلی نشان می‌دهد که طیف گسترده‌ای از عملکردهای همپوشانی برای بسیاری از کاربردهای عمومی و صنعتی در تجهیزات الکترونیکی وجود دارد.]]

== انواع و سبک‌ها ==
=== خازن‌های سرامیکی ===
[[پرونده:MLCC-Construction.png|چپ|بندانگشتی| ساختمان خازن سرامیکی چندلایه]]
'''خازن سرامیکی''' یک خازن ثابت غیرقطبیده است که از دو یا چند لایه متناوب از سرامیک و فلز ساخته شده‌است و در آن مواد سرامیکی به عنوان دی‌الکتریک و فلز به عنوان الکترود عمل می‌کند. مواد سرامیکی مخلوطی از دانه‌های ریز خردشده از مواد [[دی‌الکتریک|پاراالکتریک]] یا [[فروالکتریسیته|فروالکتریک]]، اصلاح‌شده با مخلوط [[اکسید]]ها است که لازم برای رسیدن به مشخصات مورد نظر خازن است. رفتار الکتریکی مواد سرامیکی به دو کلاس پایداری تقسیم می‌شود:
* خازن‌های سرامیکی [[خازن سرامیکی|کلاس ۱]] با پایداری بالا و تلفات کم، تأثیر دما را در کاربرد مدار تشدید جبران می‌کنند. اختصارات[[ئی‌آی‌ای|کد EIA]] / [[کمیسیون بین‌المللی الکتروتکنیک|IEC]] معمول [[سی۰جیی|C0G]] / NP0، P2G / N150، R2G / N220، U2J / N750 و غیره است.
* خازن‌های سرامیکی [[خازن سرامیکی|کلاس ۲]] با [[بازده حجمی]] بالا برای کاربردهای بافر، کنارگذر و تزویج اختصارات کد EIA / IEC معمول عبارتند از: X7R / 2XI , Z5U / E26، Y5V / 2F4، X7S / 2C1 و غیره

از آنجا که ضخامت لایه دی الکتریک سرامیکی به راحتی توسط ولتاژ مورد نظر قابل کنترل و تولید است، خازن‌های سرامیکی با ولتاژهای نامی تا محدوده ۳۰ کیلوولت در دسترس هستند.

برخی از خازن‌های سرامیکی با اشکال و سبک‌های خاص به‌عنوان خازن برای کاربردهای خاص استفاده می‌شوند، از جمله [[خازن سرامیکی|خازن‌های سرکوبش RFI/EMI]] برای اتصال به شبکه تغذیه، که به عنوان خازن‌های ایمنی نیز شناخته می‌شوند،<ref>{{Cite web|url=http://www.vishay.com/capacitors/rfi-safety-rated-xy/|title=Vishay - Capacitors - RFI Safety Rated X/Y|last=Vishay|website=www.vishay.com}}</ref> X2Y® و خازن‌های سه پایانه برای کاربردهای کنارگذری {{به انگلیسی|bypassing}} و واتزویج‌سازی {{به انگلیسی|decoupling}},<ref>{{Cite web|url=http://www.x2y.com/|title=X2Y Attenuators - Home|website=www.x2y.com}}</ref><ref>{{Cite web|url=http://www.murata.com/~/media/webrenewal/products/emc/emifil/knowhow/20to22.ashx|title=Three-terminal Capacitor Structure, Murata}}</ref> خازن‌های تغذیه برای سرکوبش نویز توسط [[فیلتر پایین‌گذر|فیلترهای پایین‌گذر]]<ref>{{Cite web|url=http://www.murata.com/products/emc/knowhow/pdf/20to22.pdf|title=Murata, Three-terminal Capacitor Structure, No.TE04EA-1.pdf 98.3.20}}</ref> و [[خازن سرامیکی|خازن‌های قدرت سرامیکی]] برای فرستنده‌ها و کاربردهای HF.<ref>{{Cite web|url=http://www.vishay.com/docs/22071/geninfo.pdf|title=Vishay, Ceramic RF-Power Capacitors|access-date=۱۸ ژانویه ۲۰۲۳|archive-date=۱۳ ژوئیه ۲۰۱۹|archive-url=https://web.archive.org/web/20190713002258/http://www.vishay.com/docs/22071/geninfo.pdf|dead-url=yes}}</ref><ref>{{Cite web|last=Vishay|url=http://www.vishay.com/capacitors/ceramic-rf-power/|title=Capacitors - RF Power|publisher=Vishay|accessdate=2013-03-09|archiveurl=https://web.archive.org/web/20120814032615/http://www.vishay.com/capacitors/ceramic-rf-power/|archivedate=2012-08-14}}</ref>{{وسط‌چین}}<gallery class="centered" caption="انواع مختلفی از خازنهای سرامیکی">
پرونده:MLCC-Kondensatoren-1.png|خازن‌های سرامیکی چندلایه (تراشه‌های MLCC) برای نصب اس‌ام‌دی
پرونده:Capacitors x2y.jpg|خازن‌های واتزویج سرامیکی X2Y®
پرونده:Condensador ceramico.jpg|خازن سرکوبش ئی‌ام‌آی سرامیک برای اتصال به شبکه منبع تغذیه (خازن ایمنی)
پرونده:Kerko-HV-Scheibenkondensator.png|خازن سرامیکی ولتاژ-بالا
</gallery>{{پایان}}

=== خازن‌های پوسته‌ای یا فیلمی ===
[[File:Film-Cap-Pulse-Strength-Versions.svg|پیوند=https://en.wikipedia.org/wiki/File:Film-Cap-Pulse-Strength-Versions.svg|راست|بندانگشتی|سه نمونه از پیکربندی‌های مختلف خازن پوسته‌ای برای افزایش نرخ‌های ضربه جریان]]
[[خازن پوسته‌ای|خازن‌های پوسته‌ای]] یا خازن‌های فیلم پلاستیکی خازن‌های غیرقطبیده هستند که دارای یک فیلم پلاستیکی عایق به عنوان دی الکتریک هستند. فیلم‌های دی الکتریک به یک لایه نازک کشیده می‌شوند، همراه با الکترودهای فلزی و به یک پیچهٔ استوانه ای پیچیده می‌شوند. الکترودهای خازن‌های فیلم ممکن است آلومینیومی یا روی متالیزه‌شده باشد، در یک یا دو طرف فیلم پلاستیکی اعمال شوند، درنتیجه خازن‌های فیلم متالیزه شده یا یک ورق فلزی جداگانه ای که روی فیلم قرار دارد، خازن‌های فیلم‌/ فویل نامیده می‌شود.

یک مزیت اساسی در ساخت داخلی هر خازن پوسته‌ای، تماس مستقیم با الکترودهای دوسَر پیچه است. این تماس تمام مسیرهای جریان را بسیار کوتاه نگه می‌دارد. این طرح مانند تعداد زیادی خازن منفرد متصل‌شده به‌طور موازی رفتار می‌کند، بنابراین باعث کاهش تلفات [[اهم|اهمی]] داخلی ([[مقاومت سری معادل|ئی‌اس‌آر]]) و [[سلف سری معادل|ئی‌اس‌ال]] می‌شود. هندسه ذاتی ساختار خازن فیلم منجر به تلفات اهمی کم و سلف مزاحم {{به انگلیسی|parasitic}} کم می‌شود، که آنها را برای کاربردهای با جریان ضربه‌ای زیاد ([[اسنابر]]) و برای کاربردهای برق AC یا برای کاربردهای با فرکانس بالاتر مناسب می‌کند.

پوسته‌های پلاستیکی مورد استفاده به عنوان دی‌الکتریک برای خازن‌های پوسته‌ای عبارتند از: [[پلی‌پروپیلن]] (PP)، [[پلی‌استر]] (PET)، [[پلی فنیلن سولفید]] (PPS)، [[پلی‌اتیلن نفتالات]] (PEN) و [[پلی تترافلوئورواتیلن|پلی‌تترافلورواتیلن]] یا [[پلی تترافلوئورواتیلن|تفلون]] (PTFE). مواد فیلم پلی پروپیلن با سهم بازاری در حدود ۵۰٪ و فیلم پلی‌استر با چیزی در حدود ۴۰٪ از پرکاربردترین مواد پوسته هستند. بقیه چیزی حدود ۱۰٪ توسط همه مواد دیگر از جمله PPS و کاغذ با تقریباً ۳٪ هر کدام استفاده خواهد شد.<ref>Passive component magazine, Nov. /Dec. 2005, F. Jacobs, p. 29 ff [http://old.passivecomponentmagazine.com/files/archives/2005/PCI_05_06Nov-Dec.pdf Polypropylene Capacitor Film Resin] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20160304050222/http://old.passivecomponentmagazine.com/files/archives/2005/PCI_05_06Nov-Dec.pdf|date=2016-03-04}}</ref><ref>{{Cite web|url=http://www.paumanokgroup.com|title=Capacitor Reports &#124; Resistor Reports &#124; Electronic Analysis &#124; Dennis Zogbi &#124; Paumanok Publications|publisher=Paumanokgroup.com|date=2013-11-08|accessdate=2014-03-02}}</ref>

{{وسط‌چین}}<gallery class="centered" caption="بار با جریان پالس بالا مهمترین ویژگی خازنهای پوسته‌ای است بنابراین بسیاری از سبکهای موجود دارای پایانه‌های ویژه‌ای برای جریان‌های بالا هستند">
پرونده:Folien-Kondensator-Wiki-07-02-25-P1040367b.jpg|سبک شعاعی (یک طرفه) برای لحیم کاری سوراخ‌های تعبیه‌شده بر روی برد مدارچاپی
پرونده:Folko-SMD.png|سبک SMD برای نصب سطحی برد مدارچاپی ، با اتصالات فلزی در دو لبه مخالف
پرونده:Snubber-P1180579b.JPG|سبک شعاعی با پایانه‌های لحیم کاری پردوام برای کاربردهای اسنابر و جریان بار با ضربه زیاد
پرونده:GTO-P1180590b.JPG|خازن اسنابر پردوام با پایانه‌های پیچ‌دار
</gallery>{{پایان}}

=== خازن‌های پوسته‌ای قدرت ===
[[پرونده:MKV-Power-Capacitor-Construction.svg|چپ|بندانگشتی| خازن قدرت MKV، کاغذ فلزکاری‌شده دوطرفه (حامل مکانیکی الکترودها بدون-میدان)، پوستهٔ پلی‌پروپیلن (دی‌الکتریک)، پیچش‌های آغشته با روغن عایق]]
{{وسط‌چین}}<gallery class="centered" caption="خازن های فیلم قدرت برای کاربرد در سامانه‌های قدرت ، تاسیسات برقی و نیروگاه ها">
پرونده:Power-kondensator.jpg|خازن پوسته‌ای قدرت برای [[Power factor#Power factor correction in non-linear loads|تصحیح ضریب توان]] AC (PFC) ، بسته‌بندی شده در یک قوطی فلزی استوانه‌ای
پرونده:Power-Quaderbecher.png|خازن پوسته‌ای قدرت در محفظه مستطیلی
پرونده:Leistungskondensatoren-DESY-P1040621.JPG|یکی از چندین بانک خازن پوسته‌ای  قدرت با ذخیره سازی انرژی ، برای تولید میدان مغناطیسی در شتابدهنده حلقه هادرون-الکترون ( [[Hadron Elektron Ring Anlage|HERA]] ) ، واقع در محل [[DESY]] در [[Hamburg|هامبورگ]]
پرونده:Condensor bank 150kV - 75MVAR.jpg|بانک خازنی پست پست ۷۵ مگا ولت-آمپر-راکتیو در ۱۵۰  کیلو ولت
</gallery>{{پایان}}

=== خازن‌های الکترولیتی ===
[[پرونده:E-cap-family-14-02-02.jpg|بندانگشتی|250x250پیکسل| تنوع خازن‌های الکترولیتی]]
[[خازن الکترولیتی|خازن‌های الکترولیتی]] دارای یک آند فلزی هستند که با یک لایه اکسیده شده و به عنوان دی‌الکتریک استفاده می‌شود. الکترود دوم یک الکترولیت غیر جامد (مرطوب) یا جامد است. خازن‌های الکترولیتی قطبیده هستند. سه خانواده در دسترس هستند که طبق دی‌الکتریک‌شان طبقه‌بندی می‌شوند.
* [[خازن الکترولیتی آلومینیومی|خازن‌های الکترولیتی آلومینیومی]] با [[آلومینیوم اکسید|اکسید آلومینیوم]] به عنوان دی‌الکتریک
* [[خازن تانتالیوم|خازن‌های الکترولیتی تانتالیومی]] با [[پنتاکسید تانتال|پنتاکسید تانتالوم]] به عنوان دی‌الکتریک
* [[خازن نیوبیومی|خازن‌های الکترولیتی نیوبیومی]] با [[پنتاکسید نیوبیم|نیوبیم پنتوکسید]] به عنوان دی‌الکتریک.

میزان مجاز پنت‌اکسید تانتال تقریباً سه برابر بیشتر از اکسید آلومینیوم است و اجزای قابل توجهی کوچکتر تولید می‌کند. با این حال، مجاز بودن فقط ابعاد را تعیین می‌کند. پارامترهای الکتریکی، به ویژه [[رسانایی (الکترولیتی)|رسانایی]]، توسط مواد و ترکیب الکترولیت ایجاد می‌شوند. از سه نوع الکترولیت کلی استفاده می‌شود:
* غیر جامد (مرطوب، مایع) - رسانندگی تقریباً mS/cm 10 و کم هزینه هستند
* اکسید منگنز جامد - رسانندگی تقریبی mS/cm 100 کیفیت و پایداری بالایی را ارائه می‌دهد
* پلیمر رسانشی جامد ([[پلی پیرول]] یا [[PEDOT:PSS|PEDOT: PSS]]) - رسانندگی تقریباً ۱۰۰ … ۵۰۰ زیمنس برسانتی‌متر،<ref>{{Cite news|last=Chenxi|first=Rizee|title=2017 Tendency For Electronic Components Market|url=http://www.wellpcb.com/news/2017-tendency-electronic-components-market.html|accessdate=29 May 2017|work=www.wellpcb.com|publisher=WellPCB|date=15 May 2014|language=en}}</ref><ref>U. Merker, K. Wussow, W. Lövenich, H. C. Starck GmbH, New Conducting Polymer Dispersions for Solid Electrolyte Capacitors, [http://ecadigitallibrary.com/pdf/CARTSEUROPE05/ECARTS0514_ale.pdf PDF] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20160304070959/http://ecadigitallibrary.com/pdf/CARTSEUROPE05/ECARTS0514_ale.pdf|date=2016-03-04}}</ref> مقادیر ESR را کمتر از <۱۰ میلی‌اهم ارائه می‌دهد

خازن‌های الکترولیتی آلومینیومی دوقطبی (خازن‌های غیرقطبیده) نیز نامیده می‌شوند: حاوی دو ورق آلومینیوم آندشی {{به انگلیسی|anodized aluminium}} هستند که مانند دو خازن متصل به یکدیگر رفتار می‌کنند.

خازن‌های الکترولیتیک برای کاربردهای خاص شامل خازن‌های استارت موتور،<ref>{{Cite web|url=http://www.cde.com/catalogs/PSU.pdf|title=CDE, Motor Start Capacitors}}</ref> خازن‌های چراغ‌فلش<ref>{{Cite web|url=http://www.rubycon.co.jp/en/catalog/e_pdfs/aluminum/e_CDF.pdf|title=Rubycon, Aluminum Electrolytic Capacitors for Strobe Flash|access-date=۱۸ ژانویه ۲۰۲۳|archive-date=۲ دسامبر ۲۰۲۰|archive-url=https://web.archive.org/web/20201202064507/http://www.rubycon.co.jp/en/catalog/e_pdfs/aluminum/e_CDF.pdf|dead-url=yes}}</ref> و خازن‌های فرکانس صوتی است.<ref>{{Cite web|url=http://www.ftcap.de/index.php/audio-frequency-archiv.html|title=Electrolytic Capacitors - FTCAP GmbH|website=www.ftcap.de}}</ref>{{وسط‌چین}}<gallery caption="Aluminum, tantalum and niobium electrolytic capacitors" class="centered">
پرونده:Wiki-Al-Elkos-P1090313-2.jpg|  محور ، شعاعی (تک پایان) و خازنهای V-تراشه خازنهای الکترولیتی آلومینیومی
پرونده:Snap-In Electrolytic Capacitor.jpg|خازن‌های الکترولیتی آلومینیومی به سبک ضربه محکم و ناگهانی برای کاربردهای انرژی
پرونده:Arduino capacitors-1.jpg|سبک SMD برای نصب سطح خازنهای الکترولیتی آلومینیومی با الکترولیت پلیمر
پرونده:Kondensator-Ta-Chips-Wiki-07-02-11.jpg|خازن‌های تراشه الکترولیتی تانتالوم برای نصب سطح
</gallery>{{پایان}}

=== ابرخازن‌ها ===
[[پرونده:Supercapacitors-Short-Overview.png|چپ|بندانگشتی|250x250پیکسل| طبقه‌بندی سلسله مراتبی ابرخازن‌ها و انواع مربوط به آن]]
[[پرونده:Power_vs_energy_density_3.svg|چپ|بندانگشتی|250x250پیکسل| [[نمودار راگونی]] چگالی توان درمقابل چگالی انرژی خازن‌ها و باتری‌های مختلف را نشان می‌دهد]]
'''ابرخازن‌ها (SC)''' ,<ref name="conway1">{{Cite book|last=B. E. Conway|title=Electrochemical Supercapacitors: Scientific Fundamentals and Technological Applications|year=1999|publisher=Springer|location=Berlin|isbn=978-0-306-45736-4|url=https://books.google.com/?id=8yvzlr9TqI0C&pg=PA1|accessdate=November 21, 2014}} see also [http://electrochem.cwru.edu/encycl/art-c03-elchem-cap.htm Brian E. Conway in Electrochemistry Encyclopedia: ''Electrochemical Capacitors — Their Nature, Function and Applications''] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20120813020215/http://electrochem.cwru.edu/encycl/art-c03-elchem-cap.htm|date=2012-08-13}}</ref> خانواده ای از [[خازن]]‌های [[الکتروشیمی|الکتروشیمیایی]]<ref name="conway1"/> را تشکیل می‌دهند. '''ابرخازن‌'''، که گاهی '''فراخازن''' نامیده می‌شود یک اصطلاح عمومی برای [[ابرخازن|خازن‌های دو لایه الکتریکی]] (EDLC)، [[شبه‌خازن]] و خازن‌های هیبریدی {{به انگلیسی|hybrid}} است. آنها [[دی‌الکتریک]] معمولی جامد ندارند. ظرفیت خازن الکتروشیمیایی توسط دو اصل ذخیره‌سازی تعیین می‌شود، که هر دو به ظرفیت کل خازن کمک می‌کنند:<ref name="Halper2">{{cite techreport|author=Marin S. Halper, James C. Ellenbogen|title=Supercapacitors: A Brief Overview|publisher=MITRE Nanosystems Group|date=March 2006|url=http://www.mitre.org/work/tech_papers/tech_papers_06/06_0667/06_0667.pdf|accessdate=2013-04-02|archive-date=۲۰ مارس ۲۰۱۳|archive-url=https://web.archive.org/web/20130320060813/http://www.mitre.org/work/tech_papers/tech_papers_06/06_0667/06_0667.pdf|dead-url=yes}}</ref><ref name="Frackowiak1">{{Cite journal|last=Frackowiak|first=Elzbieta|last2=Béguin|first2=François|year=2001|title=Carbon materials for the electrochemical storage of energy in capacitors|url=https://archive.org/details/sim_carbon_2001_39_6/page/937|journal=Carbon|volume=39|issue=6|pages=937–950|doi=10.1016/S0008-6223(00)00183-4}}</ref><ref name="Volfkovich">{{Cite book|isbn=978-953-307-830-4|title=Recent Trend in Electrochemical Science and Technology|last=Sur|first=Ujjal Kumar|date=2012-01-27}}</ref>
* [[لایه الکتریکی مضاعف|ظرفیت خازنی دولایه]] - ذخیره‌سازی با جداسازی بار در یک [[لایه الکتریکی مضاعف|لایه دوگانه]] [[هرمان فون هلمهولتز|هلمهولتز]] در سطح [[میانجی (شیمی)|میانجی]] بین سطح رسانا و محلول الکترولیتی به دست می‌آید. فاصله جدایش بار در یک دولایه به ترتیب چند [[آنگستروم]] (۰٫۳–۰٫۸ [[نانومتر]]) است. این ذخیره‌سازی منشأ [[الکترواستاتیک|الکترواستاتیکی]] دارد.<ref name="Namisnyk">{{Cite web|last=Adam Marcus Namisnyk|title=A Survey of Electrochemical Supercapacitor Technology|url=http://services.eng.uts.edu.au/cempe/subjects_JGZ/eet/Capstone%20thesis_AN.pdf|date=23 June 2003|accessdate=2011-06-24|archiveurl=https://web.archive.org/web/20141222044332/http://services.eng.uts.edu.au/cempe/subjects_JGZ/eet/Capstone%20thesis_AN.pdf|archivedate=22 December 2014}}</ref>
* خازن‌نما - ذخیره‌سازی با [[اکسایش-کاهش|واکنش‌های ردوکس]]، [[خازن‌نما|الکتروجاذب]] یا [[میان‌لایش (شیمی)|میان‌لایش]] روی سطح الکترود یا توسط [[یون]]‌های جذب‌شده خاص که منجر به [[همتافت انتقال بار|انتقال-بار]] [[جریان فارادیک|فارادیک]] برگشت‌پذیر می‌شود، به دست می‌آید. خازن‌نما منشأ فارادایک دارد.<ref name="Namisnyk"/>
* '''خازن‌های دولایه''' - با الکترودهای [[کربن|کربنی]] یا مشتقات با ظرفیت دولایه استاتیک بسیار بالاتر از ظرفیت فارادیک خازن‌نما
* '''خازن‌نماها''' - با الکترود از اکسیدهای فلزی یا از پلیمرهای رسانا با یک مقدار بالا از pseudocapacitance faradaic
* '''خازن‌های ترکیبی''' - خازن‌هایی با الکترودهای خاص و نامتقارن که هم ظرفیت دولایه و هم ظرفیت‌نما قابل‌توجهی دارند، مانند [[خازن یون‌لیتیوم|خازن‌های یون لیتیوم]]

ابرخازن‌ها طیف گسترده‌ای از کاربردها را برای نیازهای قدرت و انرژی پشتیبانی می‌کنند، ازجمله:
* جریان کم تغذیه در مدت زمان طولانی‌تر برای پشتیبان‌گیری حافظه در ([[حافظه دسترسی تصادفی ایستا|SRAM]]) در تجهیزات الکترونیکی
* الکترونیک قدرت که به جریان بالا بسیار کوتاه زیاد نیاز دارد، همان‌طور که در سیستم [[سامانه بازیابی انرژی جنبشی|KERS]] در ماشین‌های [[فرمول یک]] وجود دارد
* بازیابی انرژی ترمز برای وسایل نقلیه مانند اتوبوس و قطار

{{وسط‌چین}}<gallery class="centered" classes="centered" caption="خازن های دو-لایه، لیتیوم-یون و ابرخازن">
پرونده:OneFarad5.5Velectrolyticcapacitor.jpg|خازن دو لایه با 1&nbsp;F در 5.5&nbsp;V برای بازدارش داده هنگام قطع شدن برق.
پرونده:Lithium Ionen Kondensator.jpg|سبک شعاعی (تک انتهایی) خازن‌های لیتیوم-یون برای چگالی انرژی بالا
پرونده:Skeleton Technologies ultracapacitators.jpg|ابرخازنها
</gallery>{{پایان}}بسیاری از مقررات ایمنی الزام می‌کنند که خازن‌های کلاس X یا کلاس Y را باید هر زمان که "خرابی اتصال-کوتاه" می‌تواند انسان را در معرض خطر قرار دهد، استفاده کرد تا حتی در هنگام خرابی خازن، [[ایزولاسیون الکتریکی|انزوای گالوانیک]] را تضمین کند.

به‌طور خاص، مقررات ایمنی ترتیب خاصی از [[کاربردهای خازن|خازن‌های فیلترسازی شبکه اصلی]] کلاس X و کلاس Y را الزامی می‌کند.<ref>[http://database.ul.com/cgi-bin/XYV/template/LISEXT/1FRAME/showpage.html?&objid=1073753701&cfgid=1073741824&version=versionless "Across-the-line Capacitors, Antenna-coupling Components, Line-bypass Components and Fixed Capacitors for Use in Electronic Equipment"].
UL Online Certification Directory.</ref>

=== خازن‌های متفرقه ===
==== خازن‌های مجتمع‌شده ====
* خازن‌های مجتمع - در [[آی‌سی|مدارهای مجتمع]]، خازن‌های در مقیاس نانو را می‌توان با الگوهای متالیزاسیون مناسب بر روی یک بستر جداسازی تشکیل داد. آنها ممکن است در آرایه‌های خازنی متعدد بدون هیچ بخش نیم‌رسانای دیگری به عنوان اجزای مجزا بسته‌بندی شوند.<ref>{{Cite web|url=http://www.ipdia.com/index.php?page=our_products&cat_id=2|title=3D Silicon Capacitors|website=www.ipdia.com|access-date=۱۸ ژانویه ۲۰۲۳|archive-date=۱ ژوئیه ۲۰۱۹|archive-url=https://web.archive.org/web/20190701024220/http://www.ipdia.com/index.php?page=our_products|dead-url=yes}}</ref>
* خازن‌های شیشه ای - اولین خازن [[بطری لیدن]] از شیشه ساخته شد، {{تا تاریخ|۲۰۱۲}} خازن‌های شیشه ای به عنوان نسخه SMD برای کاربردهایی که نیاز به خدمات فوق‌العاده قابل اعتماد و فوق پایدار دارند استفاده می‌شد.

==== خازن‌های قدرت ====
* [[خازن متغیر خلائی|خازن‌های خلأ]] - در فرستنده‌های [[فرکانس رادیویی|RF]] با قدرت بالا استفاده می‌شود
* خازن‌های پر از گاز [[هگزا فلوراید گوگرد|SF<sub>6</sub>]] - به عنوان استاندارد ظرفیت برای اندازه‌گیری مدارهای پل استفاده می‌شود

==== خازن‌های ویژه ====
* [[برد مدار چاپی|بردهای مدار چاپی]] - نواحی رسانای فلزی در لایه‌های مختلف برد مدار چاپی چندلایه می‌توانند به‌عنوان خازن بسیار پایدار در [[فیلتر عنصر گسسته|فیلترهای عنصر گسسته]] عمل کنند. این روش معمول صنعت است که نواحی بدون‌استفاده از یک لایه PCB را با رسانای زمین و یک لایه دیگر را با رسانای قدرت پُرکند تا یک خازن گسسته بزرگ بین لایه‌ها تشکیل‌یابد.
* ۲-سیمه قطعه سیم عایق‌بندی شده بهم‌تابیده‌است. مقادیر ظرفیت معمولاً از 3 pF تا 15 pF متغیر است. در مدارهای [[بسامد بسیاربالا|VHF]] خانگی برای بازخورد نوسان استفاده می‌شود.

خازن‌هایی که از چرخاندن ۲ تکه سیم عایق به یکدیگر ساخته می‌شوند، خازن‌های گیمیک نامیده می‌شوند. خازن‌های گیمیگ در گیرنده‌های رادیویی تجاری و آماتور استفاده می‌شد.<ref>Harry Lythall - SM0VPO.
[http://www.sm0vpo.com/begin/gimmik-0.htm "Gimmick Capacitors"] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20110613093940/http://sm0vpo.com/begin/gimmik-0.htm|date=2011-06-13}}.</ref><ref>Darren Ashby, Bonnie Baker, Ian Hickman, Walt Kester, Robert Pease, Tim Williams, Bob Zeidman.
[https://books.google.com/books?id=kX5iqqwTWicC&pg=PA201&lpg=PA201&dq=twist+wire+capacitor+gimmick+pease&source=bl&ots=QC9327wAEP&sig=DVBnjVy1Lo69RUjzkUQI14ORfyw&hl=en&sa=X&ei=Z_7GUoXwE6Kq2wW204CgCA&ved=0CEsQ6AEwAw#v=onepage&q=twist%20wire%20capacitor%20gimmick%20pease&f=false "Circuit Design: Know It All"].
2011.
p. 201.</ref><ref>Robert A. Pease.
[https://books.google.com/books?id=3kY4-HYLqh0C&pg=PA20&lpg=PA20&dq=twist+wire+capacitor+gimmick+pease&source=bl&ots=oqRTDuZatq&sig=OilR26B2Mq8Et_DBX8kYdBS7D48&hl=en&sa=X&ei=Z_7GUoXwE6Kq2wW204CgCA&ved=0CFAQ6AEwBA#v=onepage&q=twist%20wire%20capacitor%20gimmick%20pease&f=false "Troubleshooting Analog Circuits"].
1991.
p. 20.</ref><ref>Robert A. Pease.
[http://www.introni.it/pdf/Bob%20Pease%20Lab%20Notes%20Part%208.pdf "Troubleshooting analog circuits, part 2: The right equipment is essential for effective troubleshooting"] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20230718185336/http://www.introni.it/pdf/Bob%20Pease%20Lab%20Notes%20Part%208.pdf |date=۱۸ ژوئیه ۲۰۲۳ }}.
EDN January 19, 1989.
p. 163.</ref><ref>David Cripe NM0S and Four State QRP Group.
[http://www.4sqrp.com/kits/cyclone/cyclone_manual_rev_0.pdf "Instruction Manual Cyclone 40: 40 Meter Transceiver"].
2013.
p. 17.</ref>

==== خازن‌های منسوخ‌شده ====
* [[بطری لیدن]] ابتدایی‌ترین خازن شناخته شده
* [[خازن نقره میکا|خازن‌های میکا گیره‌دار]] - اولین خازن‌هایی با رفتار فرکانسی پایدار و تلفات کم، که برای کاربردهای رادیویی نظامی درطول [[جنگ جهانی دوم]] استفاده شد.
* خازن‌های شکاف-هوایی - که توسط اولین [[فرستنده جرقه شکاف|فرستنده‌های شکاف-جرقه]] استفاده می‌شد

{{وسط‌چین}}<gallery caption="Miscellaneous capacitors" class="centered">
پرونده:Silver mica capacitors.jpg|برخی 1&nbsp;nF × 500&nbsp;خازن‌های نقره ای میکا با رتبه VDC
پرونده:Vacuum capacitor with uranium glass.jpg| خازن خلاء با محفظه شیشه اورانیوم
</gallery>{{پایان}}

=== خازن‌های متغیر ===
[[خازن متغیر|خازن‌های متغیر]] ممکن است با حرکت مکانیکی ظرفیت خود را تغییر دهند. به‌طور کلی دو نسخه از خازن‌های متغیر باید از هم متمایز شوند
* خازن تیون‌ساز - خازن متغیر برای تنظیم عمدی و مکرر مدار نوسان‌ساز در رادیو یا مدار هماهنگی دیگر
* خازن تریمر - خازن متغیر کوچک معمولاً برای تنظیم داخلی مدار نوسان‌ساز فقط-یکبار

{{وسط‌چین}}<gallery class="centered" caption="خازن های متغیر">
پرونده:Drehkondensator-sw.jpg|خازن واریابل شکاف-هوایی
پرونده:VacuumCapacitorTelefunkenRK500.jpg|خازن تنظیم خلاء
پرونده:Folientrimmer-P1130559-1.jpg|خازن تریمر برای [[دیپ|نصب تمام-سوراخ]]
پرونده:Schnittdarstellung Keramiktrimmer.svg|خازن تریمر برای نصب روی سطح
</gallery>{{پایان}}

== خصوصیات الکتریکی ==
=== مدار معادل سری ===
[[پرونده:Capacitor-Series-Equivalent-Circuit-.png|بندانگشتی| مدل مدار معادل سری خازن]]
خازن‌های گسسته از خازن ایده‌آل متفاوت می‌شوند. یک خازن ایده‌آل فقط انرژی الکتریکی را بدون اتلاف ذخیره و آزاد می‌کند. اجزای خازن دارای تلفات و قطعات القایی مزاحم هستند. این عیوب در مواد و ساختار می‌تواند پیامدهای مثبتی مانند فرکانس خطی و رفتار دما در خازن‌های سرامیکی کلاس ۱ داشته باشد. برعکس، پیامدهای منفی شامل خازن غیرخطی و وابسته به ولتاژ در خازن‌های سرامیکی کلاس ۲ یا عایق‌بندی ناکافی دی الکتریک خازن‌ها است که منجر به جریان‌های نشتی می‌شود.

تمام خواص را می‌توان توسط یک مدار معادل سری متشکل از یک خازن ایده‌آل و اجزای الکتریکی اضافی که تمام تلفات و پارامترهای القایی یک خازن را مدل می‌کند، تعریف و مشخص کرد. در این مدار معادل سری، مشخصه‌های الکتریکی به صورت زیر تعریف می‌شوند:
* ''C''، ظرفیت خازن
* ''R''‌<sub>insul</sub>، [[عایق الکتریکی|مقاومت عایق‌بندی]] دی الکتریک، نباید با عایق محفظه اشتباه شود
* ''R''<sub>leak</sub>، مقاومت نشان دهنده [[نشت (الکترونیک)|جریان نشتی]] خازن است
* ''R''<sub>ESR</sub>، [[مقاومت سری معادل]] که مجموع تمام تلفات اهمی خازن است که معمولاً به اختصار "ESR" خوانده می‌شود
* ''L''<sub>ESL</sub>، [[القایی سری معادل]] که خودالقایی مواثر خازن است، که معمولاً به اختصار "ESL" شناخته می‌شود.

=== مقادیر خازنی و تلرانس استاندارد ===
'''ظرفیت نامی''' C <sub>R</sub> یا '''ظرفیت اسمی''' C <sub>N</sub> مقداری است که خازن برای آن طراحی شده‌است. ظرفیت واقعی به فرکانس اندازه‌گیری‌شده و دمای محیط بستگی دارد. شرایط استاندارد اندازه‌گیری یک روش اندازه‌گیری ولتاژ پایین AC در دمای ۲۰ °C است با فرکانس‌های
* ۱۰۰ کیلوهرتز، ۱ مگاهرتز (ترجیحا) یا ۱۰ مگاهرتز برای خازن‌های غیرالکترولیتی با C <sub>R</sub> ≤ 1 nF:
* ۱ کیلوهرتز یا ۱۰ کیلوهرتز برای خازن‌های غیرالکترولیتی با 1 nF < C <sub>R</sub> ≤ ۱۰ μF
* ۱۰۰/۱۲۰ هرتز برای خازن‌های الکترولیتی
* ۵۰/۶۰ هرتز یا ۱۰۰/۱۲۰ هرتز برای خازن‌های غیرالکترولیتی با C<sub>R</sub>> 10 μF

تلرانس خازن‌ها و کد حروف آنها
{| class="wikitable centered" style="text-align:center"
! rowspan="2" |[[:en:E-series_of_preferred_numbers|سری ئی]]
! colspan="4" |درصدخطا
|- class="hintergrundfarbe6"
!C<sub>R</sub> > 10 pF
!کد حروف
!C<sub>R</sub> < 10 pF
!کد حروف
|- class="hintergrundfarbe5"
|E 96
|۱٪
|F
|0.1 pF
|B
|-
|E 48
|۲٪
|G
|0.25 pF
|C
|-
|E 24
|۵٪
|J
|0.5 pF
|D
|-
|E 12
|۱۰٪
|K
|1 pF
|F
|-
|E 6
|۲۰٪
|M
|2 pF
|G
|-
| rowspan="2" |E3
|−۲۰/+۵۰٪
|S
| -
| -
|-
|−۲۰/+۸۰٪
|Z
| -
| -
|}

=== وابستگی به دما ===
ظرفیت خازنی معمولاً با دما تغییر می‌کند. دی الکتریک‌های مختلف تفاوت‌های زیادی را در حساسیت دمایی بیان می‌کنند. ضریب دما برای خازن‌های سرامیکی کلاس ۱ برحسب [[بخش در یکای سنجش|قسمت در میلیون]] (ppm) در هر درجه سانتیگراد یا ٪ بیش از محدوده دمای کل برای بقیه.

=== وابستگی به فرکانس ===
اکثر انواع خازن‌های گسسته با افزایش فرکانس تغییرات کم و بیش ظرفیت خازنی دارند. استقامت دی‌الکتریک فیلم سرامیکی و پلاستیکی کلاس ۲ با افزایش فرکانس کاهش می‌یابد؛ بنابراین مقدار ظرفیت خازنی آنها با افزایش فرکانس کاهش می‌یابد. این پدیده برای دی الکتریک‌های کلاس ۲ سرامیکی و پوسته پلاستیکی مربوط به [[دی‌الکتریک|واهُلش دی‌الکتریک]] است که در آن ثابت زمانی دوقطبی‌های الکتریکی دلیل وابستگی فرکانس [[گذردهی (فیزیک)|گذردهی]] است. نمودارهای زیر رفتار فرکانس معمولی خازن را برای خازن‌های سرامیکی و فیلمی نشان می‌دهد.{{وسط‌چین}}<gallery caption="Frequency dependence of capacitance for ceramic and film capacitors" class="float-right" style="margin:3em">
پرونده:MLCC-Kap-versus-Frequenz-engl.svg | وابستگی فرکانس ظرفیت برای خازن‌های کلاس ۲ سرامیک (NP0 کلاس ۱ برای مقایسه)
پرونده:Folko-Kurve-C-f-Frequenz-4.png| وابستگی فرکانسی ظرفیت برای خازن‌های فیلم با مواد مختلف فیلم
</gallery>{{پایان}}

=== وابستگی به ولتاژ ===
ظرفیت خازنی نیز ممکن است با ولتاژ اعمال شده تغییر کند. این اثر در خازن‌های سرامیکی کلاس ۲ بیشتر است. گذردهی مواد فروالکتریک کلاس ۲ به ولتاژ اعمال شده بستگی دارد. ولتاژ اعمال شده بالاتر گذردهی را کاهش می‌دهد. تغییر ظرفیت خازنی می‌تواند تا ۸۰ درصد مقدار اندازه‌گیری شده با ولتاژ اندازه‌گیری استاندارد ۰٫۵ یا ۱٫۰ ولت کاهش یابد. این رفتار منبع کوچکی از غیرخطسانی در فیلترهای کم-اعوجاج و سایر کاربردهای آنالوگ است. در کاربردهای صوتی، این می‌تواند باعث اعوجاج شود (با استفاده از [[اعوجاج هارمونیک کل|THD]] اندازه‌گیری می‌شود).{{وسط‌چین}}<gallery caption="Voltage dependence of capacitance for some different class 2 ceramic capacitors" class="float-right" style="margin:3em">
پرونده:Delta-Cap-versus-Spannung-engl.png|نمودار ساده شده تغییر ظرفیت به عنوان تابعی از ولتاژ اعمال شده برای خازن‌های ۲۵ ولت در انواع مختلف سرامیک
پرونده:Delta-Cap-versus-Spannung-X7R-engl.png|نمودار ساده شده تغییر در ظرفیت به عنوان تابعی از ولتاژ اعمال شده برای سرامیک‌های X7R با ولتاژهای نامی متفاوت
</gallery>{{پایان}}

=== امپدانس ===
[[پرونده:Kondensator_Zeigerdiagramm-1-.svg|چپ|بندانگشتی|283x283پیکسل| مدار معادل سری خازن ساده برای فرکانس‌های بالاتر (بالا)؛ نمودار برداری با راکتانس‌های الکتریکی X<sub>ESL</sub> و X<sub>C</sub> و مقاومت ESR و برای نمایش امپدانس Z و ضریب اتلاف تانژانت δ]]
[[پرونده:Kondensator-Impedanzverläufe-Wiki-1.jpg|چپ|بندانگشتی| منحنی‌های امپدانس نمونه برای مقادیر مختلف خازن در فرکانس که شکل معمولی را با مقادیر امپدانس کاهشی زیر [[تشدید (فیزیک)|تشدید]] و افزایش مقادیر بالاتر از تشدید نشان می‌دهد. هر چه ظرفیت خازنی بیشتر باشد تشدید کمتر است.]]

=== تلفات اهمی، ESR، ضریب اتلاف و ضریب کیفیت ===
تلفات مجموع در خازنهای گسسته تلفات اهمی [[جریان متناوب|AC]] است. تلفات [[جریان مستقیم|DC]] به عنوان " [[نشت (الکترونیک)|جریان نشت]] " یا "مقاومت عایق‌ساز" مشخص شده و برای مشخصات AC قابل چشم پوشی است. تلفات AC غیرخطی است، احتمالاً به فرکانس، دما، طول‌عمر یا رطوبت بستگی دارد. تلفات ناشی از دو شرط فیزیکی است:
* تلفات خط از جمله مقاومت‌های خط تغذیه داخلی، مقاومت تماسی تماس الکترود، مقاومت خط الکترودها، و در خازن‌های الکترولیتی آلومینیومی «تر» و به ویژه ابرخازن‌ها، رسانایی محدود الکترولیت‌های مایع و
* [[تانژانت تلفات|تلفات دی الکتریک]] ناشی از [[دی‌الکتریک|قطبش دی الکتریک]]

اگر اندوکتانس <math> ESL </math> کوچک باشد، ضریب اتلاف را می‌توان به صورت تقریبی تخمین زد:

: <math>\tan \delta = ESR \cdot \omega C</math>

خازن‌های با تلفات بسیار کم، مانند خازن‌های سرامیکی کلاس ۱ و ۲، تلفات مقاومتی را با [[ضریب کیفیت]] (Q) مشخص می‌کنند. خازن‌های سرامیکی کلاس ۱ مخصوصاً برای مدارهای تشدید ال سی با فرکانس تا محدوده گیگاهرتز و فیلترهای بالا و پایین گذر دقیق مناسب هستند. برای یک سیستم تشدیدی الکتریکی، Q نشان دهنده اثر [[مقاومت و رسانایی الکتریکی|مقاومت الکتریکی]] است و [[پهنای‌باند]] تشدیدگر را مشخص می‌کند. <math>B</math> نسبت به مرکز یا فرکانس تشدید آن <math>f_0</math> . Q به عنوان مقدار متقابل ضریب اتلاف تعریف می‌شود.

: <math> Q = \frac{1}{\tan \delta} = \frac{f_0}{B} \ </math>

مقدار Q بالا برای مدارهای تشدید نشان دهنده کیفیت تشدید است.

=== محدودکردن جریان بارها ===
یک خازن می‌تواند به عنوان یک مقاومت AC عمل کند، ولتاژ AC و جریان AC را بین دو نقطه اتصال دهد. هر جریان جاری متناوب از طریق خازن باعث تولید گرما در داخل بدنه خازن می‌شود. این اتلاف توان پراکنش <math>P</math> بوسیله <math>ESR</math> و مقدار مربع جریان مؤثر<math>I</math> (RMS) است

: <math>P = I^2 \cdot ESR</math>

با ضریب اتلاف می‌توان همین افت توان را نوشت <math>\tan \delta</math> مانند

: <math> P = \frac{U^2 \cdot \tan \delta}{2\pi f \cdot C}</math>

==== جریان [[تموج (الکترونیک)|تموج]] ====
یک «جریان تموج» مقدار [[مقدار مؤثر|RMS]] یک جریان متناوب AC با هر فرکانس و هر شکل موجی از منحنی جریان برای عملکرد مداوم در دمای مشخص است. این عمدتاً در منابع تغذیه (از جمله [[منبع تغذیه سوئیچینگ|منابع تغذیه با حالت سوئیچ‌شونده]]) پس از اصلاح ولتاژ AC ایجاد می‌شود و به‌عنوان جریان شارژ و تخلیه از طریق خازن واتزویج یا صافی جریان می‌یابد. «جریان تموج نامی» نباید از افزایش دما ۳، ۵ یا ۱۰ درجه سانتیگراد تجاوزکند، بسته به نوع خازن، در حداکثر دمای محیط تعیین شده.

==== جریان پالس ====
بار پالس نامی برای یک خازن خاص توسط ولتاژ نامی، فرکانس تکرارش پالس، محدوده دما و زمان افزایش پالس محدود می‌شود. «زمان فراز پالس» <math>dv/dt</math> ، نشان دهنده تندترین گرادیان ولتاژ پالس (زمان فراز یا فرود) است و برحسب ولت بر میکروثانیه (V/μs) بیان می‌شود.

: <math>I_p = C \cdot dv/dt </math>

که: <math>I_p</math> در آمپر است. <math>C</math> در میکروفاراد؛ <math>dv/dt</math> در V/µs

=== مقاومت عایق‌بندی و ثابت خود تخلیه ===
مقاومت دی الکتریک محدود است، که منجر به سطحی از [[جریان مستقیم|"جریان نشتی" DC]] می‌شود که باعث می‌شود خازن شارژشده به مرور زمان شارژ خود را از دست بدهد. برای خازن‌های سرامیکی و فیلمی، این مقاومت "مقاومت عایق‌بندی R<sub>ins</sub> " نامیده می‌شود. این مقاومت با مقاومت R<sub>ins</sub> به موازات خازن در مدار معادل سری خازن‌ها نشان داده می‌شود. مقاومت عایق را نباید با عایق‌بندی بیرونی قطعه نسبت به محیط اشتباه گرفت.

با ولتاژ DC ذخیره شده <math>U_0</math> و ثابت خودتخلیه

: <math>\tau_\mathrm{s} = R_\mathrm{ins} \cdot C</math>

بنابراین، پس از <math>\tau_\mathrm{s}\,</math> ولتاژ <math>U_0</math> به ۳۷ درصد از مقدار اولیه کاهش می‌یابد.

=== جریان نشتی ===
[[پرونده:Leakage_current_curves.svg|چپ|بندانگشتی|رفتار نشت کلی خازن‌های الکترولیتی: جریان نشتی <math>I_{leak}</math> به عنوان تابعی از زمان <math>t</math> بسته به نوع الکترولیت

سبز: پلیمر

آبی: آلی

]]
برای خازن‌های الکترولیتی مقاومت عایق‌بندی دی الکتریک «جریان نشتی» نامیده می‌شود. این [[جریان مستقیم|جریان DC]] با مقاومت R<sub>leak</sub> به موازات خازن در مدار معادل سری خازن‌های الکترولیتی نشان داده می‌شود. این مقاومت بین پایانه‌های یک خازن نیز محدود است. R<sub>leak</sub> برای الکترولیتی‌ها نسبت به خازن‌های سرامیکی یا فیلمی کمتر است.

=== میکروفونی ===
همه مواد فروالکتریک [[پیزوالکتریکی|پیزوالکتریک]] اثر پیزوالکتریک را نشان می‌دهند. از آنجایی که خازن‌های سرامیکی کلاس ۲ از دی الکتریک سرامیک فروالکتریک استفاده می‌کنند، این نوع خازن‌ها ممکن است اثرات الکتریکی به نام [[میکروفونی]] داشته باشند. میکروفونی (میکروفونیک) توضیح می‌دهد که چگونه اجزای الکترونیکی [[ارتعاش|ارتعاشات]] مکانیکی را به یک سیگنال الکتریکی نامطلوب ([[نویز (الکترونیک)|نویز]]) تبدیل می‌کنند.<ref>{{Cite web|url=http://www.kemet.com/Lists/TechnicalArticles/Attachments/62/2007%20CARTS%20-%20Reduced%20Microphonics%20and%20Sound%20Emissions.pdf|title=Capacitors for Reduced Micro phonics and Sound Emission|website=www.kemet.com|access-date=۱۸ ژانویه ۲۰۲۳|archive-date=۲ آوریل ۲۰۱۹|archive-url=https://web.archive.org/web/20190402161325/http://www.kemet.com/Lists/TechnicalArticles/Attachments/62/2007%20CARTS%20-%20Reduced%20Microphonics%20and%20Sound%20Emissions.pdf|dead-url=yes}}</ref>

=== جذبش دی‌الکتریک (خیساندن) ===
جذبش دی الکتریک زمانی اتفاق می‌افتد که یک خازن که برای مدت طولانی شارژ باقی مانده‌است، تنها درصورت تخلیه کوتاه مدت، به‌طور ناقص تخلیه می‌شود. اگرچه یک خازن ایده‌آل پس از تخلیه به صفر ولت می‌رسد، خازن‌های واقعی ولتاژ کمی را از تخلیه دوقطبی با تأخیر زمانی ایجاد می‌کنند، پدیده‌ای که به آن [[دی‌الکتریک|واهلش دی الکتریک]]، «خیساندن» یا «کنش باتری» نیز می‌گویند.

=== تراکم انرژی ===
مقدار خازن به ماده دی الکتریک (ε)، سطح الکترودها (A) و فاصله (d) جداسازی الکترودها بستگی دارد و با فرمول یک خازن صفحه ای به دست می‌آید:

: <math>C \approx \frac{\varepsilon A}{d}</math>

جداسازی الکترودها و مقاومی ولتاژ ماده دی الکتریک، ولتاژ شکست خازن را مشخص می‌کند. ولتاژ شکست متناسب با ضخامت دی الکتریک است.

از آنجایی که چگالی انرژی ذخیره شده در خازن به صورت زیر بدست می‌آید:

: <math> E_\mathrm{stored} = \frac{1}{2} C V^2,</math>

بنابراین، یک خازن با ضخامت دی الکتریک به نصف خازن دیگر، ۴ برابر ظرفیت خازنی بالاتری دارد اما ½ ولتاژ مقاوم است، که حداکثر چگالی انرژی را به دست می‌دهد.

=== رفتار طولانی مدت، فرسوده‌سازی ===
پارامترهای الکتریکی خازن‌ها ممکن است در طول زمان در طول ذخیره‌سازی و استفاده تغییرکنند. دلایل تغییر پارامترها متفاوت است، ممکن است ویژگی دی الکتریک، تأثیرات محیطی، فرآیندهای شیمیایی یا اثرات خشک‌شدن مواد غیرجامد باشد.

==== فرسوده‌سازی ====
[[پرونده:Delta-Cap-versus-Zeit-engl.png|چپ|بندانگشتی| فرسوده‌سازی خازن‌های سرامیکی کلاس ۲ مختلف درمقایسه با خازن‌های سرامیکی NP0-کلاس ۱]]
در خازن‌های سرامیکی کلاس ۲ [[فروالکتریسیته|فروالکتریک]]، ظرفیت خازن با گذشت زمان کاهش می‌یابد. به این رفتار «فرسوده‌سازی» می‌گویند. این فرسایش در دی‌الکتریک‌های فروالکتریک اتفاق می‌افتد، جایی که حوزه‌های قطبش در دی‌الکتریک به قطبش کل کمک می‌کنند. تخریب حوزه‌های قطبیده در دی‌الکتریک باعث کاهش گذردهی و بنابراین ظرفیت خازنی در طول زمان می‌شود.<ref>{{Citation|first=K W|journal=Proceedings of the Physical Society. Section B|title=Ageing of the Dielectric Properties of Barium Titanate Ceramics|volume=69|number=12|year=1956|pages=1261–1268|language=German|doi=10.1088/0370-1301/69/12/309|last=Plessner|bibcode=1956PPSB...69.1261P}}</ref><ref>Takaaki Tsurumi & Motohiro Shono & Hirofumi Kakemoto & Satoshi Wada & Kenji Saito & Hirokazu Chazono, Mechanism of capacitance aging under DC-bias field in X7R-MLCCs
Published online: 23 March 2007, # Springer Science + Business Media, LLC 2007</ref>

==== طول عمر ====
[[پرونده:Lebensdauer-Testergebnisse-english.png|چپ|بندانگشتی| مقادیر الکتریکی خازن‌های الکترولیتی با الکترولیت غیرجامد در طول زمان به دلیل تبخیر الکترولیت تغییر می‌کند. با رسیدن به محدودیت‌های مشخص شده پارامترها، خازن‌ها به‌عنوان «خرابی فرسوده» محسوب می‌شوند.]]
خازن‌های الکترولیتی با سن الکترولیت غیرجامد به‌صورت تبخیر الکترولیت. این تبخیر به دما و بار جریانی که خازن‌ها تجربه می‌کنند بستگی دارد. فرار الکترولیت بر ظرفیت خازنی و ESR تأثیر می‌گذارد. ظرفیت ظرفیت کاهش می‌یابد و ESR با گذشت زمان افزایش می‌یابد. برخلاف خازن‌های سرامیکی، فیلم و الکترولیتی با الکترولیت‌های جامد، خازن‌های الکترولیتی «مرطوب» به «پایان عمر» مشخصی می‌رسند و به حداکثر تغییر ظرفیت خازنی یا ESR می‌رسند. پایان عمر، «عمر بار» یا «طول‌عمر» را می‌توان با فرمول یا نمودار<ref>Dr. Arne Albertsen, Jianghai Europe, [http://jianghai-europe.com/wp-content/uploads/1-Jianghai-Europe-E-Cap-Lifetime-Estimation-long-AAL-2012-10-30.pdf Electrolytic Capacitor Lifetime Estimation] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20130108014555/http://jianghai-europe.com/wp-content/uploads/1-Jianghai-Europe-E-Cap-Lifetime-Estimation-long-AAL-2012-10-30.pdf |date=۸ ژانویه ۲۰۱۳ }}</ref> یا تقریباً با یک به اصطلاح قانون-درجه-۱۰ تخمین زد. یک مشخصات معمولی برای یک خازن الکترولیتی، طول عمر ۲۰۰۰ ساعت در ۸۵ درجه سانتیگراد، را بیان می‌کند. به ازای هر ۱۰ درجه دمای پایین‌تر، دو برابر می‌شود و در دمای اتاق به طول عمر تقریباً ۱۵ سال می‌رسد.

=== نرخ خرابی ===
[[پرونده:Elko-Badewannenkurve-english.png|چپ|بندانگشتی| طول عمر (عمر بار) خازن‌ها با زمان نرخ خرابی تصادفی ثابت نشان داده شده در [[منحنی شکست]] مطابقت دارد. برای خازن‌های الکترولیتی با الکترولیت غیرجامد و ابرخازن‌ها این زمان با شروع خرابی‌های فرسودگی ناشی از تبخیر الکترولیت به پایان می‌رسد.]]
خازن‌ها اجزای [[مهندسی قابلیت اطمینان|قابل اعتماد]] با [[آهنگ خرابی|نرخ خرابی]] پایین هستند که در شرایط عادی به طول عمر چندین دهه می‌رسند. اکثر خازن‌ها در پایان تولید آزمایشی مشابه «[[سوزاندن آزمایشی]]» را پشت سر می‌گذارند، به طوری که خرابی‌های اولیه در حین تولید پیدا می‌شود و تعداد خرابی‌های پس از حمل و نقل کاهش می‌یابد.

=== نمادهای خازن ===
{{float begin|side=right}}
|- style="text-align:center;"
|
| [[Image:Polarized capacitor symbol.png]]
|
|- style="text-align:center;"
|
| [[Image:Polarized capacitor symbol 2.png]]
|
|- style="text-align:center;"
|
|- style="text-align:center;"
| [[Image:Capacitor symbol.png]]
| [[Image:Polarized capacitor symbol 3.png]]
| [[Image:Capacitor-symbol-bipolar-El-Cap.png|50px]]
| [[Image:Feed through capacitor symbol.png|50px]]
| [[Image:Trimmer-capacitor-symbol.png|50px]]
| [[Image:Variable capacitor symbol.png]]
|- style="text-align:center;"
| Capacitor
| Polarized{{سخ}}capacitor{{سخ}}Electrolytic{{سخ}}capacitor
| Bipolar{{سخ}}electrolytic{{سخ}}capacitor
| Feed{{سخ}}through{{سخ}}capacitor
| Trimmer{{سخ}}capacitor
| Variable{{سخ}}capacitor
{{float end|caption={{درشت|Capacitor symbols}}}}

=== علامت گذاری قطبیت ===
<gallery caption="Polarity marking" class="centered" mode="packed" heights="200px">
File:Polarity-wet-Al-Elcaps.jpg
File:Polarity-rectangular-chips.jpg
</gallery>{{نگارخانه|عنوان=Polarity marking details|تراز=center|ارتفاع=۱۲۰|عرض=120|File:Polymer-Quader-Polarität.jpg|Rectangular [[polymer capacitor]]s, tantalum as well as aluminum, have a polarity marking at the anode (''plus'') side|File:V-Chip.jpg|Cylindrical polymer capacitors have a polarity marking at the cathode (''minus'') side|File:Polarität-EDLC-P1070160.JPG|Supercapacitors are marked at the cathode (''minus'') side}}

== جستارهای وابسته ==
{{درگاه|Electronics}}
* [[طراحی مدار]]
* [[خازن کنارگذر|خازن واتزویج]]

== منابع ==
{{پانویس|30em|۲|چپ‌چین=بله}}

== پیوند به بیرون ==
* [http://www.sparkmuseum.com/BOOK_LEYDEN.HTM موزه اسپارک] (فون کلایست و موشنبروک)
* [http://www.designers-guide.org/Modeling/da.pdf مدل‌سازی جاذب دی‌الکتریک در خازن‌ها]
* [http://www.keith-snook.info/capacitor-soakage.html نمایی متفاوت از این همه جنس خازن]
* [http://capacitor.tedss.com/CapacitorGuide تصاویری از انواع خازن]
* [https://www.electronics-notes.com/articles/electronic_components/capacitors/capacitor-types.php مروری بر انواع خازن‌های مختلف]
* [http://www.iequalscdvdt.com/ Capsite 2015 مقدمه ای بر خازن‌ها]
{{قطعات الکترونیکی}}

[[da:Elektrisk kondensator]]
[[et:Elektrikondensaator]]
[[he:קבל]]
[[ja:コンデンサ]]
[[ru:Электрический конденсатор]]
[[ta:மின் தேக்கி]]
[[رده:خازن‌ها]]
[[رده:صفحه‌های با ترجمه بازبینی‌نشده]]